V TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术，EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器
2022-05-30 15:10:15
3085 
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合，为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低损耗和短路耐用性至关重要的三相电机驱动应用
2012-09-10 09:59:45613 英飞凌科技股份有限公司扩展其第叁代逆导 （RC） 软切换绝缘闸双极性电晶体 （IGBT） 产品系列，推出 30A和40A电流的1200V 和1350V型产品，以因应市场对高可靠性的持续需求。
2012-10-24 09:14:361052 大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:347768 
针对工业驱动应用的技术需求，在最新一代模块中，与IGBT7搭配使用的续流二极管（FWD），也已进行了优化。
2020-01-06 16:53:071700 相比前几代产品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能带来更高功率密度，大大降低损耗，并实现对电机驱动应用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00721 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN为满足客户对更高功率密度产品的需求，而最新推出的宽压高功率密度产品。
2020-08-04 11:13:351227 也显而易见，更少的组件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和温度 功率密度是在给定空间内可处理多少功率的度量，基于转换器的额定功率以及电源组件的体积计算得出。电流密度也是一种与功率密度有关的指标，
2022-12-26 09:30:522114 半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
在 400VAC 50/60Hz 并网连接时的最大输出功率为 10kW/10KVA工作功率因数范围为 0.7 滞后至 0.7 超前基于高压 (1200V) SiCMosFET 的全桥逆变器，峰值效率高
2018-10-29 10:23:06
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
G002”和“BSM600D12P3G001”。ROHM于2012年3月份于全球首家开始量产内置功率半导体元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着
2018-12-04 10:20:43
二极管本器件采用了最新的半导体技术［1、2］：IGBT4和EmCon4二极管。英飞凌推出的全新1200V IGBT4系列，结合改进型发射极控制二极管，针对高中低功率应用提供了三款产品，可面向不同应用满足
2018-12-07 10:23:42
要确定主电路拓扑结构，这个和IGBT选型密切相关，额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式
2022-05-10 10:06:52
对应很大的脉冲电流。驱动较长信号线缆的器件要注意使用缓冲电路。注意线缆阻抗匹配失调所可能导致的额外电流等等。本文的篇幅较长，主要的目的就是希望引起对IGBT驱动芯片额定输出功率密度相对不足的重视。如果
2018-08-14 15:05:21
二极管方面已经做出了许多努力。这些新一代二极管的主要开发采用体晶圆、薄晶圆技术、n+背表面接触、激光退火和多质子注入，均用于二极管制造［1-5］。本文介绍了具有不同额定电流的1700V软恢复二极管。具有尾
2023-02-27 09:32:57
其产品组合，以补充现有的1700 V系列，从使用升级的LoPak模块封装的1200 V，900 A x 2模块开始。图5.1200 V， 900 A X 2 LoPak 模块图6.带 TIM 的模块
2023-02-22 16:58:24
Transistor：JFET）效应。以Trench + Field-Stop技术命名的IGBT主要包括英飞凌、富士电机、飞兆半导体和IR等公司的新型IGBT产品。表 2给出了英飞凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
进一步减小，甚至消除。 结论 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使设计工程师设计出更高功率密度的产品。开关性能的优化可使许多应用选用一个更低电压等级的MOSFET，从而全面优化通态电阻、成本
2018-12-06 09:46:29
过程中，确保在未来以比现有交通工具更少的排放实现更高水平的个人交通能力。电子器件对提高能效具有至关重要的作用。为了帮助节能和减少污染，英飞凌利用同类最优的技术，为混合动力汽车（HEV）提供各种高性能
2018-12-13 17:15:46
48V 电压驱动至电路板。那么，还有什么其他办法可以在不增加成本的前提下提高数据中心的功率密度呢？本文概述了一种两级架构解决方案——以一种灵活的、可调节的、高性价比方式，将 48V 电压驱动至负载点
2021-05-26 19:13:52
我需要24V降压15V 的降压模块，但是降压模块的额定电流 有什么用，根据什么选择额定电流的大小；还有如果需要24V 的电源，但是如何选择改用多大其额定电流希望前辈们指教！！！感谢
2022-02-19 17:12:32
。所有这些应用都需要具备更高功率密度的先进半导体系统。此类功率模块的决定性要素是出色的可靠性、坚固性和长使用寿命。 图1 英飞凌1200V功率模块振动条件下的坚固性和可靠性不仅是牵引应用关注的焦点，同时也
2018-12-03 13:49:12
电流条件下为 24V，开关频率为 500kHz。16 个 10μF陶瓷电容器 (X7R 型，1210 尺寸) 起一个跨接电容器的作用，以传送输出功率。图 1：一款采用 LTC7820 的高效率、高
2018-10-31 11:26:48
而言。为满足这种产品的各种要求，采用全套功率模块常常是比较有利的。这可确保改善热管理、降低寄生电感，并大幅提高整体性能。在这里，采用这种全新的器件，可显著减少器件的数量。图3的例子显示了在功率模块
2018-12-07 10:21:41
VF）和最先进的耐用性，提供了额外的自由度，通过较低的额定电流以较低的成本实现了高效率和可靠性，同时降低了工作温度并延长了应用寿命。它们确保与每个需要极高功率密度和效率的开关模式转换器和逆变器完美匹配
2020-06-30 16:26:30
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆变器控制所需的 PWM 信号。主要特色 三相逆变器系统具有：额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块。（支持多家供应商）7 个增强型隔离式
2018-12-27 11:41:40
) IGBT与非穿通(NPT)型IGBT(图3 a与b)，过渡到目前国际最新的沟槽栅场截止(Trench+FS)技术(图3 c)。针对焊机产品的1200V系列正是采用了这一最新技术。相对于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
的概念。例如：功率电感器的额定电流有两种，它们之间存在这怎样的差异呢？ 想了解它们之间的差异，首先就得了解存在两种额定电流的原因。功率电感器的额定电流有"基于自我温度上升的额定电流"
2017-06-10 10:15:58
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
看出，即使流过保险丝的电流大于额定电流小于或者等于常规不熔断电流时，保险丝也不会发生熔断现象。同时，保险丝具有延时性能，也不一定能马上熔断（TT延时，T延时，F延时性能） 例如：额定电流是2A，当
2018-02-27 14:09:03
℃下的功率循环能力3 IHM B模块的新型引出端设计由于新型芯片技术使得电流密度不断增加，现有的模块必须要能容纳标称电流值高达3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模块的缺陷与局限
2018-12-03 13:51:29
描述对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言，并联 IGBT 变得很有必要，因为在这类应用中，单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 TI 设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块来
2018-12-07 14:05:13
快，效率高，具有卓越的热性能和系统可靠性，总面积为700mm2，输出功率为48W。输入电压为60V，输出电压为1V，电流50A，开关频率600kHz时，48V的效率为88%，如图3所示。模块效率峰值为91
2019-07-29 04:45:02
更高的功率密度。GaN的时代60多年以来，硅一直都是电气组件中的基础材料，广泛用于交流电与直流电转换，并调整直流电压以满足从手机到工业机器人等众多应用的需求。虽然必要的组件一直在持续改进和优化，但物理学
2019-03-01 09:52:45
元件全部由碳化硅组成的全SiC功率模块。其后，产品阵容不断扩大，并拥有达1200V、300A的产品，各产品在众多领域中被广为采用。随着新封装的开发， ROHM继续扩充产品阵容，如今已经拥有覆盖IGBT
2018-12-04 10:19:59
封装中容纳更多的硅，从而实现比分立QFN器件更高的功率密度。这些器件还具有带裸露金属顶部的耐热增强型DualCool™封装。因此，尽管仍存在一些情况，即电动工具制造商可能更倾向于使用TO-220 FET来
2017-08-21 14:21:03
达 600 Vac 的低压驱动器适用于额定电流高达 1000 A 且 Qg 高达 10 uC 的中等功率 IGBT 模块双极性（+15 V 和 -8 V）闸极驱动器电压通用 MOSFET 尺寸让用户能
2018-09-04 09:20:51
高密度智能功率模块（IPM）推向市场。由于采用精细间距技术实现高布线密度的直接键合铜（DBC）基板，改善了热性能，这些紧凑型IPM远小于具有相同电流和电压额定值的竞争产品。它们也表现出降低的功率损耗
2018-10-18 09:14:21
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
模块长期高价回收英飞凌IGBT模块FF300R12KT3_E 300A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ? 无锡不限量收购回收英飞凌IGBT模块电话151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
电机铭牌上的额定电流是电机厂测量值还是理论算出来的，怎么不同厂家的同功率同级对数的电机，额定电流，转速什么的都不一样呢？
2023-11-16 07:47:45
` 功率电感选型关键因素-额定电流？在实际的电源设计中，功率电感的选择尤为关键。在DC-DC转换器中，电感器是仅次于IC的核心元件。通过选择恰当的电感器，能够获得较高的转换效率。在选择电感器时所
2019-07-06 16:10:32
时间内（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），该器件具备出类拔萃的开关性能和短路鲁棒性。结论利用英飞凌新型650V IGBT4可开发出专用于大电流应用的逆变器设计，以部署
2018-12-07 10:16:11
_E 400A,1200V,共发射极,用于矩阵开关,双向变换器等 62mm ?盐城高价回收收购英飞凌IGBT模块FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收购
2021-09-17 19:23:57
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达1
2023-01-10 11:29:08
终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率
2023-01-12 11:28:56
附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可
2023-02-07 09:50:06
层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展
2023-02-07 13:46:10
，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还
2023-02-07 14:31:30
电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的
2023-02-07 14:38:49
（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范
2023-02-24 14:45:08
，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它
2023-02-24 14:55:47
附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可
2023-02-24 15:28:34
40-140A 1200V的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。 产品特点 ：得益于著名的英飞凌出色VCEsat
2023-03-17 13:31:16
电感的额定电流额定电流是指能保证电路正常工作的工作电流。有一些电感线圈在电路工作时，工作电流较大，如高频扼流圈、大功率谐振线圈以及电源滤
2009-08-22 14:32:355412 Infineon 公司的EconoDUAL 3模块是600A/1200V的IGBT,主要的典型应用包括自动驱动系统的频率变换器,光伏电压系统的中央逆变器,汽车柴油发动机驱动器(CAV),同等封装尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
2014年12月2日，慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式 IGBT 产品组合，推出新型 TO-247PLUS 封装，可满足额定电流高达 120A 的 IGBT封装，并在相同的体积和引脚内装有满额二极管作为 JEDEC 标准TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047283 Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模块功率半导体产品组合的最新产品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比该产品组合之前产品的最高额定电流（450A），新型半桥IGBT模块
2016-10-25 16:29:152734 1200V沟槽栅场截止型IGBT终端设计_陈天
2017-01-08 14:36:35
7 IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电和蓄电等。
2018-06-04 08:31:002053 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流
2018-05-18 09:04:001989 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，针对工业电机驱动应用进行芯片优化，实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:4412361 本文主要是介绍额定电流的概念，另外还介绍了额定电流的性质及选择。
2018-08-19 11:40:0750636 英飞凌日前利用采用先进中性点钳位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓扑结构，将混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V
2019-09-14 10:56:003726 英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）为其1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7系列推出新的电流额定值模块。
2020-04-30 11:52:394039 TRENCHSTOP IGBT7现在提供TO-247封装，电流等级为20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7带来更高的击穿电压（650V）、一流的性价比和效率，实现简单的即插即用解决方案
2020-10-22 09:33:303189 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:022084 该IPM封装为DIP 36x23D。这使得它成为最小的1200V IPM封装，在同类产品中具有最高的功率密度和最佳性能。
2021-06-30 11:03:561530 工况下IGBT4与IGBT7的结温对比。实验结果表明，在连续大功率负载工况与惯量盘负载工况的对比测试中，IGBT7的结温均低于IGBT4。 伺服驱动系统响应速度快，过载倍数高，小型化和高功率密度的趋势更是对功率器件提出了更苛刻的要求。英飞凌明星产品IGBT7凭借超低导通压降、dv/dt可控、175℃过载结温
2021-10-26 15:41:192729 
值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16874 也显而易见，更少的组件，更高的集成度以及更低的成本。 更高的功率密度和温度 功率密度是在给定空间内可处理多少功率的度量，基于转换器的额定功率以及电源组件的体积计算得出。电流密度也是一种与功率密度有关的指标，转
2022-12-26 07:15:02723 英飞凌IGBT 英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协 我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模块产品系列，它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级，适用于
2023-02-16 16:30:581135 ，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供业内领先的负极 VS 负瞬态电压抗
2023-06-06 11:03:03420 
/引言/英飞凌TRENCHSTOPIGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EVcharger、焊机
2023-05-31 16:51:27639 
型号：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT，适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值，能够提供低导通
2023-08-25 16:58:531479 
了该封装的功率密度上限。目标应用领域：1200VP7模块首发型号有以下两个：相比于以前的IGBT4或IGBT5产品，新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 什么是温升电流？什么是额定电流？ 电流是电子在导体中通过的速度或电量。电流的大小决定了导体中电荷的流动方向和速度，所以在电路中电流的大小对于电路的正常运行具有重要的作用。在电路中，电流
2023-09-14 10:53:271266 来提高其功率容量。 然而，功率电感器有两种额定电流值，即预定电流和最大电流。在这篇文章中，我们将讨论这两种类型之间的差异及其对功率电感器的性能的影响。 预定电流 预定电流是指功率电感器设计时的额定电流值，一般以标准
2023-10-25 11:39:51690 采用IGBT7高功率密度变频器的设计实例
2023-12-05 15:06:06375 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233 
短时额定电流和长时额定电流的区别有哪些？ 短时额定电流和长时额定电流是两种与电流相关的术语，用来描述电器或电气设备能够承受的最大电流负载。它们在定义、应用和重要性等方面存在一些区别。在本文
2024-01-30 16:51:59202 你IGBT7S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。H7
2024-02-23 08:13:15157 你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。 H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54101 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574
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