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• 运放参数解析：输入失调电压(Vos)

  今天继续给大家分享运放另一项指标——输入失调电压(Vos)。...

  14227次阅读 · 1评论 运放输入信号失调电压偏置电流运放参数
  

• 运放参数解析：输入偏置电流(Ibias)和失调电流(Ios)

  今天与大家分享一下运放系列第一个问题：输入偏置电流(Ibias)和失调电流(Ios)。...

  14702次阅读 · 0评论 二极管运放BJT输入偏置电流钳位二极管
  

• IGBT器件介绍 IGBT结构与工作原理

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心器件，也是目前MOS-双极型功率器件的主要发展方向之一。...

  19845次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT晶体管功率器件BJT
  

• 运放参数解读之压摆率

  运放的压摆率（SR）是与运放的增益带宽积（GBW）同等重要的一个参数。但它却常常被人们所忽略。说它重要的原因是运入的增益带宽积GBW是在小信号条件下测试的。而运放处理的信号往往是幅值非常大的信号，这更需要关注运放的压摆率。 压摆率可以理解为，当输入运放一个阶跃信号时，运放输出信号的最大变化速度 ，如...

  3771次阅读 · 0评论 运算放大器运放运放参数压摆率
  

• 叠加定理在运算放大器直流和交流分析中的应用

  昨天与各位同好一起学习了叠加定理在运算放大器直流分析中的应用，那么今天再次与各位同好重温叠加定理，今天交流直流一起分析。...

  8974次阅读 · 1评论 电路图运算放大器信号发生器叠加定理
  

• 利用叠加定理分析运算放大器

  在分析运算放大器的时候，你会不会用叠加定理去分析呢？相信您看完本文会大声感叹叠加定理太6了！！...

  2702次阅读 · 1评论 电路图运算放大器叠加定理
  

• 二极管与MOS管电路怎样防反接呢？

  以我们平时最常见的电源供电为例，配置的电压为5伏特，电流为2安培。在常规情况下，二极管它是串联在电路当中，用来保护后级电路免受电源反接损坏。...

  1322次阅读 · 0评论 保护电路MOS管肖特基二极管电源供电PMOS管
  

• A/D转换的基本原理 常见AD转换的类型

  将模拟信号转换成数字信号时，必须在一系列选定的时间点对输入的模拟信号进行采样然后再将这些采样值转换为数字量输出。整个A/D 转换过程通常包括采样、保持、量化和编码3个步骤。...

  29903次阅读 · 0评论 转换器运算放大器adc模拟信号数字信号
  

• 关于对碳化硅误解的描述

  碳化硅晶圆是晶体通过切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛等工艺加工成型的单晶晶圆。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的温度和更多的精力来加工和结晶。因此，生产碳化硅晶圆的成本是同等级硅晶圆成本的3倍。...

  735次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT硅晶圆碳化硅宽禁带半导体

• 如何利用两个三极管构建出一种限流电路？

  限流功能电路的实现可以采取多种方案。其中采用过流保护芯片是一种很常见且非常有效的方法，它是能够在电流超过一定值时便会自动切断电源，来防止大的电流对后级电路造成损害。...

  3799次阅读 · 0评论 三极管控制器过流保护电路限流电路GND
  

• 混合碳化硅分立器件的特性与优点

  IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成，续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料，按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果：硅PIN二极管、碳化硅 PIN二极管、硅肖特基二极管、碳化硅肖特基二极管。在本篇文章中我们将重点阐述碳化...

  1095次阅读 · 0评论 二极管IGBT分立器件SBD碳化硅
  

• 京瓷研发出EIA 0201封装高静电容值10μF电容器

  随着智能手机和可穿戴装置多功能化，电子产品搭载的MLCC的容值日益提高，搭载的元件数量也在逐年增加。同时，各种电子设备也日趋小型化。...

  1727次阅读 · 0评论 电容器MLCC京瓷可穿戴装置
  

• IGBT功率模块的开关特性有哪些呢？

  IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。...

  2804次阅读 · 0评论 MOSFETIGBT晶体管寄生电容功率模块
  

• N沟道增强型MOS管的工作区间及开通过程分析

  　　N沟道增强型MOS管的结构如图1所示，P型衬底上制作两个高掺杂的N区，引出作为漏极D和源极S，衬底上再制作一块绝缘层，绝缘层上在制作一层金属电极，引出作为栅极G，即构成了常见的N沟道增强型MOS管。一般而言，衬底B和S极会连在一起，当在栅极处加正电压时，靠近衬底的绝缘层会产生感应电荷，当感应电荷...

  6277次阅读 · 0评论 二极管MOS管N沟道模拟电子特性曲线
  

• 三极管输出特性曲线解读

  为便于描述，画出三极管放大电路示意图如图1所示。...

  9962次阅读 · 0评论 三极管放大电路集电极特性曲线输出特性
  

• 双通道模数转换器AD9208产品介绍

  本视频介绍一款参考设计，其将 9GHz 直接转换 I/Q 解调器 LTC5594 DC 耦合至 3Gsps 14 位双通道 ADC AD9208，可提供 1.2GHz 带宽。了解怎样优化镜频抑制、IM2/IM3 和 HD2/HD3 指标以实现极佳的动态范围。...

  2821次阅读 · 0评论 接收器解调器adc带宽模数转换器
  

• 运算放大器LTC6268-10做跨阻放大时波形设计问题

  微弱信号放大将1uA的电流放大到1mV，带宽100MHz。输入方波，在放大500倍时波形还好，但1000倍时，波形明显成为正弦波，想知道哪里的问题？...

  3360次阅读 · 0评论 放大器电流运算放大器反馈电容LTC6268
  

• 防浪涌用压敏电阻和普通压敏电阻有什么不同？

  浪涌电流电压的持续时间比较长（可能达数mS），产生的能量比较大。用以浪涌防护的压敏电阻必须能够吸收较大的脉冲能量，为了实现这个性能，一般防浪涌用的压敏电阻尺寸较大（3225～5650）。...

  1612次阅读 · 0评论 电流电容压敏电阻电流电压浪涌防护
  

• 关于碳化硅半导体的8大误区有哪些

  SiC的鲁棒性不如硅IGBT在这里，“鲁棒性”是一个工程术语，通常用来描述一个系统或部件在面对不确定性、干扰或异常条件时的稳定性或可靠性。...

  621次阅读 · 0评论 IGBTSiC氮化镓碳化硅

• 为什么MOS管沟道夹断了还能将恒定载流子发送过去？

  对于MOS管这样一个三端口器件，先不看源极，就看栅极和漏极。...

  2943次阅读 · 0评论 二极管电阻器MOS管线性电阻漏端电压
  
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