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GaN功率级设计的散热注意事项

GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗,这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。...

2020-12-10 标签:pcb电路板电源转换器散热GaN 485

UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式

UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式

UAES和罗姆自2015年开始技术交流以来,双方在采用SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。...

2020-12-08 标签:半导体罗姆功率元器件 196

Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案

Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案

Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦,这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。...

2020-12-07 标签:功率转换DC-DC转换器氮化镓碳化硅 276

国内首家打通碳化硅全产业链,三安集成完成MOSFET量产平台打造

国内首家打通碳化硅全产业链,三安集成完成MOSFET量产平台打造

随着中国“十四五”规划浮出水面,第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计,2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元,碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现“井喷”...

2020-12-03 标签:MOSFET碳化硅三安集成 288

Excelitas Technologies推出增强型Gen2 905nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管

Excelitas Technologies推出增强型Gen2 905nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管

激光芯片采用经TS 16949认证的大批量生产的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制成。...

2020-12-01 标签:激光二极管激光雷达LIDAR 234

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性

产品特点 1、优异的开关特性和导通特性; 2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性; 3、配合先进的封装技术,SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密...

2020-11-26 标签:MOSFET导通电阻扬杰科技 617

电动车用大功率 IGBT模块测试解决方案

电动车用大功率 IGBT模块测试解决方案

功率半导体器件种类众多,按集成度可分为功率IC、功率模块和功率分立器件三大类,其中功率分立器件中MOSFET、功率二极管、IGBT占比较大,是最主要的品类。...

2020-11-25 标签:电动车IGBT功率半导体ITECH 653

MOS在模拟电路上的应用 MOSFET组成的H桥驱动电路

MOS在模拟电路上的应用 MOSFET组成的H桥驱动电路

最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现把它纯当作一...

2020-10-15 标签:三极管MOSFET步进电机驱动电路H桥驱动 2448

英飞凌推出先进H2S防护测试,可延长IGBT模块的使用寿命

英飞凌推出先进H2S防护测试,可延长IGBT模块的使用寿命

硫化氢对于功率半导体而言,是最具威胁的腐蚀性污染物。IGBT模块在运行期间温度通常会上升形成高温,再加上施加的电压和硫化氢污染,会发生反应生成硫化铜(Cu2S)晶体。...

2020-07-09 标签:英飞凌逆变器IGBT模块硫化氢传感器 355

IGBT模块驱动的安装布局详解

IGBT模块驱动的安装布局详解

明确机械分布和寄生影响,逆变器中每个IGBT/驱动连接完全一样,这样器件的开关特性也相同。...

2020-05-02 标签:IGBT模块IGBT模块驱动 823

IGBT器件在激光电源中的应用

IGBT器件在激光电源中的应用

绝缘栅双极管(简称IGBT)集MOSFET和GTR一身,既具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的特点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点。...

2020-05-02 标签:IGBT器件激光电源 478

IGBT开关特性的实例分享

IGBT开关特性的实例分享

IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的,VCC是直流母线电压。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT开关 571

IGBT的结构_功率MOSFET的垂直结构

IGBT的结构_功率MOSFET的垂直结构

功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000个单元(50V功率MOS-FET)或者50.000单元(1200VIGBT)。...

2020-05-02 标签:IGBT功率MOSFET 406

IGBT模块的封装技术介绍

IGBT模块的封装技术介绍

当焊接面很大时,因为焊接面的温度变形系数不同,所以在温度变化时,会产生焊接疲劳,直到脱焊。例如,不能使用这种焊接方法在铜底板上焊接大面积的陶瓷。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT模块 1687

IGBT关断振荡的参数_IGBT关断振荡的应对措施

IGBT关断振荡的参数_IGBT关断振荡的应对措施

在电压UCE缓慢上升时,栅极电压处于密勒平台,这个位移电流最初保持稳定并有助于维持平台电压恒定。...

2020-05-02 标签:IGBT振荡 897

IGBT短路振荡的影响因素有哪些

IGBT短路振荡的影响因素有哪些

在形成恒定短路电流后的很短时间内发生振荡且可以在栅极电压中观测到明显的电压振荡。...

2020-05-02 标签:IGBT短路 497

一文详解IGBT模块并联动态均流方法

一文详解IGBT模块并联动态均流方法

动态工作指电力电子器件的开通和关断过程。IGBT的开关频率越高,动态均流问题对整个系统的影响就越大。...

2020-05-02 标签:IGBTIGBT模块 1114

PT-IGBT与NPT-IGBT的区别

PT-IGBT与NPT-IGBT的区别

IGBT的结构多种多样,但从纵向结构来看可归为穿通型,非穿通型。这两类IGBT的划分依据为:临界击穿电压下Pbase-Ndrift结耗尽层的扩展是否穿透了N-基区。...

2020-04-10 标签:IGBTigbt芯片 1138

电磁炉IGBT管代换遵循原则

电磁炉IGBT管代换遵循原则

IGBT是电磁炉常常容易损坏的元器件之一,经验老到的维修人员对于电磁炉不工作,有时候很容易联想到IGBT是否有问题,也正因为这样,设计时候对IGBT进行温度检测,当温度达到一定值时候断开...

2020-03-28 标签:电磁炉IGBT管 914

电磁炉核心元器件解析

电磁炉核心元器件解析

电磁炉在我们日常生活当中经常用到,其中它的工作原理是利用电磁感应原理,利用不断变化的电流通过线圈的时候产生不断改变的交变磁场,当处在交变磁场中的导体(也就是我们的锅)的底...

2020-03-28 标签:元器件电磁炉 742

三栅极的应用优势及对高性能FPGA性能的影响以及

三栅极的应用优势及对高性能FPGA性能的影响以及

2013年2月,Altera公司与Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA产品的生产将独家采用Intel的14nm 3D Tri-Gate(三栅极)晶体管技术。这使得Altera成为当前采用最先进、最高性能半导体技术的独家...

2020-03-12 标签:fpgamosfet晶体管 353

特斯拉引爆IGBT市场商机 三大厂商旗舰产品逐个看

特斯拉引爆IGBT市场商机 三大厂商旗舰产品逐个看

特斯拉Model3标准版售价跌破30万元在中国引发新能源车抢购潮。受益于全球电动汽车市场、充电桩对IGBT的巨大需求,IGBT的相关企业也迎来了发展的利好。电子发烧友汇总了英飞凌、士兰微和比...

2020-02-21 标签:英飞凌比亚迪IGBT特斯拉 15045

打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

打破国际大厂的垄断,士兰微如何在IPM和IGBT领域找准赛道?

行业资深从业者表示,在中国本土功率器件市场,士兰微是国内当之无愧的龙头之一。士兰微日前发布了2019年上半年业绩报告,小编籍此为大家解读该公司在功率半导体的IPM和IGBT领域最新产品...

2019-09-03 标签:芯片IGBT士兰微功率器件 14574

SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

SiC需求增长快于供应(内附SiC器件主要供应商)

宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅(SiC)正处于大力扩张之时,供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。 譬如,Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根...

2019-07-19 标签:功率器件SiC碳化硅 10281

What ?55页PPT就把Mosfet从入门到精通讲清了!
MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

nxp公司的MC33GD3100是高档单路IGBT栅极驱动器,集成了电流隔离和低开态电阻驱动晶体管,提供高充电和放电电流,低动态饱和电压,轨到轨电压控制,通过INTB引脚和SPI接口能管理严重故障并报告故障与...

2019-05-01 标签:驱动器IGBT 1021

出让安世半导体股权,银鸽投资将获巨额收益

出让安世半导体股权,银鸽投资将获巨额收益

2018年10月25日,河南银鸽实业投资股份有限公司(下称银鸽投资)披露《关于出让JW Capital 基金份额的提示性公告》。由于银鸽投资通过JW Capital 基金间接持有安世半导体部分股权份额,此次出让...

2018-10-29 标签:安世半导体 2044

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

CMOS运算放大器摆动,为何可小于1到2毫伏

轨至轨放大器可产生极为接近接地的输出电压但到底接近到什么程度呢?我们谈的是CMOS运算放大器。当你正努力最大化输出电压摆动时,它常用于低压设计。这些器件的规格通常如下: 这让它...

2018-03-22 标签:放大器CMOS晶体管 5565

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

SiC性能在实际应用中已经超过GaN

作者:United Silicon Carbide公司新产品导入经理Zhongda Li 宽带隙器件的承诺 诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)器件是当前的热门话题,这些器件承诺可以把从通用无线充电到功率转...

2018-02-28 标签:场效应晶体管SiCGaN 8438

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

关于MOS应用设计,这些要点不可忽视

这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解,从管脚的识别,到极性的分辨,再到常用...

2017-12-15 标签:mos高功率因数 9730

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