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连续时间∆-Σ (CTDS) 模数转换器 (ADC) 是音频系统、电话听筒和移动电子产品的首选架构。这种ADC架构可实现高效集成、减少信号链和低功耗等优势。当高动态范围和功率效率是主要要求时,CTDS ADC的性能优于其他类别的ADC,但其他类型的ADC(如流水线ADC)由于其转换宽带模拟输入信号的...
晶闸管又叫可控硅,是半导体闸流管的简称。晶闸管是一种大功率的PNPN型4层3端元件,可以把交流电变换成电压大小可调的脉动直流电,也可把直流电转换成交流电,还可调节交流电压、做无触点开关等。晶闸管广泛应用于可控整流、直流电动机的调速及电镀行业等。...
宽带通信和高性能成像应用的不断扩展特别强调高速数据转换:能够处理带宽为10 MHz至1 GHz以上的信号的转换器。各种转换器架构被用于达到这些更高的速度,每种架构都有特殊的优势。高速在模拟域和数字域之间来回移动也给信号完整性带来了一些特殊的挑战——不仅对于模拟信号,而且对于时钟和数据信号也是如此。了...
对于需要一系列同步模数转换器(ADC)的高速信号采样和处理应用,校正和匹配转换器之间的延迟变化的能力至关重要。围绕此功能的系统设计至关重要,因为从模拟采样点到处理模块的任何延迟不匹配都会降低性能。交错处理也需要样本对齐,其中一个转换器样本领先另一个转换器样本几分之一时钟周期。...
对更多数字信号处理的需求正在推动雷达信号链尽早过渡到数字信号链,使模数转换器(ADC)更靠近天线,这反过来又引入了许多具有挑战性的系统级考虑因素。为了进一步探讨这一点,图1显示了当前典型X波段雷达系统的高级概述。在该系统中,通常使用两个模拟混频级。第一级将脉冲雷达回波混合至1 GHz左右的频率,第二...
ACD和DAC数据手册中的典型值和最大值可用于确定存在噪声(如数据转换器量化、时钟抖动、通道非线性以及输入和输出参考噪声)的系统性能。演示了为给定噪声预算选择最佳数据转换器的分步程序。ENOB计算器有助于分析这些参数,并指导我们找到控制和减少其他系统噪声元素的建设性方法。...
使用模数转换器(ADC)进行设计时,一个典型的误解是,缩小输入信号以驱动ADC的满量程范围会显著降低信噪比(SNR)。对于使用宽电压摆幅的系统设计人员来说,这一点尤其值得关注。使问题更加复杂的是,与高压电源相比,用于低压电源(5V或更低)的ADC产品范围也广泛得多。更高的电源通常会导致更高的功耗和电...
晶体管和集成电路被认为是有源元件,因为它们利用来自电源的能量改变信号。同时,我们将电容器、电阻器、电感器、连接器甚至 PC 板 (PCB) 等组件称为无源元件,因为它们似乎不消耗功率。然而,这些明显的无源元件可以并且确实以意想不到的方式改变信号,因为它们都包含寄生部分。因此,事实上,许多所谓的无源组...
良好的专用集成电路 (ASIC) 可享受 90% >首次硅成功。您可能想知道为什么我们要讨论“修复”此问题的方法?毕竟,ASIC几乎可以工作,没有时间旋转它,仍然满足市场窗口。听起来很耳熟?不幸的是,墨菲定律1这句话说,“任何可能出错的事情,都会在最糟糕的时候出错,”在这里适用。无论我们如何仿...
具有12至14位高分辨率的现代高速数模转换器(DAC)为采用直接调制方案的新型发射器设计奠定了基础。在此类设计中,调制后的传输信号直接在基频上生成。到目前为止,这种方法仅用于生成有线电视系统中正交调幅(QAM)多载波信号的传输,或雷达设备和军事通信系统采用的微波系统的中频信号。现在,进一步发展使得将...
高性能音频数模转换器(DAC)传统上需要一个非常干净的采样主时钟(MCLK),以避免音频质量下降。时钟源通常直接来自晶体振荡器,其产生的抖动通常小于100ps。在某些系统中,音频过采样频率(通常是3.072MHz或2.8224MHz的倍数)不是晶体振荡器参考频率的方便部分。...
下图显示了同步升压电路中LS关断时栅极-源极电压的行为,该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件(IV),即HS(非开关侧)的VGS的负浪涌,采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD(肖特基势垒二极管)D3是很有效的方法(参见下面的验证电路)。...
下图显示了同步升压电路中LS导通时栅极-源极电压的行为,该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件(II),即HS(非开关侧)的VGS的正浪涌,正如在上一篇文章的表格中所总结的,采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法(参见下面的验证电路)。...
只是由于SiC MOSFET的跨导比Si MOSFET的跨导小一个数量级以上,因此不会立即流过过大的直通电流。所以即使流过了直通电流,也具有足够的冷却能力,只要不超过MOSFET的Tj(max),基本上没有问题。然而,直通电流毕竟是降低系统整体效率的直接因素,肯定不是希望出现的状态,因此就有必要增加...
MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中,SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增,它的工作速度非常快,以至于开关时的电压和电流的变化已经无法忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC M...
下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样,为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比,只是VDS和ID变化的顺序发生了改变,其他基本动作是一样的。...
当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的极性产生公式(1)的电动势。公式(1)与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电,因...
光控晶闸管(Optically Controlled Thyristor,简称OCT)是一种集成了光控触发元件和晶闸管的半导体器件。它可以通过光信号来实现对晶闸管的触发和控制,具有可靠性高、响应速度快、触发电流低等优点,适用于许多特定的场合...
光控晶闸管的工作原理是利用光控电阻效应来控制晶闸管的导通。其内部包含了一个光敏元件和一个晶闸管,其中光敏元件通常是一个光控电阻。当光线照射到光敏元件时,光能会激发出光生载流子,使得光敏元件的电阻发生变化,从而影响晶闸管的控制电压,从而控制晶闸管的导通。...