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半波整流电路由单个二极管和降压变压器组成,在降压变压器的帮助下将高压交流电转换为低压交流电。此后,连接在电路中的二极管将在交流周期的正半部分中正向偏置,并在负半部分中反向偏置。...
功率循环加速老化试验中,IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化,失效模式可能存在 多个影响因素,如封装材料、器件结构以及试验条 件等。...
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下,第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求,碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。...
三极管有两种基本类型,即NPN型和PNP型。在这两种类型中,NPN型的三极管更为常用,所以我们将主要讨论NPN型的三极管。...
有两个晶体管(transistor),一个NPN和一个PNP,连接方式下图所示。假设此晶体管是硅(Si),并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压,且两个晶体管的ß值非常高,使得基极电流几乎为零。求电压V??...
短路引起的 SiC MOSFET 电学参数的退化受到了电、热、机械等多种应力的作用,其退化机理需要从外延结构、芯片封装以及器件可靠性等多方面进行论证分析。...
绕线电阻是将镍铬合金导线绕在氧化铝陶瓷基底上,一圈一圈控制电阻大小。 绕线电阻可以制作为精密电阻,容差可以到0.005%,同时温度系数非常低,缺点是绕线电阻的寄生电感比较大,不能用于高频。...
电阻器颜色代码是一种标准化系统,用于表示电阻器的电阻值、容差,有时甚至表示电阻器的温度系数。它们由涂在电阻器主体上的彩色带组成,每个彩色带代表电阻器值中的特定数字或乘数。...
功率MOS管的驱动电路中会分布各种电感,例如图中的L,它们与MOSFET的Cgd, Cge会形成谐振电路:对开关驱动信号中的高频谐波分量产生谐振,进而引起功率管输出电压的波动。...
目前STATCOM多采用GTO、IGBT及IGCT等全控型器件作为开关。如IGCT其耐压可达6.5kV,通断电流可达4000A。但在输电系统中,其电压电流等级仍然偏小,需要依靠多电平拓扑或器件串联,来提高耐压能力。...
PA应用极为广泛,在无线通信系统中,如手机、卫星通信、Wi-Fi、蜂窝网络等都需要射频功率放大器来提供足够的信号强度和覆盖范围。...
TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...
我们知道可以通过调节负载电容CL来微调振荡器的频率,这就是为什么晶振制造 商在其产品说明书中会指定外部负载电容CL值的原因。通过指定外部负载电容CL值,可以使晶 振晶体振荡时达到其标称频率。...
电感是一种电路元件,它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能,然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加,磁场就会增强。...
讨论了不同的ADC和DAC架构,包括Flash型、逐次逼近寄存器(SAR)型、Pipelining型和时间交错型等。...
当VGS小于一定的电压值,DS极就会导通,适合用于S极接正电源的情况(高端驱动)。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因,在大部分应用中通常还是使用NMOS。...
电磁干扰严重。随着频率提高,电路中的di/dt和du/dt增大,从而使电磁干扰增大,影响变换器和周围电子设备的工作。...
在此电路中,TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V,同时它的漏电流也非常非常小(25℃的时候典型漏电流为1nA),这个管子也很推荐大家使用,漏电流很小。...
电压缓冲放大器的作用是将电压从具有高输出阻抗的电路传输到具有低输入阻抗的另一个电路。通过在这两个电路之间插入缓冲器,可以防止第二个电路过度加载第一个电路,这可能会干扰其预期操作。...
采样和保持电路是一种电子电路,它创建作为输入的电压样本,然后将这些样本保持一定的时间。采样保持电路对输入信号产生采样的时间称为采样时间。...