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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
文章:93个 浏览:2542次 帖子:1个
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| HER204 | 快/超快恢复二极管 VR=300V IF=2A VF=1.3V IR=5uA trr=50nS |
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| HER108 | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5uA@1kV 反向恢复时间(trr):70ns 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj) |
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| HER107 | VR=800V IF=1A 12pF Trr=70ns |
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| HER104 | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向电流(Ir):5uA@300V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj) |
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| SODDB3 | 触发二极管 32V(28V~36V) 100uA 1.5us |
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| US3G-SMC | VR=400V IF=3A 75pF Trr=50ns |
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| US3D-SMC | VR=200V IF=3A 75pF Trr=50ns |
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| US2G-SMA | VR=400V IF=2A 28pF Trr=50ns |
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| US2A-SMB | VR=50V IF=2A 28pF Trr=50ns |
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| US1M-SMA | VR=1000V IF=1A 15pF Trr=75ns |
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| US1G-SMA | VR=400V IF=1A 15pF Trr=50ns |
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| US1D-SMA | VR=200V IF=1A 15pF Trr=50ns |
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| UF5408 | 快/超快恢复二极管 1KV 3A DO-201AD |
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| UF5404 | 快/超快恢复二极管 VR=300V IF=3A VF=1V IR=5uA trr=50nS |
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| UF4007 | 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS |
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| SF58 | VR=600V IF=5A 50pF Trr=35ns |
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| SF54 | VR=200V IF=5A 100pF Trr=35ns |
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| SF38 | 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=3A VF=1.7V IR=10uA trr=35nS |
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| SF36 | 快/超快恢复二极管 VR=400V IF=3A VF=1.25V IR=10uA trr=35nS |
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| SF34 | 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=3A VF=0.95V IR=10uA trr=35nS |
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| SF28 | 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=2A VF=1.7V IR=5uA trr=35nS |
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| SF26 | 快/超快恢复二极管 VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS |
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| SF24 | 快/超快恢复二极管 VR=200V IF=2A VF=0.95V IR=5uA trr=35nS |
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| SF18 | 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=1A VF=1.7V IR=5uA trr=35nS |
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| SF16 | 快/超快恢复二极管 VR=400V IF=1A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS |
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| MUR460 | 快/超快恢复二极管 VR=600V IF=4A VF=1.25V IR=5uA trr=50nS |
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| ES5J-SMC | 表面安装超快速整流器VRRM=600V IF=5A Io=5A VF=1.7V IR=5μA SMC |
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| ES5G-SMC | VR=400V IF=5A 95pF Trr=35ns |
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| ES2JF-SMAF | VR=600V IF=2A 60pF Trr=35ns |
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| ES2JBF-SMBF | VR=600V IF=2A 45pF Trr=35ns |
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