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• 典型车用IGBT芯片结构设计解析

  Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ，Sic MOSFET开关速度快引起的EMII问题需要关注。...

  701次阅读 · 0评论 emiIGBT晶体管SiC MOSFET

• 二极管为什么不能并联使用？

  二极管是一种半导体器件，是电子学中最基本的元件之一。它具有单向导电性质，只能让电流在一个方向上流动。...

  3796次阅读 · 0评论 二极管电子电路半导体器件漏电流

• 如何测量运算放大器的输入电容以尽可能降低噪声

  必须确保测量精度不受PCB或测试装置的杂散电容和电感影响。您可以通过使用低电容探头、在PCB上使用短连接线，并且避免在信号走线下大面积铺地来尽可能规避这些问题。...

  788次阅读 · 0评论 pcb噪声运算放大器输入电容电子电路

• 三极管作为MOSFET驱动电路的几个好处

  说实话，这些电路大多都是在面试或者课本里出现，考察一下大家对三极管的理解。 但真正在实际电路中，很少看到三极管工作在放大区。...

  1509次阅读 · 0评论 三极管MOSFET驱动电路集电极PMOS
  

• MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效

  当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。...

  3270次阅读 · 0评论 二极管转换器MOSFET失效机理雪崩失效
  

• ​压接型IGBT器件的封装结构及特性

  绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗和低导通压降的优点。...

  4333次阅读 · 0评论 晶闸管IGBT晶体管半导体器件电压驱动

• 高速ADC基础知识

  本文的目的是介绍高速ADC相关的理论和知识，详细介绍了采样理论、数据手册指标、ADC选型准则和评估方法、时钟抖动和其它一些通用的系统级考虑。 另外，一些用户希望通过交织、平均或抖动(dithering)技术进一步提升ADC的性能。...

  3393次阅读 · 0评论 芯片接口adcdac时钟抖动
  

• 三极管做电子开关的原理及用法

  　三极管是一种电流放大器件，一般是用来放大电流或者作为电子开关使用，我这里主要以电子开关这种用法进行说明。...

  5957次阅读 · 0评论 三极管电流集电极电子开关NPN型
  

• 简单介绍继电器A/B/C/D形式的电路

  它控制两个电路，即一个电路保持打开而另一个保持闭合。它也被称为“先断后合”继电器，因为它先断开一个电路，然后再闭合另一电路。...

  5256次阅读 · 0评论 继电器

• 晶体管是三极管吗？三极管在电源里都有哪些应用场景

  截止区“三极管的截止状态，这应该是比较好理解的，当三极管的发射结反偏，集电结反偏时，三极管就会进入截止状态。”我当时就特别讨厌用正偏反偏这个词，已经有三个极需要去记忆了，又来个正反偏。...

  2998次阅读 · 0评论 三极管晶体管双极晶体管

• 氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料

  氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。...

  1118次阅读 · 0评论 肖特基二极管SiCGaN功率半导体氧化镓

• 半导体的常规散热方法 车用功率MOSFET热管理设计

  顶部散热元件除了布局优势外，还具有明显的散热优势，因为这种封装允许热量直接耗散到组件的引线框架。铝具有高热导率（通常在100~210W/mk之间），因此最常用的散热器是铝制的。...

  2653次阅读 · 0评论 MOSFET功率设计

• 如何避免MOSFET常见问题和失效模式

  今天给兄弟们分享一个infineon的文档《使用功率MOSFET进行设计，如何避免常见问题和故障模式》，依然是我觉得比较好的。...

  1734次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT晶体管功率器件Infineon

• MOSFET内部二极管--逆变器应用

  在下一个AC周期中，极性反转，电流如蓝色箭头所示经过体二极管D4，电池D2并流回FINISH或变压器绕组的负极。这会不断重复，将两个AC周期都转换为DC并为电池充电。...

  1490次阅读 · 0评论 二极管MOSFET逆变器

• 通过自举扩展运算放大器工作范围

  当现成的运算放大器(op amp)不能提供特定应用所需的信号摆幅范围时，工程师面临两种选择：使用高压运算放大器或设计分立解决方案，不过这两种选择的成本可能都很高。...

  917次阅读 · 0评论 MOSFET运算放大器跟随器双电源信号

• SiC和Si的应用 各种SiC功率器件的特性

  碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。...

  3273次阅读 · 0评论 转换器电源逆变器碳化硅

• 三极管、场效应管、IGBT的区别

  三极管是一种电流控制体器件，它的主要作用是把微弱信号放大，输入阻抗低，例如在基极b给一个很小的电流Ib，在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。它是电流放大器件，但是在实际时候通常通过一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用，因此，只要电路参数设置合适，一般输出电压可以比输入电压高很多倍。它有...

  6929次阅读 · 0评论 三极管场效应管IGBT数码管引脚

• 传输线的TDR阻抗的原因和原理分析

  在做SI仿真时，经常需要查看差分线的TDR阻抗，我们经常发现即使是一段非常均匀的传输线，其TDR阻抗也是逐渐上翘的，这是为什么呢？如下图所示，是一段5in长的差分微带线，其模型如下，导体材料是copper，电导率为5.8e7....

  9516次阅读 · 0评论 阻抗TDR传输线

• 适用于模拟/数字混合信号环境的接地方案

  大多数ADC、DAC和其他混合信号器件数据手册是针对单个PCB讨论接地，通常是制造商自己的评估板。将这些原理应用于多卡或多ADC/DAC系统时，就会让人感觉困惑茫然。...

  1500次阅读 · 0评论 放大器混合信号

• 三极管的工作原理及电路应用

  三极管（BJT）是一种电流控制型半导体器件，由两个PN结组成，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。...

  2483次阅读 · 0评论 三极管半导体放大电路BJTNPN
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