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PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
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如果电路的电源接反,例如将正极线接到地,负极线接到电路的Vcc。可能会发生两件坏事,要么我们设计的电路连同其中所有昂贵的组件一起被烧毁,要么电源本身被毁...
如图所示,令左路电流为10u,PM1和PM0宽长比相同,则由电流镜定律,右侧电流也为10u,目标:设计较为精确的电流镜,要求输出(PM3漏端)电压>...
汽车电源系统常在极为恶劣的环境下运行,数以百计的负载挂在汽车电池上,需要同时确定负载状态的汽车电池可能面临极大的挑战。当负载处于不同工作条件和潜在故障状...
PMOS晶体管是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件,具有许多优点,如低功耗、高速度和良好的集成性。然而,要充分利用PMOS晶体管的性能,我们需要了解其...
众所周知MOS是电压型驱动,只有G极比S极高一个开启电压Vth之后,MOS才会导通(这里指NMOS)。
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