电子发烧友网 > 模拟技术 > IGBT/功率器件

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

轨至轨放大器可产生极为接近接地的输出电压但到底接近到什么程度呢?我们谈的是CMOS运算放大器。当你正努力最大化输出电压摆动时,它常用于低压设计。这些器件的规格通常如下: 这让它...

2018-03-22 标签:放大器CMOS晶体管 1358

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

作者:United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺 诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)器件是当前的热门话题,这些器件承诺可以把从通用无线充电到功率转...

2018-02-28 标签:场效应晶体管SiCGaN 2224

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用...

2017-12-15 标签:mos高功率因数 2626

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

选择IGBT还是MOSFET 读了就知道了!

IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了.不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十M...

2017-12-11 标签:mosfetigbt 3594

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区别

辩证分析MOSFET与IGBT的内部结构与应用区别

这种延迟引起了类饱和 (Quasi-saturation) 效应,使集电极/发射极电压不能立即下降到其VCE(sat)值。这种效应也导致了在ZVS情况下,在负载电流从组合封装的反向并联二极管转换到 IGBT的集电极的瞬...

2017-11-28 标签:mosfetigbt 1786

igbt模块实物接线图分析

igbt模块实物接线图分析

 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模...

2017-11-23 标签:igbt 6280

IGBT模块不同的内部结构和电路图分析

IGBT模块不同的内部结构和电路图分析

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低...

2017-11-23 标签:IGBT 3953

igbt驱动电压和功率分别是多少

igbt驱动电压和功率分别是多少

在此根据长期使用IGBT的经验并参考有关文献对 IGBT驱动的电压和功率做了一些总结,希望对广大网友能够提供帮助。...

2017-11-23 标签:电压功率igbt驱动 3098

来个简单小测试,让你真正了解晶体管

来个简单小测试,让你真正了解晶体管

半导体行业大致按照摩尔定律发展了半个多世纪,对二十世纪后半叶的世界经济增长做出了贡献,并驱动了一系列科技创新、生产效率的提高和经济增长。...

2017-10-30 标签:集成电路摩尔定律晶体管 3767

MOS管介绍

MOS管介绍

MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大...

2017-10-24 标签:MOS管 4344

一种无输出变压器的功率放大器应用介绍

一种无输出变压器的功率放大器应用介绍

普通电子管功率放大器的输出负载为动圈式扬声器,其阻抗非常低,仅为4~16Ω,而一般功放电子管的内阻均比较高,在普通推挽功放中屏极至屏极的负载阻抗一般为5~10kΩ,故不能直接驱动低...

2017-10-24 标签:三极管功率放大器6sn7 3080

深入理解MOSFET规格书及应用设计

深入理解MOSFET规格书及应用设计

MOS的导通电阻随温度上升而上升,下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候,为20度时候的2倍。...

2017-10-16 标签:mosfet驱动电路功率mosfet 2586

MOSFET及IGBT在电力电子应用设计

MOSFET及IGBT在电力电子应用设计

多数情况下,功率变换器的传导干扰以共模干扰为主。本文介绍了一种基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术,并成功地应用于多种功率变换器拓扑中。理论和实验结果都证明了,它能有效地减...

2017-09-28 标签:mosfet开关电源igbt 3372

对MOS失效的原因总结以下六点

对MOS失效的原因总结以下六点

到底什么是雪崩失效呢,简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的...

2017-09-18 标签:汽车电子mos管雪崩失效 4099

讨论原理图,这几位工程师都快打起来了

讨论原理图,这几位工程师都快打起来了

这几个人画原理图,画的都打起来了!是什么分歧让他们动手了!...

2017-09-13 标签:电子工程师电子制作 5231

MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

MOSFET知识点全集,初级工程师学习利器

MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。...

2017-09-13 标签:mosfet半导体器件 5067

利用现有设计专知,强化功率模块在汽车领域应用

利用现有设计专知,强化功率模块在汽车领域应用

整合不仅有助于节省空间,而且还可以帮助降低成本,提高可靠性,加快新产品的上市进程。有利的是,在家电行业中获得的现有的电机驱动设计经验,可以帮助满足这些要求。...

2017-08-31 标签:汽车电子电机驱动功率器件功率模块 4308

功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

功率半导体封测厂主攻MOSFET,有望新突破

捷敏2017年第2季获利已经创下历史次高,上半年EPS为2.39元,7月营收也下营收新高水准,市场看好8月将会再创单月营收历史新高,后续捷敏持续布局车用领域,包括自驾车、充电桩等,都是捷敏...

2017-08-31 标签:mosfetigbt功率半导体 1052

青铜剑推出高性能汽车级IGBT驱动适配英飞凌HP-Drive模块

青铜剑推出高性能汽车级IGBT驱动适配英飞凌HP-Drive模块

6AP0215T08-HPD驱动器可即插即用,是专门针对英飞凌新能源汽车领域的紧凑型IGBT模块FS820R08A6P2B而开发,可方便用户通过汽车级插件进行驱动控制及监测IGBT的运行情况。...

2017-09-20 标签:英飞凌igbt 1637

IGBT的结构与各种保护设计方法详解

IGBT的结构与各种保护设计方法详解

GTR和MOSFET复合,结合二者的优点,具有好的特性。80年代中期问世以来,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件。...

2017-06-05 标签:igbt 628

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法

 IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是...

2017-06-05 标签:igbt 965

IGBT驱动电路原理与设计技巧详解

IGBT驱动电路原理与设计技巧详解

本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用...

2017-06-05 标签:驱动电路 6806

IGBT驱动电路的应用设计详解

IGBT驱动电路的应用设计详解

隔离驱动产品大部分是使用光电耦合器来隔离输入的驱动信号和被驱动的绝缘栅,采用厚膜或PCB工艺支撑,部分阻容元件由引脚接入。这种产品主要用于IGBT的驱动,因IGBT具有电流拖尾效应,所...

2017-06-05 标签:驱动电路 672

Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver™ IC产品系列,可支持1700 V IGBT

Power Integrations推出紧凑、高效的SCALE-iDriver™ IC产品系列,可支持1700 V IGBT

美国加利福尼亚州圣何塞,2017年5月16日 – 中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者(纳斯达克股票代号:POWI)今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。...

2017-05-19 标签:mosfetigbt 294

安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各

安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后,是全...

2017-05-16 标签:逆变器igbt安森美半导体 620

IGBT的工作特性与IGBT的检测

IGBT的工作特性与IGBT的检测

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导...

2017-05-10 标签:igbt晶体管 936

IGBT浅析,IGBT的结构与工作原理

IGBT浅析,IGBT的结构与工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导...

2017-05-03 标签:igbt晶体管 2108

什么是IGBT?如何使用此模块实现“双面水冷”,IGNT未来的发展趋势又是如何?

什么是IGBT?如何使用此模块实现“双面水冷”,IGNT未来的发展趋势又是如何?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导...

2017-04-27 标签:新能源汽车散热器igbt 628

【实用指南】教你使用FFT和示波器

【实用指南】教你使用FFT和示波器

本文讨论了一些重要的FFT特性,解释了如何利用这些特性设置FFT以实现高效的分析。等下次你要在示波器中使用FFT时希望能助你一臂之力。 本文讨论了一些重要的FFT特性,解释了如何利用这些...

2016-12-08 标签:示波器fft 822

全新英飞凌Advantage系列模块,助力中国变频器行业转型升级

全新英飞凌Advantage系列模块,助力中国变频器行业转型升级

2016年9月23日,众所周知,变频器在工业领域应用非常广泛,而目前,在节能环保理念逐渐成为一种趋势的情况下,对变频器提出了更高的要求。...

2016-09-23 标签:英飞凌变频器Advantage系列模块 474

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