存储器,NOR 与NAND 存储逻辑的差异导致二者的应用场景有很大不同。NOR 的优势在于随机读取与擦写寿命,因此适合用来存储代码;NAND 的优势在于单位比特成本,花同样的钱可以获得更大的容量。
2023-09-11 16:59:23343 Flash存储器是一种非易失性存储器,即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:28676 引言:串行Nor Flash是一类使用比较多的存储器件,在特殊应用场景中具有不可替代的地位,本节是数字存储器件系列第一节,介绍串行Nor Flash的结构和参数特性。
2023-09-05 10:09:34654 引言:串行Nor Flash是一类使用比较多的存储器件,在特殊应用场景中具有不可替代的地位,本节是数字存储器件系列第一节,介绍串行Nor Flash的结构和参数特性。
2023-08-11 15:44:22320 Flash闪存是一种存储器,主要用于一般性程序存储,以及电脑与其他数字产品间交换传输数据。根据内部存储结构不同,Flash主要有两种,NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26309 三星743DF显示器电路图,三星743DF原理图,三星743DF图纸,Samsung 743DF电路图。
2008-09-23 13:41:00
在有一些应用中,我们可能需要大一些容量的存储单元,而实现的形式多种多样,在这一篇中我们将来讨论怎么使用BY25QXXX系列NOR FLASH存储器的问题。
2022-12-07 10:07:171014 安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)工作温度-40°C ~ 85°C(TA)技术FLASH - NOR存储器格式闪存时钟频率133MHz供应商器件封装
2022-10-20 16:12:09
Flash Memory是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中,则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大部分的U盘、SDCard等移动存储设备也都是
2022-01-25 17:25:1258275 ) 存储器类型:Non-Volatile 32Mbit,SPI FLASH
工厂包装数量:9500
产品种类:NOR闪存
封装:NOR闪存
GD25Q127
2021-12-06 16:26:59
型号:GD25Q64CSIGR
制造商:GigaDevice(兆易创新)
存储器构架(格式):FLASH 存储器接口类型:SPI 存储器容量:64Mb存储器类型:Non-Volatile
2021-12-06 16:13:41
PIC的程序存储器是FLASH存储器,主要存储程序代码,掉电不丢失。 数据存储器是SRAM,主要存储一些程序的变量,掉电丢失。 EEPROM一般存储程序中的重要数据,掉电也不丢失
2021-11-16 13:06:0113 AVR 系列单片机内部有三种类型的被独立编址的存储器,它们分别为:Flash 程序存储器、内部SRAM 数据存储器和EEPROM 数据存储器[1]。Flash 存储器为1K~128K 字节,支持并行
2021-11-14 20:21:0111 View the reference design for NOR Flash Controller. http://www.elecfans.com/soft/ has thousands of reference designs to help bring your project to life.
2021-06-27 08:06:1511 电子发烧友网为你提供STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-16 08:53:075 相信有很多人都对计算机里的各种存储器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就会存在,内存条是 dram 还是 nand?nand flash 和 nor flash 的区别又是什么?程序
2020-12-17 14:56:389686 存储器 IC 设计厂晶豪科技 (ESMT)昨日公开表示,利基型 DRAM 与 NOR Flash 均已涨价。 晶豪科技指出,利基型 DRAM 部分价格已开始调高,合约价方面则将从明年第一季起开始调涨
2020-12-08 13:43:471512 Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器,其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:012774 中国大陆兆易创新序列式编码型快闪存储器(NOR Flash)成功打进三星(Samsung)旗舰智能手机供应链,中国台湾厂商表示,目前NOR Flash市况依然稳定,并未受到影响。
2020-09-03 16:44:011271 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大,FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点,在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发
2020-08-13 14:37:295482 3月18日,据韩国媒体报道,三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器,该存储器能够在4秒内存储5GB内容,相当于一部蓝光电影。
2020-03-20 10:51:281214 据外媒报道称,目前三星拥有Samsung Premium Care(延长保修计划)和Samsung Upgrade Program(提供以旧换新,允许用户升级至最新旗舰)两个计划。而在不久后,三星官方将启动全新的Samsung Flex App,用户可以直接在App中购买三星推出的增值服务。
2019-12-17 16:40:363260 据韩国业界 27 日消息,三星电子重启存储器投资项目。据了解,目前新建的平泽存储器第二工厂和中国西安第二工厂已经开始进入半导体设备订购阶段。
2019-11-19 10:37:46577 根据韩国媒体报导,在当前存储器价格已经触底反弹,整体市场库水水位也进一步降低的情况之下,三星决定开始恢复针对存储器产业的投资。而根据知情人士的消息指出,三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备,也
2019-10-30 15:15:302646 由于 2019 年的存储器需求不如去年,韩国科技大厂三星(Samsung)预估第三季的利润不到 2018 年同期的一半。
2019-10-09 16:20:362897 三星电子有限公司(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开发了第三代 10nm 制程工艺(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。
2019-09-27 17:23:29936 虽然日本限制关键科技原料出口至韩国,对业界投下震撼弹,但三星电子(Samsung Electronics Co.)表明,目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算,还说日本出口限制令的冲击难以估算,只能尽量把伤害降到最低。
2019-08-03 11:55:383944 当前存储器市况仍不佳,加上日韩贸易冲突不确定性增加等因素,韩国科技大厂三星已经决定暂缓2019年下半年针对平泽市P2存储器生产线的投资。
2019-07-29 10:15:332541 三星1982年进入半导体存储器领域,1993年至今一直为该领域世界第一,本文旨在研究其发展历程和成功因素,从三星的危机意识、挑战精神和速度文化入手,分析三星如何在技术追赶期实现反超,如何在技术领先期保持领先,以此获得对我们工作的启示启发。
2019-03-04 14:02:166362 三星17日宣布,量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒,速率可达6,400Mbps,比现有LPDDR4-4266存储器快了50%,同时功耗降低30%,三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:444328 三星 17 日宣布,量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒,速率可达 6,400Mbps,比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%,同时功耗降低 30%,三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:002853 在当前NandFlash存储器仍旧供不应求,市场价格依旧居高不下的情况下,日前全球NandFlash存储器龙头企业的韩国三星,日前宣布将在本月底正式动工的中国西安NandFlash存储器厂的扩建计划,28日正式动工,预计将在2019年完工启用。
2018-07-03 11:10:00843 三星在半导体市场的地位举足轻重,尤其是存储器更是独霸一方,但是这也导致三星的业务对于存储器的依赖过于严重,而如今最火爆的AI方面,三星有些迟钝了,该如何追赶成为现在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373384 三星电子 30 日宣布,已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组(SoDIMM)规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造,可以用户享受丰富的电竞游戏之外,并具有更大的容量与更快的速度,而且佣有更低的耗能表现。
2018-06-11 11:49:00593 ,存储器内的信息仍然存在,主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要应用于代码存储介质中,而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109136 根据韩国媒体的报导,韩国存储器大厂三星已经确认,将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂,用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前,韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:114619 因2017年存储器领域遭遇大幅度的内存不足,飚价过高,三星等存储器巨头借此赚的钵满盆盈。今年中国厂商将进行大规模的扩产存储器,存储器价格将会有所松动,也就是说三星半导体龙头将不保。
2018-02-01 09:37:21760 三星手机存储器最新资料下载
2018-01-19 09:44:541 第六章为重用外设驱动代码,本文内容为6.2 SPI NOR Flash 存储器。
2017-12-21 07:59:0013504 受NAND Flash的挤压,NOR Flash的市场占有率非常的低,但后续缺口却一直没有补上,因此NOR Flash供需变得极度的紧张,缺货状况恐怕到明年上半年都不会缓解。中芯长电采购NOR Flash测试设备,能缓解存储器缺货现状?
2017-12-14 16:34:171167 的设计方案。 1引言 NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失。NOR FLASH 支持Execute On Chip,即程序可以直接在FLASH 片内执行。这点和NAND FLASH
2017-10-15 12:20:5422 程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。本文将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。 FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPRO
2017-10-13 16:34:3020432 高、低功耗、成本较低等特点。一般我们都认为Flash储存器具备固有不挥发性、易更新性,可靠性好的基本特性。 从 Flash储存器的基本特点可以看出,在单片机中,可以利用F1ash存储器固化程序,一般情况下通过編程器来究成F1ash存储器工作于这种情况,叫监控
2017-10-11 18:57:413625 FLASH存储器(也就是闪存)就 是非易失随机访问存储器(NVRAM),特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器,分为DRAM和SRAM两大类,其中常说的内存
2017-10-11 14:39:468131 之前外资曾警告,DRAM 荣景能否持续,取决于存储器龙头三星电子,要是三星扩产,好景恐怕无法持续。如今三星眼看 DRAM 利润诱人,传出决定扩产,新产线预计两年后完工。
2017-03-16 07:40:15546 自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步,三星在1983年开始筹备集成电路制造,也即DRAM的研发。三星电子在存储器方面的成功,有外在因素,如韩国政府的大力支持,以及美国对于日本半导体的反倾销策略等,显然三星电子内在因素起着决定性的作用。
2016-12-28 14:23:11278 ARM嵌入式应用程序架构设计实例精讲--ARM基础应用实验05Flash存储器
2016-07-08 11:08:190 报导,存储器三强三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后,三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:421291 串行NOR Flash是用串口进行连续数据存取的小尺寸、低功耗Flash存储器;相对于并行Flash,它用更少的引脚传送数据,这降低了系统空间、功耗、成本。它内部的地址空间是线性的,随
2010-11-17 17:37:4572 Flash 存储器的简介
在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统,该存储器系统可用作代码和数据
2010-11-11 18:25:094271 内建自测试是一种有效的测试存储器的方法。分析了NOR型flash存储器的故障模型和测试存储器的测试算法,在此基础上,设计了flash存储器的内建自测试控制器。控制器采用了一种23
2010-07-31 17:08:5435 NAND FLASH开始广泛应用于星载存储器,针对FLASH的数据高效管理成为该类存储器研究的重要组成部分。本文以商用文件系统YAFFS2为基础,结合空间应用的数据存储特点,引入文件系统的概
2010-07-17 18:06:2914 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,
2010-07-15 11:38:4179 三星半导体工厂跳电 三星:已将损失降到最低
据路透(Reuters)报导,全球最大存储器厂商三星电子(Samsung Electronics)惊传半导体厂房跳电消息,
2010-03-25 13:09:52590 NAND FLASH开始广泛应用于星载存储器,针对FLASH的数据高效管理成为该类存储器研究的重要组成部分。本文以商用文件系统YAFFS2为基础,结合空间应用的数据存储特点,引入文件系统的概
2010-02-24 14:41:2610 三星(Samsung)笔记本命名方式
· 三星(Samsung)
在我们的印象中,三星是一家业务十分广泛
2010-02-05 16:28:28439 三星(Samsung ) 手机PC套件PC Studio软件3.22_HF1版.zip
2010-01-20 15:29:420 三星(samsung) SGH-C288手机使用说明书(用户手册)三星(samsung)|三星(samsung)手机 |三星(samsung)手机说明书
2009-12-24 17:44:558 三星(samsung
2009-12-15 14:11:1415 三星否认欲购并英飞凌
全球最大存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)发言人James Chung表示,三星无意购并英飞凌(Infineon),市场上流传的购并传闻并不属实;此外,英
2009-11-26 09:15:34265 TCL AT29211A三星纯存储器数据
2009-06-12 11:28:5634 TCL AT29128三星存储器数据
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT25286深圳三星纯(25英寸)存储器数据
2009-06-12 11:21:2213 较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux 平台下的Flash 存储技术,并给出基于三星S3C4510 系统下Flash 存储器的具体设计实例。
2009-05-15 15:47:2410 三星手机d808驱动程序,下载
Samsung三星 手机USB驱动1.0版For Win98SE/ME/2000/XP/2003/Vista2008-06-186.85MB05415406
2009-04-30 12:45:43107 英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售。我们可以针对不同的客户领域提供性价比不同的存储芯片选配方案
2007-11-02 14:35:13369 英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售。我们可以针对不同的客户领域提供性价比不同的存储芯片选配方案
2007-11-02 14:34:31835 英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售。我们可以针对不同的客户领域提供性价比不同的存储芯片选配方案
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2007-11-02 14:29:05370 SAMSUNG(三星)单片机原理及应用
2006-03-23 21:21:54260
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