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MOS管,是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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台懋科技TM50G03NF:大功率扫地机器人性能升级的优选方案
随着科技的不断进步和人们对生活品质的追求提高,智能家居设备变得越来越普及。其中,大功率扫地机器人已成为主流。在大功率扫地机器人的核心部件——直流无刷电机...
异步内置MOS升压恒压芯片FP6293,最高输出5-12V/7-9W,输入限流可调
芯片概述FP6293是一个电流模式升压DC-DC转换器。它的PWM电路内置0.14Ω功率MOSFET使该调节器高效。内部补偿网络还可以最小化多达6个外部...
异步内置MOS升压恒压芯片 FP6291C,最高输出5-12V/6-8W,输入限流可调,易过EMI
概述FP6291C是一个电流模式升压DC-DC转换器。它的PWM电路内置0.2Ω功率MOSFET使该调节器高效。内部补偿网络还可以最小化多达6个外部组件...
MOSFET规格书中单脉冲雪崩能量EAS如何理解?电路设计咋用它计算MOS会损坏吗?
单脉冲雪崩能量简称是EAS,这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数,我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐...
MOSFET电路栅源极GS之间并联电容后,MOS管为什么会炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,电压,电流,温度,比如MOSFET漏源极两端的电压超过了最大极限值,或者MOSFET的漏源极电流超过了最大极限值,或者MO...
MOSFET电路栅源极GS之间为什么需要并联一个电容?居然能解决MOS误导通的问题?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在开关瞬态期间,其漏源电压Vds的变化率,即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。一般...
异步内置MOS升压恒压芯片FP6291,最高输出5-12V/5-7W,输入限流可调
芯片概述FP6291是一个电流模式升压DC-DC转换器。FP6291它的PWM电路内置0.2Ω功率MOSFET使该调节器高效。内部补偿网络还可以最小化多...
浮思特 | 第四代场阻止型IGBT的抗锁定能力和超越硅材极限的性能
由于其低导通损耗和开关能量损耗,IGBT广泛应用于高功率应用领域,如电源、马达驱动逆变器和电动汽车等。对更先进功率器件的需求促使了新型硅基开发及宽禁带材...
FP6277同步内置MOS升压恒压5V/3A芯片,输入限流可调
FP6277是一个具有PWM/PSM控制的电流模式增压直流-直流转换器。它的PWM电路内置30mΩ高侧开关和30mΩ低侧开关使该调节器高高效。内部补偿网...
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