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电子发烧友网>光电显示>犹他大学开发出“自旋极化”新OLED技术

犹他大学开发出“自旋极化”新OLED技术

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半导体所等在手性分子产生自旋极化研究的进展

利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点,相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”(Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS)。
2023-08-30 17:14:152347

基于锯齿形石墨烯纳米带及其五元环衍生结构的自旋卡诺电子学器件设计

为了减小界面处的晶格形变,提高电子透射性能,我们基于STGNR和5-STGNR纳米带,设计了全新的自旋卡诺电子学器件。采用非平衡态格林函数结合密度泛函理论,选取对称与不对称边缘的STGNR纳米带,计算了多种构型的异质结并计算自旋卡诺输运性质,包括热电流的自旋极化、热致磁阻和自旋塞贝克效应等。
2023-09-12 17:59:513243

基于OLED-on-silicon技术的微型气体传感器平台开发

据麦姆斯咨询报道,德国弗劳恩霍夫有机电子、电子束和等离子体技术研究所(Fraunhofer FEP)开发出基于硅上OLEDOLED-on-silicon)技术并具有最小芯片面积的微型磷光传感器
2023-10-31 11:22:41904

台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片

据报道,全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,并搭配创新的运算架构,使其功耗仅为其他类似技术的1%。
2024-01-19 14:35:127883

台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片,功耗极低

台积电近日宣布,与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,该芯片具有极低的功耗,仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。
2024-01-22 15:44:473700

日本大学发出新极紫外(EUV)光刻技术

近日,日本冲绳科学技术大学大学(OIST)发布了一项重大研究报告,宣布该校成功研发出一种突破性的极紫外(EUV)光刻技术。这一创新技术超越了当前半导体制造业的标准界限,其设计的光刻设备能够采用更小巧的EUV光源,并且功耗仅为传统EUV光刻机的十分之一,从而实现了能源消耗的显著降低。
2024-08-03 12:45:362296

TDK成功研发出用于神经形态设备的自旋忆阻器

委员会(CEA)合作,TDK证明了其“自旋忆阻器”可以作为神经形态设备的基本元件。今后,TDK将与日本东北大学创新集成电子系统研发中心合作开展此项技术的实际开发工作。
2024-10-14 11:00:461305

庆熙大学团队研发高效可拉伸OLED

 据韩媒Kyosu报道,庆熙大学信息显示系的徐敏哲教授研究团队在OLED技术领域取得了重大突破。他们成功开发出一种新型有机发光二极管(OLED),该OLED不仅色彩变化受视野角影响小,而且具有高效率的结构伸缩性。相关研究成果已在《npj Flexible Electronics》期刊上发表。
2024-11-04 11:38:231430

自旋极化:开创半导体器件设计的新路径

极化。石墨烯作为一种单层碳原子排列而成的二维材料,由于其独特的电子结构和运输性质,已成为自旋电子学研究的热点。 然而,现有的石墨烯在自旋极化方面存在着挑战,主要是由于其缺乏磁性以及无法通过电场控制自旋极化的能力。
2024-11-18 11:16:151642

TDK成功研发出世界首台自旋光电探测器

TDK宣布其已成功研发出世界首台“自旋光电探测器”,一款集成光、电子和磁性元件的光自旋电子转换元件一通过利用波长为800纳米的光,将响应速度提高至20皮秒(20×10-12秒),比传统基于半导体
2025-04-24 16:18:08857

中国科学技术大学:实现纠缠增强纳米尺度单自旋量子传感

中国科学技术大学与浙江大学合作,在纳米尺度量子精密测量领域取得进展,首次实现了噪声环境下纠缠增强的纳米尺度单自旋探测。 01 测量最基础的磁性单元 探测单个自旋,测量物质世界最基础的磁性单元,能够
2025-12-01 18:42:171665

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