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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

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为什么FeFET变得如此有趣？

随着芯片制造商寻找新的选择来维持驱动电流，铁电体正在接受认真的重新考虑。

2023-01-29 标签：电容器 DRAM 存储器 1.3k 0

关于mos管的基础知识

主要是讲一下关于mos管的基础知识，例如：mos管工作原理、mos管封装等知识。

2023-01-29 标签：封装 MOS管晶体管 6.1k 0

盘点MOS管传输特性曲线的细微之处

这样描述可能不直观。我们看下N沟道-JFET的构造，如下图所示，栅极和源极之间就是一个耗尽层（PN结）。

2023-01-29 标签：场效应管 MOS管负电压 4.1k 0

IGBT的工作原理和退饱和 IGBT的电感短路和直通短路

为了理解IGBT进入退饱和的过程机理，我们有必要简单比较下MOSFET和IGBT结构上的区别：简单来看，IGBT在MOSFET的基本结构上增加了一个P+...

2023-01-17 标签：MOSFET 电感 IGBT 2.3万 0

最新电源转换拓扑中的SiC FET

从历史上看，存在从 AC 到 DC 和 DC 到 DC 的首选电源转换方法。这些都是由随着时间演变的各种限制条件设定的。例如，有一天，“功率因数校正”仅...

2022-12-29 标签：转换器 FET SiC 1.9k 0

GaN功率级设计的散热注意事项

在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将 GaN 用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了 TI LM...

2022-11-18 标签：pcb 散热器 FET 1.6k 0

在正确的比较中了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化

比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，...

2022-11-14 标签：MOSFET FET SiC 2k 0

SiC FET的起源和发展

高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。

2022-11-11 标签：FET SiC 高频开关 1.9k 0

一种用于实时检测溶液中COVID-19刺突抗原的电子生物传感器

这款GO-FET生物传感器采用由p型硅（Si）衬底以及覆盖其上的二氧化硅（SiO2）介电层组成的p型硅片（Si/SiO2）制备。

2022-11-10 标签：FET 场效应晶体管生物传感器 1.1k 0

来说说J-FET的实际使用注意事项

该模型可用于小信号电路计算，其中，极间电容在低频和直流电路中可以忽略。Rgs是J-FET的栅源等效电阻，当加了正常直流偏置电路后，栅源之间外接的电阻比R...

2022-11-03 标签：FET 等效电路可变电阻 2.9k 0

讲一讲增强型MOSFET器件结构和原理

我们可以发现，当Ugs=0时，MOS-FET就是两个共阳极的二极管，B极是公共阳极，S、D极是两个阴极。

2022-11-03 标签：二极管 MOSFET FET 2.9k 0

开发一种基于GFET的生物传感器

基于FET的生化传感器表现出可靠、环保、高灵敏、便捷的特点，有望成为新一代传感平台。

2022-10-31 标签：传感器晶体管 FET 787 0

采用N沟JFET与PNP型三极管的放大电路设计

下图是一个采用N沟JFET与一只PNP型三极管组合而成的一个放大电路，原理上采用输入阻抗高的FET作为源极接地的放大电路，第二级采用提高放大倍数的三极管...

2022-10-18 标签：三极管放大电路 JFET 4.8k 0

栅极驱动器和偏置电源注意事项

氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计...

2022-10-11 标签：晶体管 FET GaN 1.7k 0

UnitedSiC FET-Jet计算器让功率设计选择FET和SiC变得轻而易举

该工具可以立即计算出整体效率、动态和导通导致的组件功耗以及电流应力水平；甚至可以指定并联器件、多个转换器“支路”和外部散热片性能，以便预测结温。

2022-10-11 标签：FET 肖特基二极管 SiC 1.2k 0

NC-FET技术解决方案

众所周知，互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管存在缩放问题。随着 CMOS 场效应晶体管 (FET) 变得更小，它们的功率效率会降低，进而更容易受...

2022-09-23 标签：MOSFET 晶体管 FET 4.4k 0

晶体管的分类方式

根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。

2022-08-23 标签：晶体管 FET MOS 5.3k 0

48V电源系统中的GaN FET应用

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用...

2022-08-04 标签：控制器 FET GaN 1.5k 0

SiC FET的起源及其向完美开关的演变

当然，（近乎）完美的电气开关已经存在很长时间了，但我们在这里不是在谈论机械。现代电源转换依赖于理想情况下没有电阻的半导体开关，当打开时没有电阻，关闭时...

2022-08-03 标签：电源 FET SiC 1.5k 0

基于p型V-WSe2和n型MoS2的可编程FET的异质集成

CMOS技术是无数现代电子产品、仪器和计算工具的大脑。60多年来，CMOS技术在性能、能效和单位功能成本方面持续增长，这得益于遵循摩尔定律的硅基MOSF...

2022-08-02 标签：CMOS MOSFET FET 4k 0

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