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电子发烧友网>电源/新能源>集成650V E-GaN开关电源芯片U8722X介绍

集成650V E-GaN开关电源芯片U8722X介绍

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2022-08-01 10:11:29538

使用GaN设计PFC整流器

650V GaN FET 较低的寄生电容降低了开关损耗。此外,与 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸内具有更低的导通电阻 (R on ),并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048

采用 CCPAK1212封装的 650V,33mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN039-650NBA

采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212

采用 CCPAK1212i 封装的 650V,33mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN039-650NTBA

采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323

采用 CCPAK1212i 封装的 650V,33mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN039-650NTB

采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450

采用 CCPAK1212封装的 650V,33mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN039-650NBB

采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020

采用 TO-247 封装的 650V,35 mΩ 氮化镓(GaN) FET-GAN041-650WSB

采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495

650V,50mOhm 氮化镓(GaN) FET-GAN063-650WSA

650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245

开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管

开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封装和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封
2023-05-26 03:05:02358

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34692

AMEYA360:罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273

浅析24W开关电源芯片U6773D内置5A 650V MOS

开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS,支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用,仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:01612

DIP7芯朋微PN8034非隔离开关电源芯片12V300MA

PN8034内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源
2023-07-21 15:55:072354

INN650DA260A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51686

INN650D150A增强功率晶体管GaN

650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17968

常用8脚开关电源芯片有哪些

。8脚开关电源芯片是一种常见的开关电源控制芯片,它通常有8根脚,包括输入电压脚、输出电压脚、反馈脚、校正脚、输出使能脚、过流脚、短路保护脚和过热保护脚。接下来,我们将详细介绍一些常用的8脚开关电源芯片。 1. LM2575 LM2575 是
2023-08-18 11:14:2812662

开关电源芯片的comp作用

,它扮演着重要的角色。本文将详细介绍开关电源芯片中COMP引脚的作用,并探讨其详细功能及其应用。 一、开关电源芯片简介 开关电源芯片可以理解为一种集成了多种电源管理电路的半导体器件,主要由PWM控制器、电源开关管、电感、二极管、电容等组成。它可以将输入的直
2023-08-18 11:39:118094

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

PD 30W快速充电器芯片U8722概述和主要特点

使用频率的大幅度提升给智能手机的技术发展带来了更高的要求,智能快充市场也随之爆火。GaN给智能快充领域带来了不少新机会,同时也进入了多个新的应用场景。深圳银联宝科技新推出集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式PD 30W快速充电器芯片U8722,可以更好的提高充电效率!
2023-11-14 09:10:45430

650V高压低功耗非隔离电源芯片eNJ8665

650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030

DK065G东科集成650V/260mΩ GaN HEMT准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片

产品概述:DK065G是一款高度集成650V/260mΩGaNHEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK065G检测功率管漏极和源极之间的电压(VDS),当VDS达到其最低值时开启功率管
2023-12-16 12:04:28337

具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表

电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580

具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表

电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400

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