西部数据和Kioxia研发第五代BiCS 3D NAND成功，今年实现量产
根据消息报道，西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布，他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功，第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产，今年下半年可能会实现商业化量产。
2020-02-04 16:25:34
不再是HBM，AI推理流行，HBF存储的机会来了？
NAND闪存和高带宽存储器（HBM）的特性，能更好地满足AI推理的需求。 HBF的堆叠设计类似于HBM，通过硅通孔（TSVs）将多个高性能闪存核心芯片堆叠，连接到可并行访问闪存子阵列的逻辑芯片上。也就是基于 SanDisk的 BICS 3D NAND 技术，采用CMOS直接键合到阵列（CBA）设计，将3D NA
2025-02-19 00:51:00
Western Digital和Kioxia宣布BiCS5 112层3D NAND
Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:00
S29GL01GT10TFI010闪存芯片S29GL01GT11TFV010
智能手机用户在5G时代的移动体验。同样为了满足5G手机需求，东芝存储TMC在1月份率先发布首款UFS 3.0嵌入式存储产品，也是采用最先进的96层BiCS 3D NAND，三星推出业界首款1TB大容量
szcxhs2018
2022-02-01 22:50:14
凭借BiCS5 3D NAND技术西部数据进一步增强其存储领域领导优势
BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺，是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。
2020-02-10 19:46:29
什么是3D NAND闪存？
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:39
东芝WD联盟3D NAND采用三星技术进行量产
Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
abdkjshd
2021-06-18 06:06:00
未来的3D NAND将如何发展？
NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:13
解析西部数据开发的第五代3D NAND技术
西部数据公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成，以有
2020-07-24 15:09:13
芯片的3D化历程
衍生了一些新的技术，来助力其闪存产品向3D方向发展。其中，就包括了三星的V-NAND、东芝的BiCS技术3D NAND、英特尔的3D XPoint等。三星在3D NAND闪存上首先选择了CTF电荷撷取
advbj
2020-03-19 14:04:57
未来的3D NAND将如何发展？如何正确判断一款3D NAND的总体效率？
依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰会
2020-11-20 17:15:44
美光发布176层3D NAND闪存
存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:55
不要过于关注3D NAND闪存层数
NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:49
LiteOn推出采用东芝64层3D NAND最新SSD
近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。
2019-02-18 15:33:37
铠侠计划2030-2031年推出千层级3D NAND闪存，并开发存储级内存（SCM）
目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。
2024-04-07 15:21:57
3D NAND技术堆叠将走向何方?
发展至今，NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久，存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”，2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:37
有了2D NAND，为什么要升级到3D呢？
2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:39
3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破
记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:47
旺宏将于2020年开始出货3D NAND
台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:29
三星：2030年3D NAND将进入1000层以上
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:29
3D NAND及PCIe NVMe SSD为什么能晋升巿场主流？
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
60user141
2021-04-02 07:17:39
S26KL512SDABHB020闪存芯片S26KS512SDGBHB030
3D NAND的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年采用BiCS 3技术生产的64层3D NAND能占到3D NAND产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。另一组资料显示
szcxhs2018
2022-02-03 11:41:35
第五代BiCS Flash 3D存储芯片可以将接口速度提高50%
存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。
2020-02-03 15:44:22
预期提前，铠侠再次加速，3D NAND准备冲击1000层
电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:00
群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND
闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:09
铠侠开发新的3D半圆形闪存单元结构“Twin BiCS FLASH”
铠侠株式会社（Kioxia Corporation）近日宣布将使用专门设计的半圆形浮置栅极（FG）单元开发全球首个［1］三维（3D）半圆形分栅型闪存单元结构“Twin BiCS FLASH”。
2019-12-14 12:03:57
工商网监
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