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铜金属化过程中,氮化硅薄层通常作为金属层间电介质层(IMD)的密封层和刻蚀停止层。而厚的氮化硅则用于作为IC芯片的钝化保护电介质层(Passivation Dielectric, PD)。下图显示了氮化硅在铜芯片中作为金属沉积前的电介质层(PMD)、金属层间电介质层(IMD)和钝化保护电介质层(PD...
戈登·摩尔(Gordon Moore)在他提出了“摩尔定律”[1]的开创性论文中预测了“清算日”的到来——“用分别封装并相互连接的多个小功能系统构建大型系统可能是更经济的。”今天,我们已经度过了那个拐点。多个裸芯的封装集成已广泛应用于半导体行业,包括主流的中央处理单元(CPU)和通用图形处理器单元(...
大部分关于SM的工作都是在IEC TC 65 WG23中完成的,用于制定SM标准IECTR 63283-X,在IEC SC65A MT 61508(功能安全)和ISO/IEC JTC 1 SC 42 WG03(AI可信度)中。 图和表格取自工作文件,以显示概念的方向。 想法也...
UCIe[4]是一种开放的行业标准互连,为异构芯片间提供了高带宽、低延迟、高电源效率和高性价比的封装内连接,以满足整个计算系统的需求。...
SMT即表面组装技术(Surface Mount Technology)(Surface Mount Technology的缩写),是电子组装行业最流行的技术和工艺。...
单晶圆系统也能进行多晶硅沉积。这种沉积方法的好处之一在于能够临场进行多晶硅和钨硅化物沉积。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-钧硅化物形成的叠合型薄膜作为栅极、局部连线及单元连线。临场多晶硅/硅化物沉积过程可以节省钨硅化物沉积之前,去除多晶硅层上的表面氧化层过程和表面清洗步骤,这些步骤都是传统的高温炉多...
使用 SPARC 或单个前驱体活化自由基腔室技术制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具备密度大、坚固耐用、介电常数低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚度和成分共形性极佳等特点。...
表面贴装功率器件(SMPD) 封装提供了功率能力、功耗以及易于布局和组装的最佳组合,可帮助设计人员在不显着增加所构建系统的尺寸和重量的情况下增加输出功率。...
狭义的封装技术可定义为:利用膜技术及微细连接技术,将半导体元器件及其他构成要素,在框架或基板。上布置、固定及连接,引出接线端子,并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺技术。...
由于四点探针和晶圆直接接触将在晶圆表面造成缺陷,所以这种方法只能用于测量测试晶圆进行工艺改进、鉴定和控制。进行测量时必须有足够的力使探针穿过厚度为10〜20 A的薄原生氧化层,这样才能接触到硅衬底以形成良好接触。...
划伤:划伤是由于芯片表面接触到异物:如镊子,造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路,而引起的不良。 缺损:缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击,造成边缘缺损,有可能破坏AL布线或活性区,引起不良。...
传统零件加工:原材料通过加工制作成毛坯,毛坯再通过粗加工、精加工过程制得成品,经过每个加工步骤后的构件质量均小于经过该加工步骤前的构件质量,因此,传统零件加工可被称为减材制造。...
氢去钝化光刻(HDL)是电子束光刻(EBL)的一种形式,它通过非常简单的仪器实现原子分辨率,并使用能量非常低的电子。它使用量子物理学有效地聚焦低能电子和振动加热方法,以产生高度非线性(多电子)的曝光机制。...
COB (chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性。...
IEC TR 62380《电子组件、PCBs和设备的可靠性预计通用模型》是涵盖电路、半导体分立器件、光电组件、电阻器、电容器、压电组件、显示器、开关等等电子元器件的可靠性预计模型,模型中包含了环境系数以及材料、工艺和结构等因素相关的系数。...
目前为止,在日常生活中使用的每一个电气和电子设备中,都是由利用半导体器件制造工艺制造的集成电路组成。电子电路是在由纯半导体材料(例如硅和其他半导体化合物)组成的晶片上创建的,其中包括光刻和化学工艺的多个步骤。...