存储器实现技术革新，DRAM有望进行量产

（文章来源：闪德资讯）

据近日报道，面对存储器半导体产业市场低迷，三星电子，SK海力士，镁光企图通过新旧世代的产品交替，克服危机。而且也有报道，英特尔就当前以数据为中心进行转型，对内存存储战略单元进行布局与规划，且正在有节奏地展开，渐入佳境。

日本对韩国氟化氢等芯片制造关键化学物质发布“限售令”，韩厂普及国有氟化氢，以三星，LG，海力士带头，减少对日产的依赖，并且SK海力士在中国无锡的工厂已使用中国国产氟化氢，完全脱离日产。

在这之后，传来了SK海力士宣布开发适用第三代 1Z纳米的16GbDDR4 DRAM，并有了新的进展，SK海力士表示，1z nm生产效率比前一代高出27%，且使用过去没有加入的新原料，成功最大化DRAM的静电容量，外界期待，未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。三星电子于3月完成了1z DRAM的开发，并从9月开始量产，并有表示年底有望引进紫外光微影技术（EUV）。

镁光也在8月宣布量产1z制程的16Gb DDR4 DRAM。镁光认为，提高电脑用DDDR4 DRAM、移动用DRAM（LPDDR4），以及图形用DRAM（GDDR6）技术，对事业有很大的帮助。业内人士分析：存储器企业提高技术是相当正面的消息，不论是对于当前低迷的市场，还是未来的存储的趋势，提高技术都有机会成为扭转市场的契机。

作为全球x86 CPU市场的领先者，英特尔在生态上有明显的主动权，且动作较快。截止2019年9月，英特尔在客户端的SSD上已构建了完整布局。

2017年第七代酷睿处理器开始，英特尔宣布基于3D Xpoint介质的内存产品正式商用，可搭配DRAM内存来为系统加速。2018年底，英特尔率先将QLC商业化，推出了基于QLC的大容量SSD 存储660P，单位容量价格突破了1GB 1块钱的线。凭借在功耗以及性能等方面的优势吸引了一些用户，引领大容量SSD时代的到来。

此外，英特尔还推出了能部分替代内存的傲腾数据中心级持久内存，在诸如Redis这样的开源方案，SAP HANA以及SQL Server这样的商业软件中均表现出特殊价值。目前在数据中心领域，上述两者已经产生许多成功应用案例，在性能，性价比方面都正在吸引越来越多来自不同行业的用户。

综上所述，存储市场虽然持续低迷几周了，价格倒挂现象也很严重，库存紧张的情况也会得到缓解，但这种风气不会持续太久，技术革新，DRAM量产，都在说明市场正在回温，保持观望的同时，记得做好出击的准备。
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