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标签 > mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
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耗尽型MOS管(也称为增强型MOS管)是一种常用的场效应管。它是由金属-氧化物-半导体(MOS)结构组成的。在这种器件中,半导体基片分为N型和P型区域,...
igbt和mos管怎么区分 IGBT和MOS管是两种不同类型的半导体器件,用途广泛,在各种电子设备中都会使用。虽然它们有一些相似之处,但也存在一些显著的...
MOS管是一种常用的功率开关元件,具有三个引脚:栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。根据栅极和源极之间的电压,MOS管可以在导通和截止之间进行切换。那么...
开关管是一种能够在导通和截止状态之间快速切换的半导体器件,通常用于电源开关、半桥/全桥驱动电路、PWM调制等电子产品中。常见的开关管有MOS管、IGBT管等。
推挽式开关电源是一种常见的开关电源拓扑结构,其主要由两个开关管组成,分别是P沟道MOS管和N沟道MOS管。在这两个开关管中,谁先起振取决于电路的工作条件...
尖峰电压(或电压峰值)是指在电气系统中突然出现的瞬态过电压,其峰值大于正常工作电压的两倍以上。尖峰电压是由于闸刀分合、电弧熄灭、电动机负载突然切断等原因...
天线效应,或者说它的全称工艺天线效应(PAE,process antenna effect),是一种芯片制造过程中产生的效应。
看到这个题目,可能不少朋友都会满脸问号,我们知道cell内部会有leakage,难道cell与cell之间也会有leakage吗?
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