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标签 > 栅极电压
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安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技术解析与应用指南
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET专为快速开关应用而设计,在负栅极电压驱动和关断尖峰时性能可靠。onsemi NTB...
教科书上没讲清楚的MOS管开关重点今天全交代 MOS管开关的过程解析
MOS管。可以说,几乎所有的电子设备都离不开这个它。虽然它看起来原理简单,但实际工作起来却暗藏玄机。特别是它的开关过程,平时用着没事,一旦出问题往往很多...
LMG1205 适用于GaNFET和MOSFET的1.2A、5A、90V、具有 5V UVLO 的半桥栅极驱动器数据手册
该 LMG1205 设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高压侧和低压侧增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件具有集成的 100V 自举二极管以及用...
MOS管因其高输入阻抗、低功耗和良好的线性特性,在现代电子电路中扮演着重要角色。然而,由于制造缺陷、环境因素或设计不当,MOS管电路可能会出现故障。 M...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件,...
HSPICE共源放大电路仿真分析涉及多个方面,包括电路的设计、仿真设置、仿真结果解读等。以下是一个基于HSPICE进行共源放大电路仿真分析的概述: 一、...
电子管(真空管)是一种电子器件,它利用电子在真空或惰性气体中的运动来控制电流。电子管在20世纪初至20世纪中期广泛用于无线电、电视和音响设备中。尽管现代...
MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用于各种电子设备中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
随着LED技术的快速发展,LED照明因其高亮度、低能耗和长寿命等优点,逐渐成为照明市场的主流选择。LED驱动电源作为LED照明系统的核心部件,其性能直接...
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是电子电路中常用的一种功率放大器件,因其体积小、功耗低、驱动简单等优点而被广泛应用于各种电子设备中。然而,由于其...
在现代电子技术中,直流电机因其高效、可控和可靠的特性而被广泛应用于各种工业和消费产品中。MOS管因其高速开关特性和低导通电阻成为控制直流电机的理想选择。...
MOS管因其高输入阻抗、低功耗和易于集成等优点,在电子电路中扮演着重要角色。然而,为了确保MOS管在实际应用中的性能,必须进行一系列的性能测试。这些测试...
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系? IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、...
N沟道场效应管栅极(G极)电压是否可以大于漏极(D极)电压?
N沟道场效应管栅极(G极)电压是否可以大于漏极(D极)电压? 大部分情况下,场效应管的栅极电压(G极)不会大于漏极电压(D极)。这是因为场效应管的工作原...
为什么MOS管和BJT管的三端不能任意作为输入和输出? 晶体管是现代电子学中最基础的电子器件。而MOS管和BJT管是晶体管的两种主要类型。它们被广泛应...
为什么放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管的Vgs-Vth一般设定在0.2V左右? 放大管是电子设备中非常重要的一种元器件,它可以将低...
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