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IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

2010年03月12日 10:28 次阅读

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

 国际整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier,简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

  这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术,是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高仅为1.2mΩ,显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。

  IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“凭借在基准MOSFET技术方面的丰富经验和不断努力,IR推出了结合我们最新一代芯片与PQFN封装技术的MOSFET系列,实现了业界领先的RDS(on) ,继续开创卓越性能的先河。此外,在未来几个月,我们将按照产品路线图推出宽泛组合的PQFN基准MOSFET产品,以满足客户的需求。”

  25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是专为DC开关应用设计的,例如需要高电流承载能力和高效率的有源ORing和直流电机驱动应用。IRFH5250TRPbF具有极低的RDS(on),最高只有1.15mΩ,且栅极电荷 (Qg) 仅为52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ,Qg 达到了 50nC。

  如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件,不仅能够实现卓越的热性能,还可以根据给定的功率损耗要求,比现有解决方案使用更少的元件,节省电路板空间及成本。

  所有这些新器件均具有低热阻 (<0.5°C/W),并达到一级湿敏 (MSL1) 工业合格水平,也不含铅、溴化物和卤素,且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

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