IGBT/功率器件
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中国碳化硅衬底价格2024年快速滑落 800V的春天看来要到了
国际半导体IDM厂商，如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等，在中国市场仍然占据碳化硅元件的重要地位。消息人士补充，外国汽车品牌或与中国合资的汽车品牌，也主要依赖于上述供应...
2024-03-14 368
Infineon碳化硅布局加速，晶圆厂投资引发市场疑虑
虽然Infineon是欧洲五大芯片制造商之一，但他的作风一向非常低调。就连Infineon的收购行动也常常被低调处理。...
2024-03-14 102
水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。...
2024-03-13 96
SiC MOSFET非放电型RCD缓冲电路的设计
与放电型RCD缓冲电路不同，非放电型RCD缓冲电路的RSNB消耗的功率仅为浪涌能量，因此RSNB的容许损耗可以较小。这可以扩大RSNB的选择范围，使得能够增加CSNB的电容量，因而可以提高钳位的效果...
2024-03-13 102
MOS管和IGBT管到底有什么区别
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有...
2024-03-13 211
MOSFET在便携储能上的应用及优势
针对便携储能市场应用，龙腾半导体的高压SJMOS，其产品优势： 针对QR反激拓扑，优化开关速度，更容易通过EMI测试； 针对谐振拓扑，优化体二极管，增强di/dt能力，降低Qrr和驱动干扰。...
2024-03-13 153
如何保护电路免受过压？
常见的过压保护元器件或设备有防雷器、压敏电阻、避雷器等。这些元器件或设备能够迅速响应电压变化，并在电压超过预设值时启动保护机制，从而确保设备的安全运行。...
2024-03-11 454
T型三电平双脉冲测试及拓扑结构
双脉冲测试系统：该系统用于产生所需的双脉冲信号，以模拟实际工作中的开关动作。它能够精确地控制脉冲的宽度、幅度和频率，以满足测试需求。...
2024-03-11 712
电流检测电阻器很容易吗？
总体电流检测精度误差的预算需要考虑三个因素：初始电阻容差、环境温度变化引起的TCR误差以及自发热引起的TCR误差。幸运的是，供应商会提供具有极低TCR的专用精密金属箔电阻器。...
2024-03-11 98
如何让运算放大器输出振荡
这种现象是由于环路不稳定，相位裕度不足导致的；我们可以按照TI文档中的方法进行相位裕度的仿真。TI的文档如下，我们先仿真一下不并联电容情况下的相位裕度。...
2024-03-11 139
深度解析半导体工艺与分类
1950年发明，早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺，BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电，非常低的噪声，但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难，或者占用面积较大。...
2024-03-08 481
车企降价20%要求引发行业震动：SiC产业将面临怎样的影响？
电动汽车最大的成本为动力电池（占比约38%），电控占比约为6%。据英飞凌估算，电控成本中，功率半导体（IGBT/SiC等）约占40%，其次是DC-Link电容，成本占比约为16%。...
2024-03-08 167
探讨电感、磁珠与0欧姆电阻三大元件
电感是一种能够存储电能的元件，广泛应用于电源滤波、LC振荡电路以及中低频滤波电路中。其感抗与频率成正比，这意味着在高频下，电感对电流的阻碍作用会增强。...
2024-03-08 344
碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战
SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中...
2024-03-08 123
MLCC陶瓷电容与普通电容器的区别
MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、价格低廉及稳定性高等特性。在信息产品讲求轻、薄、短、小的发展趋势及表面贴装技术（SMT）应用日益普及的市场环境下，...
2024-03-07 527
一文解析SiC功率器件互连技术
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。...
2024-03-07 204
电动车窗开关中MOS管的应用解析
MOS管以其卓越的开关特性而闻名，能够在微秒级别内迅速切换电流。这为电动车窗的开关提供了高效的能耗管理，显著减少了功率损耗，使得车辆在长时间使用中能够更加节能环保。...
2024-03-07 155
关于电容电抗的三个实例分享
随着施加到电容器的频率增加，其效果是降低其电抗（以欧姆为单位测量）。同样，当电容器两端的频率降低时，其电抗值也会增加。这种变化称为电容器的复阻抗。...
2024-03-07 237
场效应管怎么区分n沟道p沟道（MOS管导通条件）
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不...
2024-03-06 1098
场效应管是如何导通的 场效应管导通和截止的条件
在一般情况下，场效应管（FET）的导通电阻越小越好，因为较小的导通电阻意味着在导通状态下，FET可以提供更低的电阻，允许更大的电流通过。...
2024-03-06 1383
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