本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体管的分析，描述了这些技术的现状，重点阐述了各技术平台的首选功率变换拓扑及关键特性。
2025-05-15 15:28:57
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在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:262551 PADS 如何快速定位元器件库中的元器件 Logic软件在库管理器中提供了元器件搜索功能，以便用户更快找到所需要的元器件。 执行菜单命令文件-库，打开库管理器，在如图1所示中的搜索栏中输入“*元件首字母”来进行搜索，其中“*”不能删除，输入元件名称越精准，元器件定位出的范围越小。
2023-03-14 10:35:025803 只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上，因此不会立即流过过大的直通电流。所以即使流过了直通电流，也具有足够的冷却能力，只要不超过MOSFET的Tj(max)，基本上没有问题。
2024-01-25 12:40:57967 
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-03-14 06:20:14
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基础篇前言前言何谓SiC（碳化硅）？何谓碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
随着现代技术的发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高
2019-08-12 06:59:10
ROHM擅长的低VF特性，还提高了抗浪涌电流性能IFSM，并改善了漏电流IR特性，采用SiC功率元器件的客户有望进一步增加。（未完待续）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊应用上的，但是实际上，它却是在我们身边的应用中对节能和小型化贡献巨大的功率元器件。SiC功率元器件关于SiC功率元器件，将分以下4部分进行讲解。何谓SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
线通信终端，终端噪音使得它自身的通信性能劣化，会发生系统内的EMC问题（即自中毒问题），为了使LTE的性能发挥极致，必须解决掉这一问题。本文中我们将通过噪声对策的事例，介绍对LTE通信规范产生影响的噪音对策以及必要的EMC对策元器件的选择方法。
2019-05-31 06:10:32
的磁珠.5.共模电感的介绍，针对新型高速差分接口USB3.0,HDMI1.3等等，介绍新型的共模电感来滤除共模噪音。 EMC对策的容感器件选择方法[此贴子已经被admin于2010-12-5 10:06:18编辑过]
2010-08-31 20:26:16
的噪声对策。噪声的产生也和PCB板布局、元器件配置、元器件性能等有关系。在某些情况下，可能需要将LC滤波器由简单的L型升级为π型或T型，或在电路板上设置屏蔽等。此外，某些设备规格还必须符合噪声标准（比如
2018-11-30 11:39:37
额定击穿电压器件中的半导体材料方面胜过Si.Si在600V和1200V额定功率的SiC肖特基二极管已经上市，被公认为是提高功率转换器效率的最佳解决方案。 SiC的设计障碍是低水平寄生效应，如果内部和外部
2022-08-12 09:42:07
HEV/EV 用电子元器件的设计对策 议程1. HEV/EV Category and Passive Component混合/纯电动车种类和被动电子元器件2. DC/DC Converter-
2009-11-26 11:45:54
全球知名半导体制造商ROHM在慕尼黑上海电子展上展出了ROHM所擅长的模拟电源、以业界领先的SiC（碳化硅）元器件为首的功率元器件、种类繁多的汽车电子产品、以及能够为IoT（物联网）的发展做出贡献
2019-04-12 05:03:38
实现了具有硅半导体无法得到的突破性特性的碳化硅半导体（SiC半导体）的量产。另外，在传统的硅半导体功率元器件领域，实现了从分立式半导体到IC全覆盖的融合了ROHM综合实力的复合型产品群。下面介绍这些产品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官网特设网页中，介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况，同时，还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持
2023-03-02 14:24:46
所拥有的特性和特征的应用事例。均分别包含基础内容。如果是几十瓦的电源，有内置功率元器件，可减少个別地选择MOSFET或工作确认。然而，在大功率电路中，切实地纯熟掌握分立元器件极为重要。后文将详细
2018-11-28 14:34:33
确实无法在21世纪单芯片化。罗姆积极致力于走在22世纪前端的一体化封装电源的开发，敬请期待未来罗姆具有前瞻性的的产品阵容。 而在罗姆提出的四大发展战略中，其中之一便是“强化以SiC为核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
的时间往往很短，但剧烈的脉冲产生的能量往往会对系统产生极大的冲击。针对HDMI接口，高浪涌形成的原因有很多，但最主要的因素来自于较长的HDMI线缆，以及闪电。这些因素产生的能量一般会比静电产生的要
2022-11-09 07:07:05
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
的原因，反向电流小，因此噪声小， 可减少噪声/浪涌对策元器件，实现小型化 3.高频工作，可实现电感等外围元器件的小型化以下是具体案例和示意图。由于其温度稳定性非常优异等优势，还支持车载级
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
了约22%。橙色部分表示开关损耗，降低的损耗大部分是开关损耗。在30kHz条件下，首先是IGBT的开关损耗大幅增加。众所周知，这是IGBT高速开关所面对的课题。全SiC功率模块的开关损耗虽然也有
2018-11-27 16:37:30
关断时（切断电流）产生较大的浪涌，当浪涌超过元器件的额定值时，甚至可能会致使产品损坏。要有效降低布线电感值，需要靠近电路图的红色椭圆圈出来的线路中的元件引脚连接电容器。缓冲用电容器示例缓冲用电容器不仅电气
2018-11-27 16:39:33
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V为驱动器的电源。电路中增加了CGS和米勒钳位MOSFET，使包括栅极电阻在内均可调整。将该栅极驱动器与全SiC功率模块的栅极和源极连接，来确认栅极电压的升高情况
2018-11-27 16:41:26
对LTE通信规范产生影响的噪音对策以及必要的EMC对策元器件的选择方法。
2021-04-19 08:07:50
冲击，具有极低的结电容，应用于保护电子设备和人身免遭瞬态高电压的危害，是防雷保护设备中应用最广泛的开关元器件。东沃供应的GDT浪涌电流可达20KA、40KA、50KA、60KA、100KA、150KA
2019-08-27 14:33:23
的开关电源电路相同。另外，SiC-SBD不产生短脉冲反向恢复现象，因此PWM控制无需担心短脉冲时的异常浪涌电压。不仅有助于提高逆变器和电源的效率，还可实现小型化，这是全SiC功率模块的巨大优势。由
2018-12-04 10:14:32
开关电源中浪涌电压吸收元器件
开关 电源 通常具有较宽的输入电压，对输入电压的容差范围较大，同时根据浪涌尖峰电压峰值高，持续时间短的特点，通常采用能量吸收型方案对浪涌尖峰电压进行滤除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。SiC功率元器件在节能和小型化方面功效卓著，其产品已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性
2017-07-22 14:12:43
二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
。这就使得MOSFET在SiC功率电子器件中具有重要的意义。2000年研制了国内第一个SiCMOSFETt31。器件最大跨导为0.36mS/mm，沟道电子迁移率仅为14cm2/(V·s)。反型层迁移率低
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3这类宽禁带(WBG)半导体注4的功率元器件。WBG材料的最大特点如表1所示，其绝缘击穿电场强度较高。只要利用这个性质，就可提高与Si元件相同结构时的耐压性能。只要实现有耐压余量
2019-07-08 06:09:02
电压、电流供应电力的电源是不可或缺的。在这种“按所需方式供应电力”的范围中，半导体也发扬着重要的作用，从“处置电力(功率)”的含义动身，其中心半导体部件被称为功率元器件或功率半导体。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的电子元器件怎么理解？大功率的电子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
出现输入浪涌电流的原因是什么？限制开机浪涌电流有哪些对策？
2021-06-18 07:26:24
电子元器件的防浪涌应用 电浪涌引起的电过应力（EOS）损伤或烧毁是电子元器件在使用过程中最常见的失效模式之一。 电浪涌是一种随机的短时间
2009-08-27 18:53:08
68 SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432711 浪涌、浪涌电流和浪涌电压的概念解释，浪涌保护器是什么，基本元器件的组成，本文针对浪涌和浪涌保护器做出概述。
2011-11-02 13:46:332894 随着降低环境负荷的要求日益提高，功率元器件市场在不断增长。而且，为了进一步减少电力损失，以SiC等新一代材料取代现行Si的动向也日益活跃。日前，记者就蓬勃发展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361412 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:025379 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:009411 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1815771 
随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:502235 
SiC因其宽带隙技术脱颖而出。与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用，如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外，SiC还用于制造LED。
2019-08-30 09:08:264757 
中，我们将对相应的对策进行探讨。关于栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压，当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时，可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌，需要对此采取对策。 在本文中，我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极－源极电压产生的
2021-06-10 16:11:442954 的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。 电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调（HVAC）、重型机器人、物料搬运
2021-08-13 15:22:003063 在电路设计中经常会对电路元器件做相关的保护，这里所说的是关于浪涌保护相关的电路部分，包括元器件选择和电路设计部分。刚开始接触这一部分有不足大家可以批评指正。
2022-05-30 09:51:0810729 
了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。
2022-06-15 16:00:342401 碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。本章将讨论SiC功率器件面临的挑战和最新发展。第一部分重点
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:472665 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:211335 
在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的对策。本文先介绍浪涌抑制电路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:161830 
关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明，如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
根据市场分析机构 Yole 预测，在未来 5 年内，SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%，SiC 行业（从衬底到模块，包括器件）的增长率非常高。在Yole看来，到 2027 年，该行
2023-02-20 17:05:162145 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30926 
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
2023-02-22 09:16:271710 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，它的工作速度非常快，以至于开关时的电压和电流的变化已经无法
2023-02-28 11:36:501615 
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-04-06 09:11:461833 
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163129 本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:022133 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件，尽情参考。
2023-05-08 11:23:141571 SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署
2023-06-20 16:14:54581 范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:583239 
碳化硅（SiC）功率元器件是一种半导体器件，具有许多独特的特性，使其在高性能电力电子应用中具有优势。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的绝缘击穿场强大约是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:493693 
中产生选择性掺杂的主要方法。将其用于宽带隙器件处理时存在一些挑战。在本文中，我们将重点介绍其中的一些，同时总结它们在GaN功率器件中的一些潜在应用。01有几个因素决
2024-04-29 11:49:532875 
针对雷击浪涌，可采用的检测元器件多种多样，这些元器件在电子设备防雷保护中扮演着关键角色。以下是对几种主要元器件的介绍： 1. 气体放电管（GDT） 定义与特性 ： 气体放电管是一种用于防雷击的高性能
2024-10-06 16:31:001118 SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异的物理和化学特性，如高绝缘击穿场强度、宽禁带、高热导率等，在电力电子领域展现出巨大的潜力和广泛的应用前景。
2024-09-10 15:15:586012 汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术，其相较于传统的硅(Si)器件，特别是在高功率、高效率和高频率应用中的优势日益显现。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模块
2024-12-05 15:07:402037 
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