IGBT/功率器件
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深度解析MOS场效应管应用实例
MOSFET的输入电阻很高，高达109Ω以上，从导电沟道来分，可以分为N沟道和P沟道两种，无论是N沟道还是P沟道，又可以分为增强型和耗尽型。...
2024-03-26 207
电阻元件典型应用电路细探讨及分析
有些DCDC的输出端接的负载的等效电阻很高，这样对下电时，会有很长的放电时间，这有可能导致电源时序有问题，所以一般会在输出端加个电阻。...
2024-03-26 119
碳化硅功率器件的工作原理
碳化硅功率器件的核心在于其能够在极端条件下高效地控制电力的流动。SiC材料的宽带隙特性意味着它在高温下仍能维持较高的能量障碍，从而保持稳定的半导体特性。...
2024-03-26 87
碳化硅晶片C面与硅面的存在原因探究
Si-Si键能大小为 310 kJ/mol，可以理解键能是把这两个原子拉开的力度，键能越大，需要拉开的力越大。 Si-C键原子间距为 1.89 Å， 键能大小为 447 kJ/mol。...
2024-03-26 135
MOS管散热片设计如何影响EMC表现
骚扰通过MOS管与散热片寄生电容、LISN、以及L、N线返回到源。如果MOS管接地的话，在骚扰电压一定的情况下，阻抗很低，骚扰电流很大，导致CE测试失效。...
2024-03-25 186
常见的电平电路转换方法
当 SDA2 输出低电平时：MOS 管不导通，但是它有体二极管，MOS 管里的体二极管把 SDA1 拉低到低电平，此时 Vgs 约等于 3.3V，MOS 管导通，进一步拉低了 SDA1 的电压。...
2024-03-25 406
如何全方面了解三极管
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。...
2024-03-20 162
二极管在LDO电路中的常见应用方式
① LDO正常工作时，VIN大于VOUT，二极管D3截止； ② LDO掉电，出现VOUT下电比VIN下电慢的情况，反向压差可能会损坏LDO，加了D3，输入和输出电压差钳位在二极管压降大小，保护了LDO。...
2024-03-19 444
碳化硅MOS、超结MOS与IGBT性能比较
Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。...
2024-03-19 400
碳化硅功率器件特性及基本原理
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。...
2024-03-19 127
igbt导通条件和关断条件
IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。...
2024-03-18 1058
变频器igbt工作原理和作用
IGBT的开关速度指的是从导通到截止（或反之）所需的时间。快速的开关速度有助于减少功率损耗和提高效率，但过快的开关速度可能会增加电压和电流的瞬态压降，导致器件损坏。...
2024-03-18 927
石墨烯芯片半导体产业，引领我们告别硅时代？
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这些材料，在特定的应用领域（如高频、高功率电子器件）中展现出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的领域，提供硅难以企及的差异化优势。...
2024-03-18 108
深入探索研究SiC功率器件高效互连技术
本文采用的DTS（DieTopSystem）技术结合了芯片双面银烧结工艺与铜线键合工艺，此技术能够避免直接在芯片上进行铜线键合时造成的芯片损伤。...
2024-03-18 107
二极管并联使用电路的使用
在并联二极管电路中，每个二极管的正负极都需要正确连接，确保电流能够顺畅地通过。同时，由于不同二极管的特性可能略有差异，因此在选择并联的二极管时，应尽量选择性能相近、参数一...
2024-03-15 1139
电阻-晶体管耦合逻辑电路图分析
RTL电路的基本工作原理是：晶体管的基极、发射极和集电极分别与输入信号源、负载电阻和电源连接。通过确定输入和输出的阻抗，并选择合适的电容和电阻来实现阻抗匹配，从而确保信号能够...
2024-03-15 450
NPN三极管驱动继电器电路原理图
当NPN三极管的基极接收到高电平信号时，三极管导通，允许电流从其集电极流向发射极。这个电流通过继电器线圈，使继电器吸合，其触点状态发生改变（常开触点闭合，常闭触点断开）。...
2024-03-15 1058
三极管可以作为开关使用吗
三极管作为开关使用时，其基极-发射极间获得正向偏置而进入饱和区，此时集电极电流达到饱和值，集电极与发射极间相当于短路，电流可以经过负载流通。相...
2024-03-15 1632
铝电解电容器主要由些什么构成 铝电解电容器的生产工序
铝电解电容器的极板通常是由铝箔构成的。铝箔的表面经过特殊处理以增加其表面积，从而提高电容器的电容量。正极板上的铝箔表面通常被氧化以形成绝缘层，这有助于电容器的稳定性和性能...
2024-03-14 481
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