型号：SI2307CDS-T1-E3-VB
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大持续电流：-5.6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：-1V
- 封装：SOT23
详细参数说明：
SI2307CDS-T1-E3-VB 是一款 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-30V 的额定电压和最大持续电流为-5.6A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 47mΩ @ 10V 和 56mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为-1V。
应用简介：
SI2307CDS-T1-E3-VB 通常用于电源管理和开关控制应用中，特别适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路。由于其 P 沟道特性，它可用于反相开关和负电源电路。SOT23 封装使其易于集成到小型电子设备中。这种型号的 MOSFET 可以在各种领域的模块中使用，如电源逆变器、电源开关、电池保护电路、移动设备和充电管理，以及其他需要负电源开关的应用。它的低导通电阻和高电流承受能力使其在高效率、低功耗应用中非常有用。
