--- 产品参数 ---
- 沟道 N+P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)参数说明:N+P沟道,±60V,正向电流6.5A,反向电流5A,导通电阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),正负阈值电压分别为±1.9V,封装:SOP8。
应用简介:SI4559EY-T1-E3是一款双沟道MOSFET,适用于高电压和高电流应用,如电源开关、电机驱动、逆变器等领域模块。
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