--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-30V;最大电流:-7A;导通电阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;门源电压范围:20Vgs (±V)阈值电压:-1.37V;封装:SOP8
应用简介:SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET,适用于中功率应用的开关控制。
具有低导通电阻,有助于降低功耗和热量产生。
常用于电源开关、电机驱动、LED驱动等。
优势:低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。
适用封装:SOP8封装适合需要中等功率控制的设计。
适用模块:SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 适用于中功率开关控制模块,如电源管理模块、电机驱动模块等。
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