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苏州华太电子技术有限公司成立于 2010 年，为射频功率和功率行业提供领先的解决方案。经过十多年的研发，华太已经开发了器件和工艺技术，获得了核心技术专利，并使用国产晶圆制造工艺创新实现了高性能LDMOS，GaN，超级IGBT，SiC SBD，PUF芯片以及工控MCU产品的国产化。
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2025-02-28 标签： LDMOS 射频功放 MAX1247EVKIT 1157 0
引言 在新能源与工业电源领域，高效、高可靠性功率器件是系统设计的核心。华太电子正式发布超结二代（SJ-IGBT）家族新品
苏州华太电子技术有限公司成立于 2010 年，为射频功率和功率行业提供领先的解决方案。经过十多年的研发，华太已经开发了器件和工艺技术，获得了核心技术专利，并使用国产晶圆制造工艺创新实现了高性能LDMOS，GaN，超级IGBT，SiC SBD，PUF芯片以及工控MCU产品的国产化。主要市场领域包括：通讯、能源与电源、汽车电子。专业的团队和创新的核心技术是华太优于其他公司的竞争优势。
我们的团队精通器件设计、工艺开发、功放设计、大信号模型开发、单片微波集成电路设计、封装设计、可靠性测试和量产。未来，华太将继续培育新兴技术，为全球客户提供创新解决方案。
2010——公司注册成立
2014——基于LDMOS的高性能射频功率放大管研发
2015——量产国内第一颗用于GSM基站的900MHz 180W大功率射频功率芯片
2018——通过ISO9001:2005认证；基站类RF LDMOS产品年出货量超过100万颗；RF LDMOS年出货量超过2000万颗
2019——基站类RF LDMOS产品累计出货量超过1000万颗
2020——量产国内第一个用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片；成为市级企业研发技术中心；合并佛山华智；成立长沙瑶华封测厂
BMS AFE芯片作为电池管理系统的核心器件，在电池管理系统中承担着重要角色。
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