FinFET发明人胡正明 获颁“潘文渊奖”

“潘文渊奖”今年迈入第10届，今年得奖者为美国加州大学柏克莱分校讲座教授胡正明，他也曾是台积电前技术长，主办单位表示，胡研发的3D鳍式电晶体（FinFET），突破物理极限，使元件更小，能源使用效率提高，堪称半导体工业40多年来最大变革，也使得摩尔定律得以延续至今，他对半导体产业贡献卓着，今下午将获颁奖。

胡正明（左）今获“潘文渊奖?。（记者洪友芳摄）

第10届“潘文渊奖?颁奖典礼于今天下午在香格里拉台北远东国际饭店三楼宴会厅举行，典礼中并安排高峰论坛，主要由得奖人胡正明与清华大学讲座教授刘炯朗以“创新人才培育—迈向科技新世代”为主题，共同探讨***科技新生代人才培育的关键力量与未来的机会发展。

胡正明拥有荣誉事项与诸多头衔，获选过美国国家工程院院士、中研院院士、中国科学院外籍院士，也曾回***担任台积电首任技术长，也曾获得IEEE Jack Morton奖、IEEE Paul Rappaport奖、美国华裔工程师杰出终身成就奖、美国国家科学奖章、潘文渊基金会杰出研究奖等奖项，今年11月还获选为工研院新任院士，他拥有百余项专利，发表过900多篇论文。

胡正明11月1日回台接受工研院新任院士授证时，他虽有两岸三地的院士头衔，对***提出建言，他认为现在社会民众感到最急迫问题是经济成长与就业机会，“认清目标，学有所用”八个字是他的建言。他认为，只要能在本地创造附加价值与创造大量提供高薪工作机会就是好的产业。

胡正明并指出，***教育政策长期没有做到学有所用，他建议，科技部与教育部应针对现有产业每年需求人才进行调查，让产业有足够人才数带动成长；政府的责任不是要创造新产业，就他花几十年时间观察，没有一个国家是这样做的。