电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>新品快讯>T3/E3/STS-1 Low Cost Repeater

T3/E3/STS-1 Low Cost Repeater

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

PE-65662NLT

XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:1 45UH
2024-03-14 22:19:27

PE-65664NL

XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:2CT 35UH
2024-03-14 22:19:27

推荐!一个经典的单片机供电电路

)接地,处于截止状态。T3的基级电阻R7所连接的Test,T1都处于截止状态,所以T3也处于截止状态。 电源+9V被T3隔离,没有加载稳压芯片IC2上,IC2的输出VCC保持低电平。电路关闭状态电路图
2024-03-14 09:15:05

SI4840BDY-T1-E3-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

**SI4840BDY-T1-E3-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** SI4840BDY-T1-E3-VB- **丝印:** VBA1410- **封装
2024-02-20 11:06:42

S6E1C3能否产生重复启动?

正在尝试让 i2c Master 在 S6E1C3 上运行。 我正在看 \" i2 \" c_master_polling 中的示例代码。 我注意到它没有显示 “重复开始” 条件的示例。 S6E1C3 能否产生重复启动? 如果是, CAN 提供有关如何完成此操作的一些指导。
2024-01-30 08:16:43

使用TLE9891/TLE9893调试,重新上电MCU会报CSC_OC_IS和WD_FAIL_STS两个故障,导致无法驱动电机怎么解决?

_CLR FSWD_RST_CLR 还做过以下排查,但是故障任然存在 1、喂狗; 2、通过这个命令清除 MISC_CTRL.TRIG_RST=1; 3、FS_WDT self-test成功了; 4、参考了FS_WDT initialization 时序;
2024-01-24 06:55:13

TIMER3设置成外部捕获模式,T3_EXT引脚每秒输入10个脉冲,为什么得到的CNT寄存器和CAP寄存器的值这么大?

TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028 如果把TIMER3设置成事件计数模式,T3引脚 同样每秒输入10个脉冲,CNT计数就比较准。
2024-01-17 07:40:32

SI4466DY-T1-E3-VB场效应管一款N沟道SOP8封装的晶体管

型号:SI4466DY-T1-E3-VB丝印:VBA1303品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:30V- 额定电流:18A- 静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ @ 10V
2023-12-22 15:36:20

SI4420BDY-T1-E3-VB场效应管一款N沟道SOP8封装的晶体管

型号:SI4420BDY-T1-E3-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:30V- 最大持续电流:12A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):12m
2023-12-22 10:56:23

CA51F003T3 CA51F003T3芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器MCU

CA51F003T3芯片是基于1T 8051内核的8位微控制器,它具有高性能、低功耗、高可靠性等特点,被广泛应用于各种嵌入式系统中。一、CA51F003T3芯片的特点1. 高性能
2023-12-21 18:32:30

SI4848DY-T1-E3-VB场效应管一款N沟道SOP8封装的晶体管

型号:SI4848DY-T1-E3-VB丝印:VBA1158N品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:150V- 最大持续电流:5.4A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):80m
2023-12-21 17:35:48

SI4816BDY-T1-E3-VB场效应管一款N沟道SOP8封装的晶体管

型号:SI4816BDY-T1-E3-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数说明:- N沟道- 额定电压:30V- 最大电流:12A- 静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V
2023-12-21 17:12:00

SI2307CDS-T1-E3-VB场效应管一款P沟道SOT23封装的晶体管

型号:SI2307CDS-T1-E3-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-30V- 最大持续电流:-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):47m
2023-12-21 17:08:00

TN0200T-T1-E3-VB场效应管一款N沟道SOT23封装的晶体管

型号:TN0200T-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:20V- 最大连续电流:6A- 静态导通电阻(RDS(ON)):24m
2023-12-21 16:58:46

SI4401BDY-T1-E3-VB场效应管一款P沟道SOP8封装的晶体管

型号:SI4401BDY-T1-E3-VB丝印:VBA2412品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-40V- 最大持续电流:-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):13m
2023-12-21 16:11:17

SI4425BDY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

型号:SI4425BDY-T1-E3-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数:- P沟道- 最大耐压:-30V- 最大电流:-11A- 静态导通电阻:10mΩ @ 10V, 13m
2023-12-20 11:46:33

SI4850DY-T1-E3-VB一款N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

型号:SI4850DY-T1-E3-VB丝印:VBA1630品牌:VBsemi参数:- N沟道- 最大耐压:60V- 最大电流:7.6A- 静态导通电阻:27mΩ @ 10V, 32m
2023-12-20 10:44:08

SI2314EDS-T1-E3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号:SI2314EDS-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:- N沟道- 最大耐压:20V- 最大漏电流:6A- 静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V
2023-12-18 17:09:54

SI4413DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

根据提供的型号和参数,以下是对该 MOSFET 型号 SI4413DY-T1-E3-VB 的详细参数和应用简介:**型号:** SI4413DY-T1-E3-VB**丝印:** VBA2311
2023-12-18 17:08:07

SI4825DDY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

型号:SI4825DDY-T1-E3-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数:- P沟道- 额定电压:-30V- 最大电流:-11A- 开态电阻 (RDS(ON)):10mΩ @ 10V
2023-12-14 16:08:27

TN0200TS-T1-E3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号:TN0200TS-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 最大耐压:20V- 最大持续电流:6A- 开通电阻(RDS(ON)):24m
2023-12-14 10:12:05

TN0200K-T1-E3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号:TN0200K-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:- 类型:N沟道- 最大耐压:20V- 最大电流:6A- 静态开启电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V
2023-12-13 17:37:54

SI4948BEY-T1-E3-VB一款2个P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

型号:SI4948BEY-T1-E3-VB丝印:VBA4658品牌:VBsemi参数:- 类型:2个P沟道- 额定电压(Vds):-60V- 最大持续电流(Id):-5.3A- 导通电阻(RDS
2023-12-13 17:35:24

SI9424DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

详细参数说明:- 型号:SI9424DY-T1-E3-VB- 丝印:VBA2216- 品牌:VBsemi- 参数:P沟道,-20V,-8A,RDS(ON),16mΩ @ 4.5V,19.2m
2023-12-13 15:28:40

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;门源电压范围:20Vgs
2023-12-13 10:51:41

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通电阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),正负阈值电压
2023-12-13 10:46:20

SI4435DY-T1-E3-VB一款P沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;门源
2023-12-13 10:26:00

SI4946BEY-T1-E3-VB一款2个N沟道SOP8封装MOSFET应用分析

SI4946BEY-T1-E3(VBA3638)是一款N沟道MOS型号,封装为SOP8。该产品具有以下参数:工作电压为60V,最大电流为6A,开通电阻为27mΩ(在10V下),32mΩ(在4.5V下
2023-11-30 16:04:23

SI4953ADY-T1-E3-VB一种2个P沟道SOP8封装MOS管

详细参数说明:该型号VBsemi SI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道,工作电压为-30V,最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35m
2023-11-20 17:48:10

SI9435DY-T1-E3-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号   SI9435DY-T1-E3-VB丝印   VBA2333品牌   VBsemi参数   P沟道 工作电压  
2023-11-15 17:26:51

SI9435BDY-T1-E3-VB-SOP8封装P沟道MOSFET

型号   SI9435BDY-T1-E3-VB丝印   VBA2333品牌  VBsemi参数   P沟道 工作电压  
2023-11-15 11:56:53

SI4848DY-T1-E3-VB-SOP8封装沟道MOSFET

型号   SI4848DY-T1-E3-VB丝印   VBA1158N品牌  VBsemi参数   N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80m
2023-11-15 11:11:18

TN0200TS-T1-E3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET

型号  TN0200TS-T1-E3-VB丝印  VB1240品牌  VBsemi参数   沟道类型  N沟道 最大耐压
2023-11-13 11:56:41

TN0200K-T1-E3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET

型号  TN0200K-T1-E3-VB丝印  VB1240品牌  VBsemi参数   类型  N沟道 最大耐压  
2023-11-11 11:53:29

SI9948AEY-T1-E3-VB-SOP8封装2个P沟道MOSFET

型号 SI9948AEYT1E3丝印 VBA4658品牌 VBsemi详细参数说明  极性 2个P沟道 额定电压 60V 额定电流 5.3A 开通电阻(RDS(ON)) 58m
2023-11-07 10:56:52

D3V3L1B2T 1 通道双向 TVS 二极管

D3V3L1B2T  产品简介DIODES 的 D3V3L1B2T 这款在取代低工作电压至关重要的便携式应用中的多层压敏电阻 (MLV),与 MLV 相比,它具有卓越的电气特性,例如更低
2023-10-10 19:54:24

全志T113-S3入门资料汇总(避坑指南)一

启动器,负责将屋子收拾干净,等后面linux系统进来入驻。 我们需要用串口连接板子上的E2,E3,GND,可以用usb-ttl工具去连,于是电脑上就可以通过usb-ttl看到T113串口输出的信息了
2023-09-08 10:15:04

labview怎么读取.sie和.sts文件啊?

labview如何读取eDaq测试生成的.sie文件?? 以及另外一个软件生成的.sts文件?
2023-08-30 15:34:23

TIMER3设置成外部捕获模式,得到的CNT寄存器和CAP寄存器的值怎么会这么大呢?

TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028 如果把TIMER3设置成事件计数模式,T3引脚 同样每秒输入10个脉冲,CNT计数就比较准。
2023-08-29 07:09:18

T3-1T+是一款变压器

Mini Circuits 的 T3-1T+ 是一款巴伦,频率为 0.05 至 250 MHz,插入损耗为 0.43 至 2.16 dB,电流为 30 mA,功率为 0.25 W,回波损耗为 5 至
2023-08-24 15:43:07

T3-1T-KK81+是一款变压器

 Mini Circuits 的 T3-1T-KK81+ 是一款巴伦,频率为 0.05 至 250 MHz,插入损耗为 0.43 至 2.16 dB,电流为 30 mA,功率为 0.25
2023-08-24 15:17:05

全志t3和a40i有什么区别?

全志t3和a40i有什么区别? 全志是中国芯片制造商,在市场上推出了很多种芯片,其中t3和a40i是两种非常受欢迎的产品。这两种芯片在市场上都备受关注,但很多人并不知道它们之间的区别是什么。本文
2023-08-16 11:16:212351

求助,STM32F103ZET6丝印ST后面的e3e4是什么意思?

e4 菲律宾(PHL)产的批次工作正常,e3台湾(TWN)生产的批次工作不正常。
2023-08-07 12:41:40

TPS-1 Low-cost Solution Kit-硬件手册 Rev.1.02

TPS-1 Low-cost Solution Kit - 硬件手册 Rev.1.02
2023-07-06 18:46:411

全志科技T3国产工业核心板规格书(四核ARM Cortex-A7,主频1.2GHz)

1 核心板简介创龙科技SOM-TLT3是一款基于全志科技T3处理器设计的4核ARM Cortex-A7国产工业核心板,每核主频高达1.2GHz。核心板通过邮票孔连接方式引出CSI、TVIN、MIPI
2023-06-28 10:16:23

全志科技T3国产工业评估板规格书(四核ARM Cortex-A7,主频1.2GHz)

1 评估板简介创龙科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3处理器设计的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗国产评估板,每核主频高达1.2GHz,由核心板和评估底板组成。评估板接口资源丰富
2023-06-28 10:11:48

HFTA-09.0: T3/E3/STS-1光纤扩展

通常,T3/E3/STS-1 信号在短距离内传输,但某些应用需要更长的距离。T3/E3/STS-1 光纤到铜转换器接收铜缆信号并将其转换为光信号,通过光纤链路传输。一对转换器将 T3/E3
2023-06-10 15:28:44501

3. 欧姆龙PLC - CP1E与CP1E-S主要硬件区别#硬声创作季

plc欧姆龙CP1E
或许发布于 2023-06-07 13:12:22

【瑞萨FPB-RA6E1快速原型板】开箱+环境搭建+e2studio项目搭建

1.选择一个目录作为工作目录 2.文件--新建--新建瑞萨C/C++--新建RA 3.项目名称为testblink,点击下一步。然后选择borad,选择FPB-RA6E1,选择调试器为j-link,如下
2023-05-25 01:17:30

T3A3-08 宽带双音终结器 (T3) 混频器

   T3A3-08 是一款宽带双音终结器 (T3) 混频器,集成了一个仅正偏压的 LO 缓冲放大器。它是一种具有成本效益的即插即用混频器,具有出色的线性度和低正弦波
2023-05-24 15:08:45

ESP32-WROOM32-UE只有一个触摸针 (T6) 不工作的原因?

使用 ESP-IDF V4.4.2。 在 PCB1 上读取是可以的: [size=85%]T0:[1605,1605] T1:[1101,1102] T2:[1571,1571] T3:[1558,1558] T
2023-04-12 07:31:43

STS321240B301

STS321240B301
2023-04-06 23:34:43

CT817B(S)(T3)-H

CT817B(S)(T3)-H
2023-04-06 23:31:04

XRT94L31IB

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:30:04

XRT94L33IB-L

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:30:04

XRT94L33IB

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:28:42

XRT94L31IB-L

IC MAPPER DS3/E3/STS-1 504TBGA
2023-04-06 15:28:37

DS32512

IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:44

DS32512A2

IC LIU DS3/E3/STS-1 144CBSGA
2023-04-06 11:50:42

XRT75L03DIVTR-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:35

XRT75R06DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:34

XRT75R06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:34

XRT75L03DIV

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:32

XRT75L06DIB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75L06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R12DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:32

XRT75R12DIB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:32

XRT73R12IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:31

XRT75L03IV

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:31

XRT75L03IVTR-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:50:31

XRT75L06DIB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:31

XRT75L06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:31

XRT73L06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R06IB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73R12IB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:50:30

XRT73L06IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:50:29

XRT75R12IB

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:49:44

XRT75L03DIV-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:49:43

XRT75L03IV-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 3CH 128LQFP
2023-04-06 11:49:43

XRT75R12IB-L

IC LIU E3/DS3/STS-1 12CH 420TBGA
2023-04-06 11:49:43

XRT75R06DIB-F

IC LIU E3/DS3/STS-1 6CH 217BGA
2023-04-06 11:49:42

DS3154N+

IC LIU DS3/E3/STS-1 QD 144CSBGA
2023-04-06 11:48:59

DS3150QNC1+

IC LIU DS3/E3/STS-1 28-PLCC
2023-04-06 11:48:58

VDD_PCIE_DIG_1P8_3P3电压变化是否也需要更改设备树?

;; //disable-gpio = <&lsio_gpio1 3 GPIO_ACTIVE_LOW>; reset-gpio = <&amp
2023-04-03 06:31:15

全志T3+Logos FPGA开发板——双屏异显开发案例

OUT双屏异显方案。全志T3处理器显示驱动中最重要的显示资源为图层,支持0和1两路显示通道。其中第0路显示通道支持16个图层(含视频图层4个),第1路显示通道支持8个图层(含视频图层4个),所有图层都支持
2023-03-31 16:31:44

全志T3+Logos FPGA核心板——Linux系统使用手册

/T31将LinuxSDK_AA_BB_CC_DD.tar.gz开发包拷贝至Windows下的SharedFolders共享目录,LinuxSDK版本请以实际情况为准。图 2此时可在Ubuntu
2023-03-31 16:30:26

全志T3+Logos FPGA开发板——MQTT通信协议案例

。Host# CC=/home/tronlong/T3/lichee/out/sun8iw11p1/linux/common/buildroot/host/usr/bin
2023-03-31 15:35:28

CT817D(SL)(T3)-H

CT817D(SL)(T3)-H
2023-03-29 17:57:32

XRT7296IWTR

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-27 12:19:54

XRT7296IWTR-F

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-27 12:19:54

sts8200

哪位大佬有STS8200模拟/数字混合信号测试系统的讲解或者经验啊,目前只找到了手册和说明书
2023-03-25 13:54:51

XRT7298IW

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-25 04:30:15

XRT7298IWTR

IC DRIVER DS3/STS-1 E3 28SOJ
2023-03-25 04:30:13

TJA1042T和TJA1042T/3之间有什么区别吗?

一开始用的是TJA1042T,现在换成TJA1042T/3。除了EMC,还有什么特别需要测试的吗?SPLIT 可以帮助稳定总线上的隐性电压电平,TJA1042T/3 没有 SPLIT,这有什么区别吗?
2023-03-24 07:43:40

已全部加载完成