三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:00
720 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:436006 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002000 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:17917 
，既有超强的性能，同时兼顾了低功耗的设计，外加强大的3D性能及视频处理能力，将成为三星高端市场的主力处理器。S5P6818 核心板尺寸为标配了1GB DDR3内存、8GB EMMC存储并配备有三星电源
2017-06-29 09:30:45
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据；②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
三星788df电路图纸,三星788df显示器原理图
2008-09-23 13:37:35
三星LED大功率灯杯铝合金灯体：防撞、散热性好; 电镀,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星GALAXY Note II的成功是大家有目共睹的，5.5英寸的超大屏幕，准旗舰的超高规格赢得了一批消费者的青睐，但是它不便宜的价格也让一些经济紧张的用户对之望而却步。因此，三星推出了相对
2012-12-19 15:54:04
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
的摄像头，整体成像质量出色，可满足用户的日常需求。三星I9000搭载了Android OS v2.1的智能操作系统，主频高达1GHz的处理器保证了整机的流畅运行，机身自带16GB的扩展存储，同时还支持高达
2011-05-04 18:51:39
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`2018年的手机盛事一桩接着一桩。苹果、华为、小米、魅族刚举行完新品发布会，三星马上宣布新机计划。三星即将推出市面上首款4摄像头手机产品，并加速进入中端市场。看来，千元买三星新手机的那些年，又回来
2018-10-29 17:01:33
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
预告明年的存储器市况持续走低。另外，三星高层主管指出，受到需求趋缓、价格下MAX3232EUE+T滑的影响，市况并不好，三星今年资本支出已创下历史新高纪录，三星今年在半导体部门资本支
2012-09-21 16:53:46
对DRAM价格带来不利的影响。三星打什么算盘颇堪玩味，而更多人担心，存储器产业也许在未来几年会有一个大的翻转，已经主导需求超过30年的DRAM、Flash组成存储器产业，会不会在MRAM等新技术出现后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
观点：苹果与三星这场“世纪专利大战”的硝烟看似早已渐去，实际上这两家公司在全球各地的法院展开的专利大战还未了结，双方又开始酝酿一场新的战斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面广告
2012-10-09 16:39:58
三星电子宣布开发出720万像素的CMOS图像传感器(CIS)，据称这是世界上第一款720万像素的袖珍相机CIS。在此前的6月份，三星推出了500万像素CIS。 三星这款720万像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
随机存储器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成为世界半导体产品领导者。在此之前，三星只是为本国市场生产半导体。 在八十年代中期，三星开始进入系统开发业务领域，在
2019-04-24 17:17:53
请问哪位有三星的2440u***驱动的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
请教一下各位大神，2A的整流桥用快恢复管来做，是否ＥＭＩ会很好呢？三星的手机充电器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星贴片电阻的卷带上的标签上有个P M2，在条码的旁边有时候是PM3或S之类的，哪位大虾告诉我下，那是什么意思啊？
2012-07-28 16:37:17
`这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张
2018-10-12 14:46:09
、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPROM存储器的理想代替产品。此外，Ramtron已计划在2008年陆续推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM产品。 
2008-10-08 09:23:16
海力士也将在2021年中推出基于176层4D NAND新技术的UFS和SSD产品。而三星虽然还未宣布下一代产品具体层数，但是近期也在公开会议中表示，将在2021年量产第七代V-NAND，使用“双堆栈
2022-01-26 08:35:58
） >>产品相关资源下载（游戏 主题 软件 电影 壁纸 铃声 电子书） 编辑点评：三星GALAXY S3拥有更快的四核处理器、更大的高清屏幕以及给力的识别系统，能够将这些元素汇集一身，目前市场上可以与之抗衡的机型寥寥无几，喜欢这款手机的朋友可以关注下。
2012-12-05 14:19:07
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2021-04-28 18:52:33
启动模式讲完了，我们知道是主闪存存储器启动的。主闪存存储器被映射到启动空间(0x0000 0000)，但仍然能够在它原有的地址(0x0800 0000)访问它。 接下来，再看一下它的启动流程是怎样
2021-08-20 07:29:53
。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v或者是3.3v。eMMC内嵌式存储器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND 但原理都
2013-05-27 22:01:53
） 功耗小，但是成本高，寿命到期后读不出来信息，并且难以修复。 7、光盘存储器 价格低，容量大，耐用，可用于长期保存数据。但是读出和传输速度比硬盘慢得多。光盘存储器三大类型：CD光盘存储器，DVD 光盘存储器，BD光盘存储器。
2019-06-05 23:54:02
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
欧电子长期全国回收品原装存储芯片：三星samsung，海力士SK hynix，现代hyniy，展讯SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，闪迪SANDISK芯片,东芝 TOSHIBA芯片,南亚
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
回收东芝手机字库 181-2470 同上1558 同步同号回收三星手机字库 stm8s207cbt6.，_回收意法半导体：从系统存储器导入，从sram导入。boot导入程序位于系统存储器，用于通过
2021-07-28 11:29:11
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 编辑
三星半导体推出的ARM Cortex-A8架构处理器，采用45nm低功耗精湛工艺，对于图形的处理和多媒体的兼容性都是
2011-03-30 14:30:37
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2021-03-10 17:45:41
女性的最爱 三星粉色GALAXY Note上市手机之家资讯中心4月9日消息，三星向来有推出粉色经典机型的习惯，如今这一颜色也用在了GALAXY Note上了，该机将于近期在香港上市，售价为5998
2012-04-13 18:49:11
你好，我创建了我的“BLE应用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的问题，因为我的应用程序返回GATT错误0x85与三星S5，而三星S4工作良好。我该怎么解决呢？有特定的设置吗？最好的问候阿尔贝托
2019-11-01 10:16:37
手机进水了怎么办？三星手机
2013-05-13 17:34:01
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
方便移动设备应用.存储器系统设计必须支持增长的带宽需求及更少的功耗.非易失性固态存储器与传统的NOR闪存相比，被证实可以减少功耗。存储器子系统架构存储器子系统架构是嵌入式设计者面临的主要挑战.存储器参数
2018-05-17 09:45:35
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
2020-03-19 14:04:57
` 【PConline 资讯】12英寸的平板真的会推出么？前段时间业内人士的预测引来无数猜想。近日，taiwan《Digitimes (电子时报)》引述计算机产业上游供应链消息称，苹果和三星均在计划
2013-10-29 10:18:00
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
`三星四核处理器Exynos 4412是当前最热门的ARM处理器之一，其强劲的性能、出色的功耗控制无不为行内人士称道。迅为电子推出国内最小的Exynos4412核心板，引出绝大多数处理器PIN脚资源
2013-06-18 16:07:28
损耗电流较小的特征。但在另一方面，由于单元是串联连结的，所以面向顺序存取，具有随机存取速度慢的缺点。三菱与日立结合NAND及NOR闪速存储器的特点，开发了DINOR（Divided bit－line NOR
2018-04-09 09:29:07
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
的。一般比较常用的SDRAM包括现代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如，4M×32位的SDRAM，现代公司的芯片型号为HY57V283220，三星公司的为K4S283232，美
2019-06-03 05:00:07
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略
摘要: NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量
2010-06-10 16:25:03
26 旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器
全球最大的序列式快闪存储器(Serial Flash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:23770 
对于许多消费类音视频产品而言，NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案，这在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品
2012-07-27 17:03:381471 
三星NAND闪存规格书 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 自于数据中心、电信与车用产品等。NOR型快闪存储器占上季旺宏营收48%为最大产品线。 旺宏电子总经理卢志远表示，预期今年高品质的NOR型快闪存储器价格仍稳定微扬，旺宏不做低阶产品，也仍看好SLC NAND市况，因此对今年营运看法乐观。
2018-02-01 05:34:011107 
西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271030 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:467373 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:00759 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:001645 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092422 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的单位面积上，TLC闪存比MLC存储的数据更多，而MLC又比SLC存储的数据多。另一种新型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通过在同一晶圆上垂直堆叠多层存储单元，这种类型的闪存可以获得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-09 16:05:251151 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01473 的投资额就达8万亿韩元（约合470亿元人民币）。新冠肺炎疫情导致NAND市场的不确定性大增。然而，三星电子过往多选择在景气低迷时大举投资，以此增强其在存储器领域的竞争力，此次再度大举投资扩产，或将带动其他NAND闪存厂商的跟进，再掀NAND闪存的扩产浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 昨日消息，国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业长江存储宣布推出UFS 3.1通用闪存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:55448 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36577 存储器的历史始于1984年，彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash（NAND 闪存）。1989年，东芝首款 NAND Flash 上市。2001年，许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:31328 对 NAND 存储器的需求也大幅增加。从移动或便携式固态硬盘到数据中心，从企业固态硬盘再到汽车配件， NAND 闪存的应用领域和使用场景愈发多样化，各种要求也随之出现，常见的譬如更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中，由于市场持续低迷，三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:1515 
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