电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>SiC MOSFET为何替代不了IGBT?

SiC MOSFET为何替代不了IGBT?

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

入了解SiC MOSFET实现建议和解决方案示例

对于电网转换、电动汽车或家用电器等高功率应用,碳化硅 (SiC) MOSFET 与同等的硅 IGBT 相比具有许多优势,包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的导通电阻。但是,SiC MOSFET
2018-07-04 09:01:399072

SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响,并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点,推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:234738

SiC MOSFET栅极驱动电路的优化方案

在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFETIGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频(数百千赫兹)开关,但它们不能用于非常高的电压(>
2023-08-03 11:09:57740

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347

SiC MOSFETSiC SBD的优势

下面将对于SiC MOSFETSiC SBD两个系列,进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似,只是SiC MOSFET开关速度更快,对一些并联参数会更为敏感。
2021-09-06 11:06:233813

MOSFETIGBT的区别

我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。`
2018-08-27 20:50:45

MOSFETIGBT的本质区别

问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。
2021-06-16 09:21:55

SIC MOSFET

有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,以充分获得低导通电阻。也就是说,两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET体二极管特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

导通电阻方面的课题,如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异,但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异
2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件结构和特征

比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。  而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件
2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么优点

,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的可靠性

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外,包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异,如果有不明之处或希望
2018-11-30 11:30:41

SiC-MOSFET的应用实例

作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET),组成相同尺寸的移相DCDC转换器,就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET DC-DC电源

`请问:图片中的红色白色蓝色模块是什么东西?芯片屏蔽罩吗?为什么加这个东西?抗干扰或散热吗?这是个SiC MOSFET DC-DC电源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45

SiC MOSFET FIT率和栅极氧化物可靠性的关系

SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是,在某些工业应用给定的工作条件下,保证最大故障率低于1 FIT,这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外,可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49

SiC MOSFET SCT3030KL解决方案

IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19

SiC MOSFET的器件演变与技术优势

(MPS)结构,该结构保持最佳场分布,但通过结合真正的少数载流子注入也可以增强浪涌能力。如今,SiC二极管非常可靠,它们已经证明了比硅功率二极管更有利的FIT率。  MOSFET替代品  2008年推出
2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET:经济高效且可靠的高功率解决方案

家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅(SiCMOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52

SiC功率模块的栅极驱动其1

通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17

SiC功率模块的特征与电路构成

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09

为何使用 SiC MOSFET

要充分认识 SiC MOSFET 的功能,一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍,具有更高的电流密度,能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36

Si-MOSFETIGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26

【技术】MOSFETIGBT区别?

本质区别的,人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。
2017-04-15 15:48:51

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】SiC MOSFET元器件性能研究

项目名称:SiC MOSFET元器件性能研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】基于SIC-MOSFET评估板的开环控制同步BUCK转换器

是48*0.35 = 16.8V,负载我们设为0.9Ω的阻值,通过下图来看实际的输入和输出情况:图4 输入和输出通过电子负载示数,输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器

项目名称:基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划:申请理由本人在电力电子领域(数字电源)有五年多的开发经验,熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】特种电源开发

项目名称:特种电源开发试用计划:在I项目开发中,有一个关键电源,需要在有限空间,实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和导通电阻都有严格要求。随着SIC产品的技术成熟度越来越高,计划把IGBT开关器件换成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09

【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】电池充放电检测设备

SiC模块,对比相同充放电功率情况下SiCMOSFET或者IGBT的温升。预计成果:在性能满足要求,价格可接受范围内,后续适用到产品中
2020-04-24 18:09:35

一文解读mosfetigbt的区别

的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语:MOSFE和IGBT是没有本质区别的,人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。
2019-03-06 06:30:00

SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数

和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07

SiC功率模块介绍

SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。关于这一点,根据这之前介绍过的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特点与性能,可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04

SiC功率模块的开关损耗

SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET,使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值,对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30

内置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的车载充电器案例中 开关损耗降低67%

内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT:RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管(SiC
2022-07-27 10:27:04

同时具备MOSFETIGBT优势的HybridMOS

本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFETIGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFETIGBT优异特性的Hybrid MOS GN
2018-11-28 14:25:36

如何使用电流源极驱动器BM60059FV-C驱动SiC MOSFETIGBT

极驱动器的优势和期望,开发了一种测试板,其中测试了分立式IGBTSiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现,见图3。      图3.带电压源驱动器(顶部)和电流源驱动器(底部)的半桥
2023-02-21 16:36:47

如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFETIGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31

开关损耗更低,频率更高,应用设备体积更小的全SiC功率模块

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32

搭载SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块

1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFETSiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18

汽车类双通道SiC MOSFET栅极驱动器包括BOM及层图

描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFETSiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41

浅析SiC-MOSFET

SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05

测量SiC MOSFET栅-源电压时的注意事项

MOSFETIGBT等各种功率元器件,尽情参考。测量SiC MOSFET栅-源电压:一般测量方法电源单元等产品中使用的功率开关器件大多都配有用来冷却的散热器,在测量器件引脚间的电压时,通常是无法将电压
2022-09-20 08:00:00

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

MOSFET几乎立即完全导通,而相比之下,IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC MOSFET表明,SiC
2023-02-22 16:34:53

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驱动碳化硅场效应管?

应用,处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料,可以用来构建类似MOSFET的组件,使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多关注,不仅因为它
2023-02-24 15:03:59

罗姆成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电
2019-03-18 23:16:12

设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化

绝大多数情况下都取决于IC的规格,因此虽然不是没有方法,但选用专为SiC-MOSFET用而优化的电源IC应该是上策。具体一点来讲,在规格方面,一般的IGBT或Si-MOSFET的驱动电压为VGS
2018-11-27 16:54:24

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50

驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?

请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38

东芝光耦 IGBT/MOSFET

东芝光耦 IGBT/MOSFET,List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011091

SiC-MOSFETIGBT的区别进行介绍

MOSFET器件的同时,没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFETIGBT有许多不同,但它们到底有什么区别呢?本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07:0436486

SiC IGBT在电力电子变压器的发展

SiC SBD和 MOS是目前最为常见的 SiC 基的器件,并且 SiC MOS 正在一些领域和 IGBT争抢份额。我们都知道,IGBT 结合了 MOS 和 BJT 的优点,第三代宽禁带半导体SiC
2020-03-20 15:56:284190

为何使用SCALE门极驱动器来驱动SiC MOSFET

PI的SIC1182K和汽车级SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。 SCALE-2门极驱动核和其他SCALE-iDriver门极驱动器IC还支持不同SiC架构中的不同电压,允许使用SiC MOSFET进行安全有效的设计。
2020-08-13 15:31:282476

IGBTSiC电源开关知识科普

IGBTSiC MOSFET,它们具有高电压额定值、高电 流额定值以及低导通和开关损耗,因此非常适合大功 率应用。具体而言,总线电压大于 400V 的应用要求器件电压 额定值大于 650V,以留有
2022-03-18 12:07:166422

风能发电中的碳化硅与IGBT对比分析

SiC MOSFET被推广为使用IGBT的现有设计的绝佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆变器和风力涡轮机>1000 V应用的支柱,提供中速开关。
2022-11-01 10:38:092152

SiC MOSFET模块实现系统的低损耗和小型化

SiC MOSFET模块是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半导体器件,在高速开关性能和高温环境中,优于目前主流应用的硅(Si)IGBTMOSFET器件。在需要更高额定电压和更大电流容量的工业设备
2022-11-06 21:14:51956

SiC MOSFET 的优势和用例是什么?

SiC MOSFET 的优势和用例是什么?
2022-12-28 09:51:201034

大电流应用中SiC MOSFET模块的应用

在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29491

瑞萨电子推出用于驱动EV逆变器的IGBTSiC MOSFET——RAJ2930004AGM

瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11314

SiC-MOSFETIGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性,Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722

SiC-MOSFET体二极管的特性说明

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790

SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言

从本文开始,我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。前言:MOSFETIGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250

SiC MOSFET:桥式结构中栅极源极间电压的动作-SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET:桥式结构中Gate-Source电压的动作”时,本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍,这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340

低边SiC MOSFET导通时的行为

本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET,与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比,SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301

搭载了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模块介绍

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333

SiC MOSFETSiC IGBT的区别

  在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102

采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFETSiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331

SiC MOSFET的结构及特性

SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,
2023-02-16 09:40:102938

IGBTSiC MOSFET的驱动参数的计算方法

在对功率模块选型的时候要根据功率模块的参数匹配合适的驱动器。这就要求在特定的条件下了解门级驱动性能和参数的计算方法。 本文将以实际产品中用到的参数进行计算说明,并且对比实际的IGBTSiC
2023-02-22 14:45:3912

SiC·IGBT/SiC·二极管/SiC·MOSFET动态参数测试

EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBTSiC·二极管、SiC·MOSFETSiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间
2023-02-23 09:20:462

沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET
2023-02-24 11:48:18426

SiC MOSFET学习笔记(五)驱动电源调研

3.1 驱动电源SiC MOSFET开启电压比Si IGBT低,但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通; Si IGBTSiC MOSFET Vgs对比 Cree的产品手册
2023-02-27 14:41:099

SiC MOSFET学习笔记(三)SiC驱动方案

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片?(英飞凌官方) 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同,并且其通常工作在高频应用环境中, 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479

SiC MOSFET学习笔记(四)SiC MOSFET传统驱动电路保护

碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一,可以在多个应用场合替换 Si MOSFETIGBT,发挥其高频特性,实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:028

未来的重点方向:SicIGBT

IGBT、MCU、以及SIC会是接下来新能源汽车智能化比较长期的需求点,根据特斯拉Model3的车型用量来看,单车使用IGBT是84颗,或者48颗Sic MOsfet(技术更优),MCU的供应商是意法半导体,基本可以结论,SicIGBT会是未来的重点方向。
2023-03-24 10:18:36630

优化SiC MOSFET的栅极驱动的方法

在高压开关电源应用中,相较传统的硅 MOSFETIGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET 有明 显的优势。
2023-05-26 09:52:33462

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:071115

如何优化SiC MOSFET的栅极驱动?这款IC方案推荐给您

本文作者:安森美业务拓展工程师Didier Balocco 在高压开关电源应用中,相较传统的硅MOSFETIGBT,碳化硅(以下简称“SiC”)MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现
2023-07-18 19:05:01462

关于碳化硅 (SiC),这些误区要纠正

)是硅MOSFET的首选替代品,而SiC纯粹是IGBT替代品。然而,SiC具有出色的RDS(ON)*Qg品质因数(FoM)和低反向恢复电荷(Qrr),这使其成为图腾柱无桥PF
2023-08-18 08:33:05733

SiC-MOSFETIGBT的区别是什么

相对于IGBTSiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET,导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566

IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

Si IGBTSiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401040

SiC MOSFET 器件特性知多少?

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFETIGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事
2023-10-18 16:05:02328

SiC MOSFET的封装、系统性能和应用

点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFETIGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应
2023-11-09 10:10:02334

SiC MOSFET的桥式结构

SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157

SiC MOS 、IGBT和超结MOS对比

在经过多年的技术积累后,硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性,逐渐受到工程师们的热烈追捧。目前,它们主要用于以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为主导的键合部件领域。然而,在当今功率设备的大格局中,SiC MOSFET到底扮演了何种角色?
2023-11-30 16:12:41243

金升阳IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源产品优势

基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源,市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42219

IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA_(T)-R3G系列

一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势,半导体应用市场持续扩大;对于新能源充电桩、光伏SVG行业,IGBT/SiC MOSFET的应用广泛,而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器
2023-12-13 16:36:19135

怎么提高SIC MOSFET的动态响应?

怎么提高SIC MOSFET的动态响应? 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题,涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中,我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应,并提供一些
2023-12-21 11:15:52272

SIC MOSFET在电路中的作用是什么?

SIC MOSFET在电路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅场效应晶体管)是一种新型的功率晶体管,具有较高的开关速度和功率密度,广泛应用于多种电路中。 首先,让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687

已全部加载完成