碳化硅器件的类型及应用
碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料，具有比传统硅更高的电子漂移率和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作，同时保持稳定性和效率。
探讨氮化镓在汽车动力系统和激光雷达的应用
氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，因其优异的电子特性和潜在的系统成本优势，在汽车和移动手机市场中展现出巨大的商业潜力。
全国最大8英寸碳化硅衬底生产基地落地山东？
作为技术应用最成熟的衬底材料，碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大，能显著提升续航能力与充电效率，并降低整车成本。
功率半导体2035年市值将达77,757亿日元，SiC等占4...
此次调查针对功率半导体18项、零部件材料20项、制造设备19项。调查期间为2023年10月至2024年2月。
碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽车中的深入应用解析
采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
Qorvo推出创新紧凑型E1B封装1200V SiC模块
Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
碳化硅衬底产业全景：国内外主要厂商分布图
中国在碳化硅衬底领域的布局显示出了其对半导体材料自主供应链建设的重视。随着全球对高效能、高耐用性电子器件需求的增加，碳化硅衬底由于其在高温、高电压和高频率应用中的优异性能而变得越来越重要。
国内上市的碳化硅企业的表现情况
碳化硅之所以受到投资青睐，归功于其独特的半导体属性，能够在极端的高温、高压、高功率、和高频环境中发挥出色，预示着其在多种应用场景中的巨大潜力。
2024-02-25 标签：碳化硅 378
天岳先进占据全球导电型碳化硅衬底市场第二
在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。
Qorvo借助SiC FET独特优势，稳固行业领先地位
在产品研发方面，2023年，Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封装750V FET，这是任何其它功率半导体技术（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均无法超越的。
SiC规模将超560亿？
结合全球功率半导体市场数据推算，2022年SiC功率半导体的渗透率为4.85%，2023年渗透率为6.53%，2028年预计将达到18.58%左右。
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