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简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技术

提高迟滞，实现平稳的欠压和过压闭锁

电阻分压器可将高电压衰减至低压电路能够承受的电平，且低压电路不会出现过载或损坏。

2021-11-05 标签：MOSFET adi 1.8k 0

别被低频噪声吓到，使用 4200A-SCS 参数分析仪测量1/f 电流噪声

在测量设置中，噪声来自不同的来源，其中之一是测量仪器本身。为提取被测器件（DUT）的噪声特点，仪器噪声必须小于 DUT 噪声。

2021-11-05 标签：MOSFET 测量仪器源测量单元 3.1k 0

思睿达TT6267SK测试报告良好EMI特性低功耗方便散热

1、样机介绍该测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围，输出功率18W，恒压输出的工程样机，控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...

2021-10-28 标签：MOSFET 控制器电源管理 7k 0

利用氮化镓芯片组实现高效率、超紧凑的反激式电源

在传统的有源钳位设计中，初级MOSFET和有源钳位开关以互补方式进行工作（因此这些钳位电路被称为“互补模式有源钳位”电路）。

2021-10-27 标签：变压器 MOSFET 氮化镓 2k 0

如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较普遍且容易取得，提供给使用者做为...

2021-10-22 标签：MOSFET PFC 2.6k 0

【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征

低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

2021-10-20 标签：MOSFET 泰克科技 MOSFET晶体管 1.9k 0

首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！

工业三相供电（400 VAC to 690VAC）的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 标签：MOSFET 电源设计 SiC 2.3k 0

设计笔记一种用于测量极低电阻的简单比率技术

极低值电阻器（即，毫欧 (mΩ) 及以下）的最常见应用可能是电流控制电路，它们的低值可降低功率损耗。对于这些应用，大约 10%-20% 的容差就足够了。...

2021-10-11 标签：电阻 pcb MOSFET 2.6k 0

双脉冲测试基础系列：基本原理和应用

双脉冲测试就是给被测器件两个脉冲作为驱动控制信号，如图1所示。第一个脉冲相对较宽，以获得一定的电流。

2021-09-23 标签：MOSFET 示波器逆变器 9.6k 0

国产高压SiC MOSFET介绍及竞品分析

工业4.0时代及电动汽车快速的普及，工业电源、高压充电器对功率器件开关损耗、功率密度等性能也随之提高，传统的Si-MosFet性能已被开发的接近顶峰，S...

2021-09-15 标签：MOSFET SiC 工业电源 1.1万 0

关于碳化硅功率模块建模

由于带隙较大（2 MV/cm 对 0.5 MV/cm），SiC 中通过碰撞电离产生带间电子空穴所需的能量比 Si 高得多。

2021-10-07 标签：MOSFET 功率晶体管 1.2k 0

思睿达CR6889B方案能否替换XX11？测试数据分析

我们将为大家带来思睿达主推的CR6889B替换XX11对比测试报告。话不多说，我们先了解下思睿达CR6889B的大概内容吧！ CR6889B芯片特性...

2021-09-08 标签：电源 MOSFET PWM 8.3k 0

思睿达主推EMI特性良好的CR6889B与XX8267是否可相互替换？对比测试报告

SOT23-6 封装的副边PWM 反激功率开关； ● 内置软启动，减小MOSFET 的应力，斜坡补偿电路； ● 65kHz 开关频率，具有频...

2021-09-08 标签：电路 MOSFET PWM 8.8k 0

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

SiC MOSFET并联的动态均流与IGBT类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。

2021-09-06 标签：英飞凌 pcb MOSFET 4.9k 0

恒压恒流输出的电源适配器样机测试思睿达TT5565SG+TT3006方案

01、样机介绍该测试报告是基于一个能适用于宽输入电压范围，输出功率12W，恒压恒流输出的电源适配器样机，控制IC采用了思睿达的TT5565SG...

2021-08-24 标签：MOSFET 开关电源电源管理 9.8k 0

用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器

电池供电的便携设备越来越多，在今日生活中扮演的角色也越来越重要。这个趋势还取决于高能量储存技术的发展，例如锂离子(Li-ion)电池和超级电容器。

2021-07-04 标签：电容器 MOSFET 升压转换器 3k 0

i.MX8 SoM在适合生产的封装中的性能

边缘周围的接触垫有助于检查并实现轻松布线，甚至允许使用两层基板，包括基板。特殊的接地平面布局意味着模块在回流期间可以有效地“浮动”到位

2021-06-26 标签：MOSFET NXP 双核 3.1k 0

电池充电器的反向电压保护准则

在该电路中，MN1 连接在充电器/负载和电池端子之间连接的低侧。

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IGBT工作原理

IGBT是—种场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间电压UGE决定，当栅射电压UCE为正且大于开启电压UCE（th）时，MOSFET内形成沟道并为PN...

2021-06-25 标签：MOSFET IGBT pnp 4.3万 0

功率MOSFET及其雪崩击穿额定值背后的理论和设计过程中的局限性

一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流，因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。

2021-06-23 标签：MOSFET 半导体器件寄生元件 3.3k 0

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