--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 工作电压 -30V
- 工作电流 -6A
- 开通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
- 阈值电压 -1.5Vth(V)
- 封装 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI9435DY-T1-E3-VB
丝印 VBA2333
品牌 VBsemi
参数
P沟道
工作电压 -30V
工作电流 -6A
开通电阻 40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
阈值电压 -1.5Vth(V)
封装 SOP8
详细参数说明
1. 本产品为P沟道MOSFET,适用于负极性电压应用。
2. 工作电压为-30V,可在-30V的电压范围内稳定工作。
3. 最大工作电流为-6A,允许通过的最大电流为6A。
4. 开通电阻为40mΩ@10V和54mΩ@4.5V,20Vgs(±V),表示在不同电压下的导通状态时的电阻值。
5. 阈值电压为-1.5Vth(V),表示正向才能使MOSFET导通的电压。
应用简介
本产品适用于需要负极性电源的应用场景,例如
1. 电源管理模块 用于负极性电源的开关控制和电流管理。
2. 电源逆变器 用于将正极性电源逆变为负极性电源,适用于负极性电压要求的场景。
这些产品主要用在需要负极性电源的模块中,例如电源管理模块和电源逆变器。
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