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采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
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绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。然而,IGBT在长时间工作过程中,...
双向TVS管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor)是一种用于保护电子设备免受瞬态电压冲击的半导体器件。...
瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种用于保护电子设备免受电压瞬变影响的半导体器件。它能够快速响应...
双向瞬态抑制二极管(Bidirectional Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种用于保护电子设备免受电压瞬变...
续流二极管作为电子电路中重要的元件之一,其故障可能导致整个电路的性能下降甚至完全失效。本文将深入探讨续流二极管故障的原因,并详细分析这些原因背后的机理,...
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构,其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。...
PN结的反向击穿是半导体物理学中的一个重要概念,它指的是在PN结处于反向偏置状态时,当外加的反向电压增加到一定程度时,PN结的电流会突然激增,这种现象称...
PN结正向偏置和反向偏置是半导体器件(如二极管、晶体管等)中非常重要的两种工作状态,它们的工作原理基于PN结独特的电学性质。以下将详细阐述PN结正向偏置...
恒流二极管,也称为恒流晶体管,是一种具有恒定电流输出特性的半导体器件。它在电子电路中具有广泛的应用,如电源管理、信号处理、光电子学等。 一、恒流二极管的...
二极管是一种半导体器件,其主要功能是允许电流单向流动。在电子电路中,二极管被广泛应用于整流、稳压、开关等场合。二极管的最大整流电流是指在保证二极管正常工...
在实际应用中,基极电流和集电极电流之间的关系可能会受到动态因素的影响。在电子学和半导体物理学中,基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)是双极型晶体管(BJ...
晶体管是一种半导体器件,广泛应用于电子电路中。它具有三个主要区域:截止区、放大区和饱和区。晶体管的工作状态取决于其基极(B)、集电极(C)和发射极(E)...
稳压3极管,也称为稳压二极管或齐纳二极管,是一种具有稳定电压特性的半导体器件。它的主要作用是在电路中提供稳定的参考电压,以保证电路的正常工作。 稳压3极...
PN结发生齐纳击穿是一种特殊的物理现象,它在特定的条件下发生,允许电流在低于雪崩击穿电压的情况下流过PN结。
光电管是一种利用光电效应工作的电子器件,其核心原理是光子与物质相互作用,导致电子从原子中释放出来,形成自由电子和空穴。
晶闸管是一种四层三端半导体器件,由多层PN结组成。一个标准的晶闸管包含三个PN结,这些PN结交替排列,形成四个半导体区域:阳极区、阴极区以及两个中间的区域。
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