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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2540次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| BZT52C24T |
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| BZT52B24S |
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| BZT52B15 |
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| BZT52B12 |
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| BC817-25 | 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。 |
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| BAW56 | 开关二极管(小信号) VR=70 VF=1.25V IF=200mA Trr=6nS |
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| BAT54A | 电压:30V 电流:200MA |
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| BAS16 | VR=100V IF=150mA VF=1.25V IR=1uA trr=6nS |
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| AB24S |
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| 78L10 | 输出类型:-; |
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| 1SMAF4746A | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):18V;稳压值(范围):16.8V~19.2V;精度:-;功率:1W; |
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| 1SMA4764A | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):100V;稳压值(范围):95V~105V;精度:-;功率:1W; |
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| 1SMA4748A |
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| 1SMA4738A | 稳压值(标称值):8.2V;稳压值(范围):7.79V~8.67V;功率:1W; |
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| 1SMA4734A | PD=1.0W,IF=10A,VZ=5.6V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 |
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| 1A7 | VR=1000V IF=1A 15pF |
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| 15A10 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):1V@15A; |
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| S2M | 肖特基二极管 SMB(DO-214AA) |
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| S2M | 肖特基二极管 SMA(DO-214AC) |
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| MDD4N65D | 应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路 |
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| MDD80N03D | 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
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| MDD2N65D | 应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路 |
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| ES1B | 耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间:35NS |
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| LESD5Z5.0C-H | 反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压:5.6V;最大钳位电压:16V; |
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| TTR8MF | 快恢复贴片整流器,可降低EMI(传导) |
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| RB520S-30 | 电压:30V 电流:200MA |
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| FR107WS | 快/超快恢复二极管 电压:1KV 电流:1A SOD-323 |
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| P6KE27CA | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):-;击穿电压(最小值):-;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:-;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:-; |
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| P6KE12CA-T/B | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):-;击穿电压:-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:-; |
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| US3JB | 快/超快恢复二极管 电压:600V 电流:3A SMB(DO-214AA) |
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