在PCB的EMC设计考虑中，首先涉及的便是层的设置； 单板的层数由电源、地的层数和信号层数组成；在产品的EMC设计中，除了元器件的选择和电路设计之外，良好的PCB设计也是一个非常重要的因素。
2018-04-15 06:43:00
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在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
ROHM擅长的低VF特性，还提高了抗浪涌电流性能IFSM，并改善了漏电流IR特性，采用SiC功率元器件的客户有望进一步增加。（未完待续）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊应用上的，但是实际上，它却是在我们身边的应用中对节能和小型化贡献巨大的功率元器件。SiC功率元器件关于SiC功率元器件，将分以下4部分进行讲解。何谓SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。最常见的就是电子产品使用过程中会遇到的电压瞬变和浪涌，从而导致电子产品的损坏，损坏的原因是电子产品中的半导体器件(包括二极管、晶体管、可控硅和集成电路等)被烧毁或击穿。本文阐述下关于抑制浪涌的那些解决办法~
2020-10-22 18:37:10
浪涌电流的抑制——NTC浪涌电流的抑制方法有很多，一般中小功率电源中采用电阻限流的办法抑制开机浪涌电流。我们分析一下如何使用NTC热敏电阻进行浪涌电流的抑制。NTC热敏电阻，即负温度系数热敏电阻，其
2014-03-20 09:37:32
10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。3．压敏电阻的作用
2019-06-28 04:20:26
本人用的是Altium Designer 09，今天用着设计一个电路的时候载入到PCB电路设计的时候元器件没有连接在一起，求大神指导一下，是不是我软件哪里设置不对呢？
2015-04-29 16:38:04
全球知名半导体制造商ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献
2019-04-12 05:03:38
实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
所拥有的特性和特征的应用事例。均分别包含基础内容。如果是几十瓦的电源，有内置功率元器件，可减少个別地选择MOSFET或工作确认。然而，在大功率电路中，切实地纯熟掌握分立元器件极为重要。后文将详细
2018-11-28 14:34:33
。所以，我们就需要分析一下防浪涌设计的一些问题和解决方案。二、主要问题：电路设计中主要存在以下两个问题：1、电路走线不合理： 随着Layout工程师水平的提高和对防浪涌的重视，走线不合理的情况越来越少
2019-05-23 11:17:33
确实无法在21世纪单芯片化。罗姆积极致力于走在22世纪前端的一体化封装电源的开发，敬请期待未来罗姆具有前瞻性的的产品阵容。 而在罗姆提出的四大发展战略中，其中之一便是“强化以SiC为核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
在几百万分之一秒时间内出现的剧烈脉冲，但是对外部电路会造成很大干扰尤其是电子线路，甚至会瞬间烧坏。在多个继电器同时使用时，浪涌会加剧，会相互干扰。3. 继电器浪涌抑制功能作用继电器在电气回路中运行时
2016-12-03 21:09:19
常用的防浪涌电路有三种方案：一、利用传统的防雷元器件组合成防浪涌电路，例如TVS管（瞬态抑制二极管），气体放电管，PTC（热敏电阻）等。这些防雷元器件的价格都很低。二、光耦合电路。(光隔离器件，价格
2019-04-08 07:30:00
大小电容和串联电感。对于商用设备，一般通过含有浪涌阻绝装置的产品吸收突发的尖峰能量，保护连接设备免受浪涌损害。 在电路设计中，一般遵循“多级防护、逐级削减”的原则，组合使用多种保护元器件方案，实现系统级
2023-03-30 14:42:53
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
关断时（切断电流）产生较大的浪涌，当浪涌超过元器件的额定值时，甚至可能会致使产品损坏。要有效降低布线电感值，需要靠近电路图的红色椭圆圈出来的线路中的元件引脚连接电容器。缓冲用电容器示例缓冲用电容器不仅电气
2018-11-27 16:39:33
浪涌电压会严重危害电子系统的安全工作。在电子线路中通常采用浪涌保护抑制器件来对电路进行保护，介绍几种浪涌抑制保护器件：气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS。这几种浪涌
2020-11-20 16:54:46
，这一限流电阻的限流作用已完成，仅起到消耗功率、发热的负作用，因此，在功率较大的开关电源中，采用上电后经一定延时后用一机械触点或电子触点将限流电阻短路，如图5所示。这种限制上电浪涌电流方式性能好，但电路
2018-10-08 15:45:13
，迅速导通，从而把巨大的浪涌电压能力旁路掉，保障电路的电压在正常范围之内。目前，电路中比较常用的浪涌保护元器件有：TVS瞬态抑制二极管、压敏电阻MOV、陶瓷气体放电管GDT。不同的浪涌保护元器件，其工作
2019-08-27 14:33:23
压敏电阻、气体放电管、TVS瞬态抑制二极管是电路保护中常用的浪涌抑制元件，本文主要介绍着几种元件的工作原理及特性。压敏电阻工作原理：压敏电阻的电压与电流呈特殊的非线性关系。当压敏电阻两端锁甲的电压
2018-01-30 15:23:10
部分及其评估而进行调整，是以非常高的速度进行高电压和大电流切换的关键。尤其在电路设计的初步评估阶段，使用评估板等工具可使开发工作顺利进行。关键要点:・使用专用栅极驱动器和缓冲模块，可显著抑制浪涌和振铃。・在损耗方面，Eon增加，Eoff減少。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少。
2018-11-27 16:36:43
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
开关电源中浪涌电压吸收元器件
开关 电源 通常具有较宽的输入电压，对输入电压的容差范围较大，同时根据浪涌尖峰电压峰值高，持续时间短的特点，通常采用能量吸收型方案对浪涌尖峰电压进行滤除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
晶振具有的等效电气特性晶振电路设计方案，电路中各元器件的作用是什么？消除晶振不稳定和起振问题有什么具体的建议和措施吗？
2021-04-13 06:19:09
半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。SiC功率元器件在节能和小型化方面功效卓著，其产品已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性
2017-07-22 14:12:43
1、浪涌电压的产生和抑制原理 在电子系统和网络线路上，经常会受到外界瞬时过电压干扰，这些干扰源主要包括：由于通断感性负载或启停大功率负载，线路故障等产生的操作过电压；由于雷电等自然现象引起的雷电浪涌
2018-10-10 15:27:02
的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同，小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定，通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
`瞬态抑制二极管是应用非常普遍的一种过电压保护元器件，我们对其选型做个小结如下：瞬态抑制二极管选型要点：1）TVS管的反向击穿电压要高于电路的正常工作电压，并留有一定的裕量。2）根据不同的应用接口
2017-08-23 17:02:01
在电子线路中通常采用浪涌抑制器件来对电路进行保护，常见的几种浪涌抑制器件有：气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS和半导体放电管TSS。浪拓电子作为专业的浪涌防护厂商，为
2019-07-22 12:17:19
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
电源技术中的热敏电阻抑制浪涌电流设计
2021-06-08 06:14:57
在电子线路中通常采用浪涌保护抑制器件来对电路进行保护，常见的几种浪涌抑制保护器件有：气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS。浪拓电子作为专业的浪涌防护厂商，为大家总结了这几
2019-07-01 13:38:08
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造高温、大功率电子器件
2017-06-16 10:37:22
前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在"将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争更低功耗"的指导
2019-07-08 06:09:02
电压、电流供应电力的电源是不可或缺的。在这种“按所需方式供应电力”的范围中，半导体也发扬着重要的作用，从“处置电力(功率)”的含义动身，其中心半导体部件被称为功率元器件或功率半导体。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的电子元器件怎么理解？大功率的电子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
如何抑制LED灯具浪涌电流？
2021-03-16 14:50:00
静电保护二极管、压敏电阻；开关型包括：陶瓷气体放电管、半导体放电管。接下来，专业高品质保护器件厂家东沃电子重点介绍电路保护中常用的过压浪涌抑制保护元器件。TVS瞬态抑制二极管TVS（Transient
2019-11-07 15:35:14
`电路保护主要是保护电子电路中的元器件在受到过压、过流、浪涌、电磁干扰等情况下不受损坏。通常保护器件有压敏电阻MOV、气体放电管GDT、半导体放电管TSS、瞬态抑制二极管TVS等。保护器件可以分为开关型和箝位型两大类。附图：`
2017-06-01 15:35:13
电子元器件的防浪涌应用 电浪涌引起的电过应力（EOS）损伤或烧毁是电子元器件在使用过程中最常见的失效模式之一。 电浪涌是一种随机的短时间
2009-08-27 18:53:08
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电灯浪涌电流抑制器电路
2009-01-21 01:32:072884 
电灯浪涌电流抑制电路
2009-02-06 10:12:041030 
气体放电管在浪涌抑制电路的应用
摘要：阐述了浪涌电压产生的机理，介绍了气体放电管的工作原理、特性参数和
2009-07-09 10:38:263015 
固体放电管在浪涌抑制电路的应用
固体放电管是基于晶闸管原理和结构的一种两端负阻器件。可以吸收突波,抑制过高电压,达到保护易损组件的目的
2009-10-17 08:46:231611 随着降低环境负荷的要求日益提高，功率元器件市场在不断增长。而且，为了进一步减少电力损失，以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前，记者就蓬勃发展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361024 功率驱动器件与MCU_DSC的接口电路设计技巧
2017-01-14 12:15:5010 （B=1/f），如果是低通滤波器，由于其原理是允许低于截止频率的信号通过，而高于截止频率信号不能通过，所以对于浪涌脉冲的抑制作用有限，故而在电路设计中一般采用专门的浪涌保护器件。 浪涌保护器件都有一个共同特点，即，在正常
2017-09-24 10:38:258 本文带来开关电源浪涌抑制电路、三个防开机浪涌电流电路和电灯浪涌电流抑制电路图五个防浪涌电路图分享。
2018-01-11 11:40:0660969 
雷击浪涌抑制电路设计基本功
2018-02-02 11:45:0014514 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
本文首先介绍了浪涌抑制器是什么，然后解释了浪涌抑制器的作用，最后从分四类的角度对四种浪涌抑制器的工作原理进行了解释
2019-08-01 16:01:2117797 该应用方案提供了一种用于驱动各种sic mosfet功率模块的通用基板的电路设计。
2019-09-11 10:31:5440 在电子线路中通常采用浪涌抑制器件来对电路进行保护，常见的几种浪涌抑制器件有：气体放电管GDT、金属氧化物压敏电阻MOV、瞬态抑制二极管TVS和半导体放电管TSS。浪拓电子作为专业的浪涌防护厂商，为大家总结了这几种常见浪涌抑制器件的优劣势对比，方便大家选择合适浪涌抑制保护器件：
2019-10-03 09:33:008846 
在电路设计中经常会对电路元器件做相关的保护，这里所说的是关于浪涌保护相关的电路部分，包括元器件选择和电路设计部分。刚开始接触这一部分有不足大家可以批评指正。
2022-05-30 09:51:087996 
了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
2022-06-15 16:00:341368 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 压敏电阻、气体放电管、TVS管（瞬间抑制二极管）三种器件都限压型的浪涌保护器件，都被用来在电路中用作浪涌保护，那么他们有什么之间有什么差异呢？
2023-02-01 10:29:161729 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:15696 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17707 
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30346 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
)，基本上没有问题。然而，直通电流毕竟是降低系统整体效率的直接因素，肯定不是希望出现的状态，因此就有必要增加用来来抑制浪涌电压的电路，以更大程度地确保浪涌电压不超过SiC MOSFET的VGS(th)。
2023-02-28 11:38:21141 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路
2023-04-13 12:20:02814 器，肖特基二极管，英文名为Schottky。我们首先来看看它们的概率。 TVS瞬态抑制二极管—— 它是一种二极管形式的过压保护型电子元器件。其作用为限压。当瞬态抑制二极管的两极受到反向瞬态高能冲击时，它能迅速响应，吸收浪涌电流，使
2023-05-05 10:50:171087 
防浪涌过压保护器件之一——TVS瞬态电压抑制器有很多种类，如汽车电子浪涌抑制器ASS、蓝宝宝浪涌抑制器BPSS、工业级TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护器件等等。对于从事汽车电子行业的工程师来说
2022-09-09 17:25:05528 
影响连接到同一电网的其他设备的运行。浪涌会触发或损坏元器件，如断路器、保险丝、电容或桥式整流器。为了保证电气装置的安全性和功率转换器的可靠性，必要限制此浪涌电流。ST
2023-01-13 10:35:451101 
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署
2023-06-20 16:14:54139 SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业 ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco
2023-06-21 08:10:02287 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581145 
如何消除或抑制浪涌电流 随着电子设备的广泛应用，如今在电路中经常出现电流的快速变化所产生的浪涌现象，浪涌电流是会对电路造成极大伤害的，而且很难被检测到。因此，我们需要采取一些措施来消除或抑制浪涌
2023-09-02 10:20:591379 抑制浪涌电流的措施有哪些？ 在电路工程中，由于电流的急剧变化，会引起一个短时间内电压突然增加的现象，这就是浪涌电流。这种电流会对电路设备和设施产生损害，因此需要采取措施来抑制浪涌电流。接下来，我们
2023-09-04 17:39:401722 抑制浪涌电流是什么意思？ 抑制浪涌电流是指在电路中采取一定的电路设计或安装相应的保护电路来防止电路中突然出现的浪涌电流损坏电器设备或电子元器件的现象。 浪涌电流是一种异常的电流，出现在电路中，其幅度
2023-09-04 17:39:42470 今天给大家分享的是： 如何抑制电源转换器中浪涌电压？ 一、什么是浪涌电流？ 浪涌电流 是 电路打开吸收的最大电流，出现在输入波形的几个周期内。 浪涌电流的值远高于电路的稳态电流，高电流可能会损坏设备
2024-01-09 08:36:061126 
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43107 
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