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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技术资讯资料帖子视频产品方案企业 MOSFET选型

mosfet技术

针对LED照明的全集成开关型变换方案

LED照明较其他照明产品具有绿色、节能、环保、长寿命等优点，随着整体成本降低，LED照明开始广泛使用在商业、家庭等领域。

2018-11-16 标签：MOSFET LED照明 PWM 4.5k 0

影响BUCK电源效率的因素有哪些

影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。

2018-11-15 标签：MOSFET BUCK 1.9万 0

如何通过调整门极驱动负压，来限制SiC MOSFET阈值漂移的方法

由于宽禁带半导体SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半导体氧化层界面特性，会引起阈值电压变化以及漂移现象。为了理解这些差异，解释这些差异与材料本身特性...

2018-11-08 标签：MOSFET 半导体 SiC 1.0万 0

如何针对特定设计选择正确的MOSFET

随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它...

2018-10-30 标签：MOSFET 半导体 3.1k 0

MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

本视频简要介绍MAX17761，器件为4.5V–76V、1A、高效、同步降压型DC-DC转换器，带有内部补偿，支持高效率和低温升。

2018-10-11 标签：转换器 mosfet maxim 6.4k 0

MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

This video provides an introduction to the MAX17633 family of parts (MAX1763...

2018-10-11 标签：转换器 mosfet maxim 4.7k 0

深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

MOSFET是电子系统中的重要部件，需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中，以静态特性和动态特性更为重要，本文主要讨论动态特性。...

2018-09-26 标签：MOSFET 栅极电荷 5.9k 0

浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

根据MOSFET传输特性，新的MOSFET (IRF和INFINEON)的热稳定性不如NXP MOSFET，因为NXP的热稳定性(曲线相交)在37,5A...

2018-09-25 标签：MOSFET 3.4k 0

关于TL5001高效率同步降压应用

同步整流在高效率场合下适合使用，元件较多，但是换来的高效率不容忽视，输出几安培的电流，MOSFEI都不用散热片，而且都是使用常规的N沟道MOSFET.同...

2018-10-27 标签：MOSFET TL5001 5.6k 0

MOSFET场效应管工频100W逆变电源,100W power inverter

本装置电路简单，易于调试，性能可靠，逆变和充电自动转换，带电瓶电量指示。由于使用了大功率VMOS管，故效率高而成本又较低，适合电子爱好者组装。

2019-02-09 标签：MOSFET 场效应管 3.8k 0

米勒效应会对MOSFET管造成怎样的影响

米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值，过后GS电...

2018-09-28 标签：mosfet 电容驱动 2.2万 0

有刷直流电机工作过程及应用

在有刷电机中，磁极方向的跳转是通过移动固定位置的接触点来完成的，该接触点在电机转子上与电触点相对连接。这种固定触点通常由石墨制成，与铜或其他金属相比，在...

2018-09-28 标签：mosfet 驱动器电机 1.7万 0

采用SiC材料元器件的特性结构介绍

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是...

2018-09-29 标签：mosfet 半导体 sic 9.3k 0

谈晶体三极管集电极和发射极互换的结果

从发射极注入的hole电流，将分成1和2两个部分。由于base为n掺杂，所以当hole电流流经base的时候，将会有电子空穴对的复合产生，消耗空穴电流，...

2018-12-03 标签：集成电路 MOSFET 晶体管 8.9k 0

基于SiC的MOSFET器件在电源与电机驱动电路设计中的特点分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。

2019-12-03 标签：mosfet 电机驱动 sic 5.4k 0

积分器使用功率Mosfet的预防措施

在积分器(R2、C2和Q1)中使用功率Mosfet，如果不采取一些预防措施，可能会导致故障或«神秘»破坏，而且不总是重复。

2018-09-23 标签：mosfet 电机控制积分器 4k 0

MOS替换方法及流程之SOA的安全操作区域

在汽车环境中，它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此，有了非常好的可靠性级别，就有必要定义这种强大的功能(多亏了SOA)。

2018-09-23 标签：mosfet mos soa 1.0万 0

MOS替换方法及流程之栅源阈值电压的mosfet源

VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在...

2018-09-23 标签：mosfet mos 8.8k 0

深入探讨功率MOSFET变化对电流和电压回路行为的影响

讨论功率MOSFET变化对两个回路(电流和电压)行为的影响。由于MOSFET只影响功率单元，所以理论研究只适用于功率单元模型。

2018-09-17 标签：电流 MOSFET 电压 5.5k 0

MOSFET的结构和重点参数介绍及应用前景如何？

最近，国内对MOSFET的需求大涨，导致业内缺货，很多厂商有钱买不到货，这是MOSFET厂商最愿意看到的。MOSFET需求增长源于物联网、3C产品、云端...

2018-09-15 标签：CMOS MOSFET 物联网 5.7k 0

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