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文章：113个 浏览：6745次 帖子：1个
过去，牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 （IGBT）。然而，随着半导体技术的进步，碳化硅 （SiC） 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 标签：ti栅极驱动器SiC MOSFET 3.7k 0
寄生电感是SiC MOSFET Vds尖峰和振铃的主要原因。SiC MOSFET的快速开关速度会导致较高Vds尖峰和较长的振铃时间。这种尖峰会降低设备的...
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，...
2022-08-01 标签：英飞凌仿真SiC MOSFET 3k 0
电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来被认为是电动汽车的弱点之一，充电时间逐渐减少，快速充电等先...
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSF...
2022-07-06 标签：驱动器引脚SiC MOSFET 2.2k 1
在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
在本系列的前几篇文章中[1-6]，我们介绍了基于安森美(onsemi)的SiC功率模块和其他功率器件开发的25kW EV快充系统，包括这个可扩展系统的整...
2022-06-27 标签：安森美辅助电源SiC MOSFET 3.3k 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
自举式悬浮驱动电路可以极大的简化驱动电源的设计，只需要一路电源就可以驱动上下桥臂两个开关管的驱动，可以节省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 标签：驱动电源自举电路SiC MOSFET 4.4k 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压？
用+14V左右的稳压管Z1加上Z2管正向导通压降，在开通时候将电压稳定在+15V左右，这样在开关管导通时电容C10上就会有3V压降。
2021-12-06 标签：单电源SiC MOSFET 5.8k 0
作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各种拓扑结构中SiC MOSFET的出现大大提高了性能和效率。但是，如果使...
2021-03-11 标签：MOSFETSiC MOSFET 3.3k 0
探讨1,200-V 300-A SiC MOSFET对开关频率的影响
由于快速的开关，传导损耗和击穿电压的增加，在现代工业应用中增加了SiC MOSFET的使用。通过最快速的开关速度和更高的频率赋能，该框架减小了尺寸并提高...
2021-03-19 标签：MOSFET开关频率SiC MOSFET 8.6k 0
碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同时也带来了新的挑战。ROHM半导体器件使工程师能够充分利用SiC MOSFET，同时克服了驱动...
除了提供紧凑，高效的解决方案外，WBG材料还必须在异常或关键工作条件（例如短路和极端温度操作）的情况下满足安全要求。
如何复制下一代栅极驱动光电耦合器的改进，以驱动和保护SiC MOSFET
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。
2021-05-24 标签：光电耦合器栅极驱动器SiC MOSFET 3.5k 0
随着云计算的概念越来越流行，数据量越来越大，数据中心每天都在改进，最终开始以更快的速度增长。它们已成为最大和最快的能源消耗来源，而 UPS（不间断电源）...
2021-06-14 标签：整流器碳化硅SiC MOSFET 3.5k 0
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