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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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承受现代IGBT/MOSFET栅极驱动器绝缘能力的最大功率限制
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电...
基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三...
面对抛负载的一种解决方案是增加一个瞬态电压抑制器（TVS）二极管，以本地箝位ECU电源。更紧凑、更严格的容差方法是使用有源浪涌抑制器，例如 LTC436...
开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是导通时间（T上） 到整个周期长度，关断时间 （T关闭）加上导通时间，并定义了输入电压和输出电压之间...
隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度，以便操作功率器件。这些栅极驱动器的隔离特性允许高侧和低侧器件驱动，并且能够在使用合适的器件时提供安全栅...
在电动机控制等部分应用中，放缓开关期间的dV/dt非常重要。速度过快会导致电动机上出现电压峰值，从而损坏绕组绝缘层，进而缩短电动机寿命。
现代汽车和工业系统需要稳定的电压源，即使系统输入电压从一个极端扫描到另一个极端。在汽车系统中，冷启动启动、动态燃油管理系统中的气缸停用/激活或发动机负载...
什么是IGBT的退饱和？什么情况下IGBT会进入退饱和状态？
如下图，是IGBT产品典型的输出特性曲线，横轴是C，E两端电压，纵轴是归一化的集电极电流。可以看到IGBT工作状态分为三个部分。
为了以良好的稳定性和高带宽调制流过MOSFET的电流，运算放大器必须能够快速改变栅源电压。具有高栅极至源极和栅极至漏极电容 （C一般事务人员和 C广东）...
如何选择升压稳压器/控制器IC并使用LTspice选择外设元件
图5显示了异步升压拓扑的简化原理图，图6显示了异步降压拓扑的简化原理图。两者的D模块是驱动功率MOSFET的PWM信号，开关周期的占空比由输入和输出电压...
漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之...
幸运的是，同时发生的半导体革命产生了新的 宽带隙器件，例如碳化硅 （SiC） MOSFET 功率开关 有助于缩小消费者对电动汽车续航里程的期望与原始设备...
ACPL-339J是一款先进的1.0 A双输出，易于使用，智能的手机IGBT门驱动光耦合器接口。专为支持而设计MOSFET制造商的各种电流评级，ACPL...
传统上，保险丝用于过流保护。然而，保险丝体积庞大，响应缓慢，跳闸电流容差宽，并且在一次或几次跳闸后需要更换。本文介绍一种紧凑、扁平、快速的 10 A 电...
源极和漏极之间的关断电容，CDS（关闭），是衡量关断开关阻止源极信号耦合到漏极的能力的指标。它是固态继电器（也称为 PhotoMOS、OptoMOS、光...
LED 照明的设计人员已经很快熟悉了各类适用的安全标准，如针对美国通用 LED 灯的 IEC 62560、针对 LED 阵列和模块的 IEC 62031...
3.3V 直流母线在宽带网络系统中广受欢迎，用于各种较低电压，为 DSP、ASIC 和 FPGA 供电。这些较低的电压范围为1V至2.5V，通常需要高负...
本文介绍最新的驱动器加MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单片DrMOS器件使电源系统在功率密度、效率和热性能方面得到...
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