IGBT/功率器件
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电感如何选型？常见的电感参数
电感是一种电路元件，它可以在自身磁场中储存能量。电感通过储存将电能转换为磁能，然后向电路提供能量以调节电流。当电流增加，磁场就会增强。...
2024-04-15 163
MOS管为什么会冒烟烧毁？MOS烧管的案例2分享
当VGS小于一定的电压值，DS极就会导通，适合用于S极接正电源的情况（高端驱动）。虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于其导通电阻大、价格贵、替换种类少等原因，在大部分应用中通...
2024-04-12 450
探讨氮化镓在汽车动力系统和激光雷达的应用
氮化镓（GaN）作为一种新兴的半导体材料，因其优异的电子特性和潜在的系统成本优势，在汽车和移动手机市场中展现出巨大的商业潜力。...
2024-04-12 201
ADI二极管钳位电路设计应用
在此电路中，TVS管PTVS30VP1UP可以快速钳位一些瞬态的电压到30V，同时它的漏电流也非常非常小（25℃的时候典型漏电流为1nA），这个管子也很推荐大家使用，漏电流很小。...
2024-04-12 182
深入探讨碳化硅功率器件优势、应用
碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更优越的物理和化学特性，包括更高的临界击穿场强、更大的热导率、更高的工作温度和更快的开关速度。...
2024-04-12 61
MOS管栅极前加100Ω电阻原理分析
在MOSFET的栅极前增加一个电阻？ MOS管是电压型控制器件，一般情况下MOS管的导通，只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可，并不需要栅极电流。...
2024-04-11 137
小米SU7碳化硅应用情况如何？
小米SU7单电机版，400V电压平台的电驱供应商为联合汽车电子，其中搭载了来自博世的碳化硅芯片，根据调研：其中搭载了博世第二代750V，6毫欧的芯片产品。...
2024-04-11 468
全国最大8英寸碳化硅衬底生产基地落地山东？
作为技术应用最成熟的衬底材料，碳化硅衬底在市场上“一片难求”。碳化硅功率器件在新能源汽车中的渗透率正在快速扩大，能显著提升续航能力与充电效率，并降低整车成本。...
2024-04-11 124
光电三极管的特性及结构示意图
光电三极管是一种半导体器件，能够感应光水平并根据其接收的光水平来改变在发射极和集电极之间流动的电流。顾名思义，光电三极管是一种晶体管，可以感应光并改变晶体管端子之间的电流...
2024-04-10 345
关于光电三极管的简单介绍
光电三极管有塑封、金属封装、陶瓷、树脂等多种封装结构，引脚分为两脚型和三脚型。一般两个管脚的光电三极管，管脚分别为集电极和发射极，光窗口则为基极。...
2024-04-10 383
基于JEDEC栅电荷测试方法测量MOSFET的栅电荷
在栅极电荷方法中，将固定测试电流（Ig）引入MOS晶体管的栅极，并且测量的栅极源电压（Vgs）与流入栅极的电荷相对应。对漏极端子施加一个固定的电压偏置。...
2024-04-10 111
深入对比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的...
2024-04-10 1086
碳化硅器件在车载充电机（OBC）中的性能优势
碳化硅作为第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、抗辐射等优异性能采用碳化硅功率器件可使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，在OBC产品上使用碳化硅功率器件对于提升...
2024-04-10 113
深入探索芯片内部电路结构
SDA和SCL都是双向线路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平，连接到总线的器件输出级必须是漏极开路或集电极开路才能执行线与的功能。...
2024-04-10 51
PIN二极管的结构图和工作原理分析
PIN二极管的结构由P型半导体、Intrinsic半导体和N型半导体三层组成。Intrinsic半导体层是一层轻掺杂的半导体，因此可忽略自由载流子。...
2024-04-09 490
一文详解IGBT 模块的热设计和热管理
其中模块的铝键合引线与芯片的键合点较小，芯片工作中产生的热量主要通过热传导的方式由芯片向基板单向传递，在此过程中会遇到一定的阻力，称为导热热阻。...
2024-04-07 495
如何快速设计过压保护电路
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，也被称为雪崩击穿二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。...
2024-04-06 143
二极管反向恢复电流测试方法解析
调节电压旋钮选择器件反向耐压，将电压设置到300V。在测试时，红色夹子和黑色夹子同输入交流电市电无隔离，请勿冒险将示波器探头和夹子连接。...
2024-03-29 137
二维材料异质外延GaN及其应用探索
传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底，在剥离的过程中，如蓝宝石就特别困难，会产生较大的材料损耗和额外成本，且剥离技术也有待进一步提高。...
2024-03-28 130
晶体管入门基础知识全面解析
基极电压升高时，BJT的基极电流开始流动，集电极电流与基极电流成正比。大约从0.7V开始发生电流流动。这个电压被称为基极-发射极阈值电压（VBE）。...
2024-03-27 476
探索天气影响下的三极管异常现象
当单板启动时，SLP_S3会输出3V3电平，此时Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三极管处于放大区时hFE=100计算，ic=100*1.3mA=130mA，已经超过了ic的饱和电流1.2mA（12V/10K）。...
2024-03-27 251
IGBT模块封装过程中的技术详解
IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。...
2024-03-27 325
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