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乐山无线电股份有限公司(简称LRC)位于中国西部大开发中心地带的历史文化名城——四川乐山,创建于1971年,是以芯片设计、半导体器件制造与销售的大型电子企业。
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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BZX84C3V6LT1 | BZX84C3V6LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C3V0LT1 | BZX84C3V0LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C39LT1 | BZX84C39LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C30LT1 | BZX84C30LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C27LT1 | BZX84C27LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C20LT1 | BZX84C20LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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BZX84C12LT1 | BZX84C12LT1 - SEMICONDUCTOR(TECHNICAL DATA) - Leshan Radio Company |
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R2000F | R2000F - HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY DIODES - Leshan Radio Company |
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S-LMBT4403LT1G | - |
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S-LPB8630DT0AG | - |
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S-LMBT4401LT1G | - |
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S-LN2604DT2AG | - |
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S-1.5SMC30CA | - |
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S-LMBR0530T1G | - |
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S-LMBR160FT1G | - |
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LBSS5350SY3T1G | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A; |
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LNA2306LT1G | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,5.8A; |
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LBC817-25DPMT1G | 集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA; |
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SODSF16-SH | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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SODZ15A-SH | 稳压值(标称值):15V;稳压值(范围):14.25V~15.75V;功率:1W;反向电流(Ir):250uA; |
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SODSF18-SH | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V;反向电流(Ir):5uA; |
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FFMAF203 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); |
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LRC8804FDT1G | 反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压(VBR):6V;反向漏电流(IR):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us:75A;钳位电压(Vc)@Ipp:8.5V;结电容(Cj)@1MHz:0.25pF; |
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HF1600G | 二极管配置:独立式;功率:-;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):3.4V@0.5A;反向电流(Ir):5uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); |
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LR6232A33M | 输出类型:-; |
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LR1117CD33X | 输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:12V;输出电压:3.3V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):-; |
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LBZT52B8V2T1G | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):8.02V~8.36V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):500nA@5V;阻抗(Zzt):30Ω; |
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LP1480WT1G | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):290mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):310mΩ@2.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):8V; |
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BWT1G | BWT1G - General Purpose Transistors PNP Silicon - Leshan Radio Company |
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RL257 | RL257 - 2.5A GENERAL DIODES - Leshan Radio Company |
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