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电子发烧友网>新品快讯>GT Advanced推全新MonoCast晶体生长系统

GT Advanced推全新MonoCast晶体生长系统

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麻省理工在硅片上直接生长晶体

新方法在整个8英寸晶圆上生长出一个光滑、高度均匀的层,而不像以前的方法,在将二维材料转移到芯片或晶圆之前,要在其他地方生长二维材料。这一过程经常导致不完美,对设备和芯片性能产生负面影响。
2023-05-05 14:29:54696

LabVIEW中执行系统命令VI介绍

LabVIEW自带一个执行系统命令VI(System Exec.vi),位于函数选板的“互连接口”&gt;&gt;“库与可执行程序”&gt;&gt;“执行系统命令”
2023-04-25 11:47:495809

搭载恩智浦S32G3的广汽埃安Hyper GT亮相2023上海车展

日前,广汽埃安全新高端纯电豪华品牌系列车型Hyper GT在2023上海车展正式亮相。仿佛穿越未来世界而来,Hyper GT拥有的不仅是科幻旋翼的炫酷金属外观,更具有智能硬核内在:新车基于广汽AEP
2023-04-21 11:15:04440

红外InAsSb探测器:符合RoHS标准,可替MCT

晶体很难均匀生长,探测器的光敏面以及不同芯片之间D*通常会发生变化,晶体生长困难增加了探测器成本;2、探测器制冷增加了尺寸和运行功耗;3、MCT含有重金属元素汞,不符合RoHS标准。 InAsSb探测器的出现就可以很好地解决以上问题。接下来我们通过展示与
2023-04-07 07:31:05639

15A600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T(F)(S)规格书参数

供应15A600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T(F)(S),提供SGT15T60SD1T(F)(S)关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向士兰微IGBT代理骊微电子申请。&gt;&gt;
2023-04-03 15:15:382

高效太阳能电池的配体锚定诱导定向晶体生长

窄带隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金钙钛矿太阳能电池是一种有前途的全钙钛矿串联器件底部组件电池,有望提供比单结太阳能电池的理论Shockley-Queisser 极限更高的效率。
2023-04-01 17:25:181083

SIC碳化硅MOSFET的制造工艺

介绍了SIC碳化硅材料的特性,包括材料结构,晶体制备,晶体生长,器件制造工艺细节等等。。。欢迎大家一起学习
2023-03-31 15:01:4817

IDTP9165 Advanced 数据表

IDTP9165 Advanced 数据表
2023-03-30 19:22:570

IDTP9167 Advanced 数据表

IDTP9167 Advanced 数据表
2023-03-30 19:21:510

IDTP9122Advanced 数据表

IDTP9122 Advanced 数据表
2023-03-30 19:04:430

IDTP9120 Advanced 数据表

IDTP9120 Advanced 数据表
2023-03-30 19:04:280

STM32F103ZET6小系统

STM32F103ZET6小系统板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25

STM32F407ZGT6小系统

STM32F407ZGT6小系统板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25

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