电子发烧友网 > 模拟技术 > IGBT/功率器件

英飞凌推出先进H2S防护测试,可延长IGBT模块的使用寿命

英飞凌推出先进H2S防护测试,可延长IGBT模块的使用寿命

硫化氢对于功率半导体而言,是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温,再加上施加的电压和硫化氢污染,会发生反应生成硫化铜(Cu2S)晶体。...

2020-07-09 标签:英飞凌逆变器IGBT模块硫化氢传感器 157

IGBT模块驱动的安装布局详解

IGBT模块驱动的安装布局详解

明确机械分布和寄生影响,逆变器中每个IGBT/驱动连接完全一样,这样器件的开关特性也相同。...

2020-05-02 标签:IGBT模块IGBT模块驱动 414

IGBT器件在激光电源中的应用

IGBT器件在激光电源中的应用

绝缘栅双极管(简称IGBT)集MOSFET和GTR一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点。...

2020-05-02 标签:IGBT器件激光电源 138

IGBT开关特性的实例分享

IGBT开关特性的实例分享

IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的,VCC是直流母线电压。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT开关 190

IGBT的结构_功率MOSFET的垂直结构

IGBT的结构_功率MOSFET的垂直结构

功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000个单元(50V功率MOS-FET)或者50.000单元(1200VIGBT)。...

2020-05-02 标签:IGBT功率MOSFET 176

IGBT模块的封装技术介绍

IGBT模块的封装技术介绍

当焊接面很大时,因为焊接面的温度变形系数不同,所以在温度变化时,会产生焊接疲劳,直到脱焊。例如,不能使用这种焊接方法在铜底板上焊接大面积的陶瓷。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT模块 256

IGBT关断振荡的参数_IGBT关断振荡的应对措施

IGBT关断振荡的参数_IGBT关断振荡的应对措施

在电压UCE缓慢上升时,栅极电压处于密勒平台,这个位移电流最初保持稳定并有助于维持平台电压恒定。...

2020-05-02 标签:IGBT振荡 313

IGBT短路振荡的影响因素有哪些

IGBT短路振荡的影响因素有哪些

在形成恒定短路电流后的很短时间内发生振荡且可以在栅极电压中观测到明显的电压振荡。...

2020-05-02 标签:IGBT短路 186

一文详解IGBT模块并联动态均流方法

一文详解IGBT模块并联动态均流方法

动态工作指电力电子器件的开通和关断过程。IGBT的开关频率越高,动态均流问题对整个系统的影响就越大。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT模块 332

PT-IGBT与NPT-IGBT的区别

PT-IGBT与NPT-IGBT的区别

IGBT的结构多种多样,但从纵向结构来看可归为穿通型,非穿通型。这两类IGBT的划分依据为:临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了N-基区。...

2020-04-10 标签:IGBTigbt芯片 443

电磁炉IGBT管代换遵循原则

电磁炉IGBT管代换遵循原则

IGBT是电磁炉常常容易损坏的元器件之一,经验老到的维修人员对于电磁炉不工作,有时候很容易联想到IGBT是否有问题,也正因为这样,设计时候对IGBT进行温度检测,当温度达到一定值时候断开...

2020-03-28 标签:电磁炉IGBT管 519

电磁炉核心元器件解析

电磁炉核心元器件解析

电磁炉在我们日常生活当中经常用到,其中它的工作原理是利用电磁感应原理,利用不断变化的电流通过线圈的时候产生不断改变的交变磁场,当处在交变磁场中的导体(也就是我们的锅)的底...

2020-03-28 标签:元器件电磁炉 446

三栅极的应用优势及对高性能FPGA性能的影响以及

三栅极的应用优势及对高性能FPGA性能的影响以及

2013年2月,Altera公司与Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA产品的生产将独家采用Intel的14nm 3D Tri-Gate(三栅极)晶体管技术。这使得Altera成为当前采用最先进、最高性能半导体技术的独家...

2020-03-12 标签:fpgamosfet晶体管 226

特斯拉引爆IGBT市场商机 三大厂商旗舰产品逐个看

特斯拉引爆IGBT市场商机 三大厂商旗舰产品逐个看

特斯拉Model3标准版售价跌破30万元在中国引发新能源车抢购潮。受益于全球电动汽车市场、充电桩对IGBT的巨大需求,IGBT的相关企业也迎来了发展的利好。电子发烧友汇总了英飞凌、士兰微和比...

2020-02-21 标签:英飞凌比亚迪IGBT特斯拉 11277

打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

行业资深从业者表示,在中国本土功率器件市场,士兰微是国内当之无愧的龙头之一。士兰微日前发布了2019年上半年业绩报告,小编籍此为大家解读该公司在功率半导体的IPM和IGBT领域最新产品...

2019-09-03 标签:芯片IGBT士兰微功率器件 12147

SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。 譬如,Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根...

2019-07-19 标签:功率器件SiC碳化硅 8690

What ?55页PPT就把Mosfet从入门到精通讲清了!
MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

nxp公司的MC33GD3100是高档单路IGBT栅极驱动器,集成了电流隔离和低开态电阻驱动晶体管,提供高充电和放电电流,低动态饱和电压,轨到轨电压控制,通过INTB引脚和SPI接口能管理严重故障并报告故障与...

2019-05-01 标签:驱动器IGBT 615

出让安世半导体股权,银鸽投资将获巨额收益

出让安世半导体股权,银鸽投资将获巨额收益

2018年10月25日,河南银鸽实业投资股份有限公司(下称银鸽投资)披露《关于出让JW Capital 基金份额的提示性公告》。由于银鸽投资通过JW Capital 基金间接持有安世半导体部分股权份额,此次出让...

2018-10-29 标签:安世半导体 1840

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

轨至轨放大器可产生极为接近接地的输出电压但到底接近到什么程度呢?我们谈的是CMOS运算放大器。当你正努力最大化输出电压摆动时,它常用于低压设计。这些器件的规格通常如下: 这让它...

2018-03-22 标签:放大器CMOS晶体管 5001

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

作者:United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺 诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)器件是当前的热门话题,这些器件承诺可以把从通用无线充电到功率转...

2018-02-28 标签:场效应晶体管SiCGaN 7835

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用...

2017-12-15 标签:mos高功率因数 9107

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十M...

2017-12-11 标签:mosfetigbt 17008

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区别

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区别

这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应,使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬...

2017-11-28 标签:mosfetigbt 5479

igbt模块实物接线图分析

igbt模块实物接线图分析

 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模...

2017-11-23 标签:igbt 41954

IGBT模块不同的内部结构和电路图分析

IGBT模块不同的内部结构和电路图分析

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低...

2017-11-23 标签:IGBT 32869

igbt驱动电压和功率分别是多少

igbt驱动电压和功率分别是多少

在此根据长期使用IGBT的经验并参考有关文献对 IGBT驱动的电压和功率做了一些总结,希望对广大网友能够提供帮助。...

2017-11-23 标签:电压功率igbt驱动 18061

来个简单小测试,让你真正了解晶体管

来个简单小测试,让你真正了解晶体管

半导体行业大致按照摩尔定律发展了半个多世纪,对二十世纪后半叶的世界经济增长做出了贡献,并驱动了一系列科技创新、生产效率的提高和经济增长。...

2017-10-30 标签:集成电路摩尔定律晶体管 10216

MOS管介绍

MOS管介绍

MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大...

2017-10-24 标签:MOS管 10533

一种无输出变压器的功率放大器应用介绍

一种无输出变压器的功率放大器应用介绍

普通电子管功率放大器的输出负载为动圈式扬声器,其阻抗非常低,仅为4~16Ω,而一般功放电子管的内阻均比较高,在普通推挽功放中屏极至屏极的负载阻抗一般为5~10kΩ,故不能直接驱动低...

2017-10-24 标签:三极管功率放大器6sn7 12484

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