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标签 > mdd
MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| ES1DF-SMAF | VR=200V IF=1A 15pF Trr=35ns |
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| ES1J-SMA | VR=600V IF=1A 15pF Trr=35ns |
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| ES1G-SMA | VR=400V IF=1A 15pF Trr=35ns |
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| ES1D-SMA | VR=200V IF=1A 15pF Trr=35ns |
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| DSF1J | VR=600V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=35nS |
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| DSF1G E1G | VR=400V IF=1A 10pF Trr=35ns |
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| DSF1D E1D | 快恢复二极管 VRRM=200V If=1A VF=950mV CJ=10pF trr=35ns SOD123FL |
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| DHE1M U1M | VR=1000V IF=1A Trr=75ns |
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| DHE1J U1J | VR=600V IF=1A Trr=75ns |
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| 1N4148W | 开关二极管(小信号) VR=100V IF=150mA VF=1.25V IR=1uA Trr=4ns |
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| 1N4148WS | 开关二极管(小信号) VR=100V IF=150mA VF=1.25V IR=1uA Trr=4ns |
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| SMAJ100A | PD=400W,VRM=100V,VBR=111~123V,VC=162V |
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| SMBJ6.0A | ESD抑制器/TVS二极管 PD=600W,VRM=6.0V,VBR=6.67~7.37V,VC=10.3V |
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| BC847C | NPN IC(集电极最大电流)=100mA PD(最大功率)=200mW 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子 |
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| D882 | 通用三极管 SOT89-3 IC=3A VCEO=30V hFE=30 |
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| SM520 | 整流二极管 2KV 1.5A SMA |
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| MB10F | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V,IO=1A,VF=1.1V,IR=5uA, |
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| MDD3401 | MOSFETs P-沟道 30V 4.2A SOT-23 |
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| 74LVC1G332GW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74LVC1G332GV | 通用逻辑门芯片 |
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| 74AHC1G17GW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74AHC1G17GV | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT74PW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT74D | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT574PW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT574D | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT259PW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT259D | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT244PW | 通用逻辑门芯片 |
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| 74HCT244D | 通用逻辑门芯片 |
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