三星(Samsung)高速静态随机存储器 SRAM

英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从
事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售。我们可以针对不同的
客户领域提供性价比不同的存储芯片选配方案。公司以诚实守信为公司
立身之本，追求供需双赢!
公司主要的产品有：
低功耗静态随机存储器 (Low Power SRAM);
高速静态随机存储器   (High Speed SRAM);
虚拟静态随机存储器   (Phesduo SRAM);
程序存储器           (NOR FLASH).
-----------------------------
Julia
Ramsun International Limited.
M/P:13651676808
Msn:sramsun@hotmail.com
Q Q:552489939

二,NtRAM
VDD(V)......:2.5~3.3
Speed(MHz)..:113~250
Package.....:100TQFP,165FBGA
---------------------------------------------
Density       P/N                   Org.
---------------------------------------------
4M bit     K7N401809B    256Kx18
                K7N401801B    256Kx18
                K7N403609B    128Kx36



三,QDR I/II SRAM

VDD(V)...........:1.8~2.5
Speed(MHz)..:167~300
Package........:165FBGA
---------------------------------------------
Density       P/N                   Org.
---------------------------------------------
18M bit    K7R160982B    2Mx9
                K7R161884B    1Mx18
                K7R161882B    1Mx18
                K7Q161864B    1Mx18
                K7Q161862B    1Mx18
                K7R163684B    512Kx36
                K7R163682B    512Kx36
                K7Q163664B    512Kx36
                K7Q163662B    512Kx36
                K7Q161854A    1Mx18
                K7Q161852A    1Mx18
                K7Q163682A    512Kx36
                K7Q163652A    512Kx36
---------------------------------------------
36M bit    K7R320982M    4Mx9
                K7R321882M    2Mx18
                K7R321884M    2Mx18
                K7R323682M    1Mx36
                K7R323684M    1Mx36
---------------------------------------------
72M bit    K7R640982M    8Mx9
                K7R641882M    4Mx18
                K7R641884M    4Mx18
                K7R643682M    2Mx36
                K7R643684M    2Mx36
---------------------------------------------
四,DDR II SRAM

VDD(V)...........:1.8
Speed(MHz)..:167~300
Package........:165FBGA
---------------------------------------------
Density       P/N                   Org.
---------------------------------------------
18M bit K7I161884B    1Mx18
                K7I161882B    1Mx18
                K7J161882B    1Mx18
                K7I163684B    512Kx36
                K7I163682B    512Kx36
---------------------------------------------
36M bit K7I321884M    2Mx18
                K7I321882M    2Mx18
                K7J321882M    2Mx18
                K7I323684M    1Mx36
                K7I323682M    1Mx36
                K7J323682M    1Mx36
---------------------------------------------
72M bit K7I641884M    4Mx18
                K7I641882M    4Mx18
                K7J641882M    4Mx18
---------------------------------------------
                K7I643684M    2Mx36
                K7I643682M    2Mx36
                K7J643682M    2Mx36
-------------------------------------------
五,Ultra Speed Syns SRAM

VDD(V)...........:1.8~3.3
Speed(MHz)..:167~400
Package........:119FBGA,153FBGA
---------------------------------------------
Density       P/N                   Org.
---------------------------------------------
4M bit     K7P401822B    256Kx36
                K7P401823B    256Kx36
                K7P403622B    128Kx36
---------------------------------------------
8M bit     K7P801866B    512Kx18
                K7P803611B    256Kx36
---------------------------------------------
16M bit   K7P161866A    1Mx18
                K7P163666A    512Kx36
---------------------------------------------
32M bit   K7P321874C    2Mx18
                K7P323674C    1Mx36
                K7P321888M    2Mx18
                K7P323688M    1Mx36
                K7P321866M    2Mx18
                K7P323666M    1Mx36
---------------------------------------------
8M bit     K7D801871B    512Kx18
                K7D803671B    256Kx36
---------------------------------------------
16M bit   K7D161874B    1Mx18
                K7D163674B    512Kx36
---------------------------------------------
32M bit   K7D321874C    2Mx18
                K7D323674C    1Mx36
                K7D321874A    2Mx18
                K7D323674A    1Mx36

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半导体存储器简介

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一文了解新型存储器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器

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如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器呢

SRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。

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介绍一下关于静态存储SRAM芯片的设计

SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。

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静态随机存储器SRAM存储数据的原理是什么

RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。

2022-11-17 14:40:54

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静态随机存储器VDSR8M32xS64xx2V12用户手册

VDSR8M32XS64XX2V12是一种高速、高度集成的静态随机存取存储器，包含8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。每个银行都有16位接口，并通过特定的#CS。它特别适用于高可靠性、高性能和高密度系统应用程序，如固态质量记录器、服务器或工作站。

2022-06-08 11:55:59

静态随机存储器VDSR8M16xS54xx2V12用户手册

VDSR8M16XS54XX2V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256K×的独立区块16位宽数据接口。

2022-06-08 11:53:18

如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器

一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，...

2022-02-07 12:29:53

SRAM随机存储器的特点及结构

随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器(SRAM)由于其...

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使用SRAM如何节省芯片面积

SRAM存储器是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的静态随机存储器。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则就会出现内部数据...

2022-01-26 19:45:06

SRAM的容量扩展

SRAM即静态随机存取存储器，所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以一直保持，但是掉电之后就会丢失。与DRAM（动...

2022-01-25 20:07:57

MCU的存储器介绍

SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：静态随机存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random

2021-10-28 09:51:20

低功耗SRAM存储器的简单描述及特征介绍

低功耗SRAM存储器应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品，是静态随机访问存储器的一种类别，静态随机访问存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺

2021-06-08 16:49:32

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关于存储器的分类与介绍

随机存储存储器，可读可写，分为SRAM和DRAM，即静态随机存储器和动态随机存储器，理解上静动态主要体现是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否则数据将丢失;SRAM的效率较好，而成本较高，通常将SRAM作为cache使用。

2021-03-18 15:14:06

3370

Gowin块状静态随机存储器的用户指南

可以通过IP Core Generator 读入初始化文件设置。B-SRAM 的写操作和读操作均同步于时钟，B-SRAM 的输入端和输出端都有寄存器，输入端寄存器支持写入数据和控制信号同步于输入

2020-12-10 15:27:00

Gowin块状静态随机存储器的用户手册

高云半导体FPGA 产品提供了丰富的块状静态随机存储器资源，简称块状静态存储器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件内部以行的形式分布，每个B-SRAM 占用3 个CFU 的位置，B-SRAM

2020-12-09 15:31:13

SRAM是什么存储器，它的作用又是什么

静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的静态数据，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储

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12436

对于静态随机存储器SRAM，它将面临的两大问题挑战

SRAM是可在任何CMOS工艺中免费获得的存储器。自CMOS诞生以来，SRAM一直是任何新CMOS工艺的开发和生产制造的技术驱动力。利用最新的所谓的深度学习领域专用域结构（DSA），每个芯片上

2020-07-30 16:32:30

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只读存储器和随机存储器的区别

只读存储器和随机存储器区别：作用不同、特点不同

2020-07-27 15:09:43

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静态随机存取存储器简介及应用

SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据

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sram是靠什么存储信息

磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码.由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器,就用来存放程序和数据了. 按其功能可分为:随机存取存储器(简称ram)和只读存储器(只读ROM) RAM包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取

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SRAM随机存储器的特点及结构

关于SRAM随机存储器的特点及结构。 SRAM随机存储器的特点随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。随机存储器依照数据存储方式的不同，主要可以分为动态随机存储器（DRAM）与静态随机存储器

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SRAM存储器主板基本设计

SRAM存储芯片即是静态随机存取存储器。它具有静止存取功能的存储器芯片，它不需要刷新电路便能保存它内部存储的所有数据。 SRAM存储芯片主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。例如很多8

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三星推出eUFS 3.1存储器，传输速度极快

3月18日，据韩国媒体报道，三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器，该存储器能够在4秒内存储5GB内容，相当于一部蓝光电影。

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浅谈异步SRAM存储器接口电路图

关键词：异步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的缩写，中文称为静态随机存储器。SRAM是一种具有静止存取功能的存储器，不需要通过刷新电路就能保存

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三星预估第三季利润不到2018年同期的一半存储器需求不如去年

由于 2019 年的存储器需求不如去年，韩国科技大厂三星（Samsung）预估第三季的利润不到 2018 年同期的一半。

2019-10-09 16:20:36

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三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

三星电子有限公司（Samsung Electronics）在其官网上发布消息，该公司正式宣布，首次开发了第三代 10nm 制程工艺（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。

2019-09-27 17:23:29

936

使用DSP进行静态随机存取存储器SRAM的读写实验报告书免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是使用DSP进行静态随机存取存储器SRAM的读写实验报告书免费下载。

2019-08-02 17:39:28

sram是什么意思

静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地

2019-04-01 16:17:42

30558

半导体存储器分类

随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。

2019-01-07 16:46:49

14197

三星完成8GB LPDDR5存储器测试即将量产

三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。

2018-07-20 10:39:44

4328

三星宣布，将量产LPDDR5存储器颗粒，速度将比LPDDR4存储器快50%

三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB

2018-07-18 17:56:00

2853

关于存储技术涉及的专业名词介绍及各存储器的区别

整理的目前所有的存储器的区别。 SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。

2018-07-10 08:02:00

1737

简谈SDR、DDR、QDR存储器的比较

RAM， 静态随机存储器， 静态随机存储器，不需要刷新电路，数据不会丢失 SDRAM: Synchronous DRAM，同步状态随机存储器，数据的读写需要时钟来同步下面来做

2018-05-30 13:53:06

10208

中国计划增产存储器三星优势将被削弱

因2017年存储器领域遭遇大幅度的内存不足，飚价过高，三星等存储器巨头借此赚的钵满盆盈。今年中国厂商将进行大规模的扩产存储器，存储器价格将会有所松动，也就是说三星半导体龙头将不保。

2018-02-01 09:37:21

760

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新电路

2018-01-26 01:26:56

542

三星手机存储器最新资料下载

三星手机存储器最新资料下载

2018-01-19 09:44:54

基于SRAM芯片立体封装大容量的应用解析

静态随机存储器（static RAM），简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM（静态随机访问存储器）、FLASH（闪速存储器）、DRAM（动态存储器）等。其中不同的存储器有不同的特性

2017-11-16 10:19:55

四种存储器的优缺点及应用

使用的程序。按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。 ROM(Read-Only Memory)只读存储器，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

2017-11-15 13:44:01

10582