搭载输出驱动能力调节功能 适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列开售

　　ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor，作为高可靠性 DRAM系列产品，新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭载了4级输出驱动能力调节功能，可根据用户系统调节电流驱动能力，降低辐射噪声，从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外，引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜（Cu）框架，因此，还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产品的样品已经在售，计划从2014年3月份开始以月产100万个的规模开始量产销售。

　　＜背景＞

　　在中小容量SDRAM的用途之一车载设备系统中，工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响，因此，对于提升系统品质来说，降低辐射噪声成为重要课题。LAPIS Semiconductor着眼于该课题，为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，早在以往产品16M bit /64M bit SDRAM上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。该功能在车载领域获得极高好评，为扩大在需要更大容量SDRAM的用途中的应用范围，LAPIS Semiconductor开发了128M bit 、256M bit SDRAM。

　　另外，DRAM的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM发展，中小容量SDRAM的供应越来越不稳定。LAPIS Semiconductor将中小容量的SDRAM定位为传统DRAM注1，作为唯一可长期供货的日本国内制造商，不仅面向车载用途市场，而且面向更广阔的工业设备市场，正在不断完善产品的产品阵容。

　　

　　

　　＜新产品详情＞

　　1．搭载输出驱动能力调节功能

　　为降低SDRAM工作时产生的辐射噪声，改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4级驱动能力。

　　本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外，可按出货时固定规格的驱动能力设定供货，即使使用已有的SDRAM控制器无需配置扩展模式寄存器，即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。

　　2．采用铜引线框架

　　为满足车载设备领域的与PCB板之间的高可靠性焊接连接性的要求，本产品采用连接可靠性优异的铜（Cu）引线框架。与以往的42合金引线框架相比，其与PCB板的热膨胀系数更相近，因此，提高了焊接连接可靠性，满足了汽车厂家要求的PCB板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外，还同时抑制了锡晶须不良的发生。

　　3．满足车载品质

　　为实现高品质，支持定制符合客户要求品质的测试工序。

　　4．芯片销售遵循KGD（Known Good Die）保证

　　从晶圆级保证与封装产品同等的品质，通过与客户的使用方法相匹配的测试工序，提供高品质的芯片产品。

　　LAPIS Semiconductor今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性SDRAM产品并长期稳定供应为目标，进一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不断扩充传统DRAM注1产品的阵容。

　　【销售计划】

• 产品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A
• 包装形态 ：托盘1080个
• 样品出售时间 ：样品出售中
• 样品价格（参考）：

MD56V72160C 　360日元（不含税）

MD56V82160A 　520日元（不含税）

• 量产出售计划 ：2014年3月开始

　　【产品概要/特点】

• 规格　　 ：满足JEDEC标准规格
• 存储器结构 ：

4 BANK×2，097，152 WORD×16 BIT （MD56V72160C）

4 BANK×4，194，304 WORD×16 BIT （MD56V82160A）

• 地址大小 ：

4，096行 × 512列（MD56V72160C）

8，192行 × 512列（MD56V82160A）

• 工作频率 ：166MHz（max.）
• 接口 ：LVTTL兼容
• 功能 ：通用SDRAM指令接口
• 电源电压 ：3.3V±0.3V
• 工作温度范围 ：0℃ ～ ＋70℃ / －40℃ ～ ＋85℃
• 刷新 ：

自动刷新时　4，096次/64msec（MD56V72160C）　　8，192次/64msec（MD56V82160A）

自刷新

• 消耗电流（Typ.） ：

工作时（166MHz） 100mA （MD56V72160C）　　 150mA （MD56V82160A）

待机时（动态待机时） 50mA （MD56V72160C）　　65mA （MD56V82160A）

关机时 3mA

• 封装 ：

54Pin TSOP

铜引线框架、满足RoHS指令、无铅、无卤

　　【术语解说】

　　注1　传统DRAM

　　DRAM市场随着电脑和手机的高性能化发展，主流产品逐渐转变为大容量、高速DRAM，中小容量DRAM的供应厂家日益减少。然而，消费电子设备和车载设备等产品中，从噪声设计角度等出发，适用中小容量、中速DRAM的应用大量存在。另外，通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中，从控制器变更等设计变更较难或想控制设计变更费用等角度出发，存在希望继续使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor将这些中小容量DRAM定位为“传统DRAM”，不断开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品，以进一步扩充传统DRAM的产品阵容，为客户提供长期稳定供应。