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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>工艺/制造>硅衬底LED芯片主要制造工艺 - 全文

硅衬底LED芯片主要制造工艺 - 全文

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武大发现PSSA衬底可提高LED芯片的效率

据报道,武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA(patterned sapphire with silica array)衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法,提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓(InGaN/GaN)倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:23793

芯片制造工艺概述

本章将介绍基本芯片生产工艺的概况,主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是:薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺
2021-04-08 15:51:30140

探究Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了
2021-04-21 09:55:203870

芯片制造工艺流程步骤

芯片制造工艺流程步骤:芯片一般是指集成电路的载体,芯片制造工艺流程步骤相对来说较为复杂,芯片设计门槛高。芯片相比于传统封装占用较大的体积,下面小编为大家介绍一下芯片制造流程。
2021-12-15 10:37:4041572

两种标准的半导体制造工艺介绍

标准的半导体制造工艺可以大致分为两种工艺。一种是在衬底(晶圆)表面形成电路的工艺,称为“前端工艺”。另一种是将形成电路的基板切割成小管芯并将它们放入封装的过程,称为“后端工艺”或封装工艺。在半导体制造
2022-03-14 16:11:136771

空腔-SOI衬底制造MEMS谐振器的工艺流程

常规的绝缘层上硅 (Silicon on Insulator, SOI)是通过注氧隔离 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割 (Smart Cut) 等方法在体硅衬底中引入绝缘层,从而达到表层硅与衬底硅电学隔离的目的的。
2022-10-12 09:09:261421

硅基氮化镓衬底是什么 衬底减薄的原因

  硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底,它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度,从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:081130

砷化镓芯片和氮化镓芯片制造工艺及优缺点分析

砷化镓芯片制造工艺要求高,需要精确控制工艺参数,以保证芯片的质量;砷化镓芯片制造过程中,由于砷化镓的比表面积较大,容易形成气泡,影响芯片的质量;砷化镓芯片制造过程中,由于砷化镓的比表面积较大,容易形成气泡,影响芯片的质量。
2023-02-20 16:32:244642

几种led衬底主要特性对比 氮化镓同质外延的难处

GaN半导体产业链各环节为:衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中,衬底是整个产业链的基础。 作为衬底,GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:31664

晶能光电硅衬底UVA LED 产品性能处于行业先进水平

2023年9月,第三届紫外LED国际会议暨长治LED发展推进大会在长治隆重召开,国内外专家云集,深入交流紫外LED最新技术进展与发展趋势。晶能光电外延工艺高级经理周名兵受邀作《硅衬底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:285752

汇顶科技“芯片芯片制造方法”专利获授权

 根据专利摘要,芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本体(10)。芯片本体(10)包括:衬底(101)、器件层(102)和多孔硅结构,器件层(102)位于衬底(101);多孔硅结构设置于衬底(101)上,多孔硅结构用于与化学开盖溶液反应以破坏芯片本体(10)。
2023-10-20 10:19:31408

国内主要碳化硅衬底厂商产能现状

国内主要的碳化硅衬底供应商包括天岳先进、天科合达、烁科晶体、东尼电子和河北同光等。三安光电走IDM路线,覆盖衬底、外延、芯片、封装等环节。部分厂商还自研单晶炉设备及外延片等产品。
2024-01-12 11:37:03864

半导体衬底和外延有什么区别?

衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-03-08 11:07:41161

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