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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2536次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| KBJ608 | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):170A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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| KBJ1010 |
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| GS1M | VR=1000V IF=1A VF=1.1V IR=5uA |
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| ESD8D8V0 |
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| ESD8D5V0 |
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| ESD8D3V3 |
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| ESD8D12V |
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| ESD5Z36 | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(VBR):40V;钳位电压(Vc)@Ipp:55V; |
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| ESD5B5CU |
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| ESD5B3CM |
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| ESD3Z5V0BU |
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| ESD3B3CM | ESD3B3CM |
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| ESD1201OC | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):12V;击穿电压(VBR):13.3V; |
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| ESD0502TL |
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| ESD0502L |
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| ESD0501L | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压(VBR):6V;钳位电压(Vc)@Ipp:15V; |
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| ESD0501OC |
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| ESD0302TL |
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| ESD0301L |
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| ESD0302L |
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| ES3GC | 直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V @ 3A;反向恢复时间(trr):35ns;二极管配置:-; |
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| ES2BB | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;反向恢复时间(trr):35ns; |
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| DHE1G |
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| D882-GR | D882-GR |
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| BZX84C5V1 | BZX84C5V1 |
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| BZX84C4V3 |
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| BZX84C18 | 精度5% 0.3W 18V 较低IR |
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| BZT52C2V4T | 齐纳/稳压二极管 2.2V SOD-523 |
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| BZT52C2V0S |
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| BZT52C27S |
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