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创飞芯40nm eNT嵌入式eFlash IP通过可靠性验证
珠海创飞芯科技有限公司在非易失性存储技术领域再获突破——基于40nm标准工艺平台开发的eNT嵌入式eFlash IP已通过可靠性验证!这一成果进一步展现...
成都锐成芯微科技股份有限公司(简称:“锐成芯微”“Actt”)宣布,公司推出基于BCD工艺平台的LogicFlash Pro eFlash IP产品,其...
锐成芯微于ICCAD 2022推出Wi-Fi6射频IP和新型eFlash IP
12月26-27日,中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD 2022)在厦门国际会展中心成功举办,厦门市科技局局长...
智原与英飞凌联手推出联电40uLP SONOS eFlash平台
ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布与英飞凌合作推出S...
兆易创新基于Cortex-M33内核的首款车规级MCU GD32A503微控制器概述
日前,业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice 发布首款基于Cortex-M33内核的GD32A503系列车规级微控制器,正式进入车规级M...
华润微0.153μm 5V EN CMOS工艺平台由上一代明星工艺平台(0.18μm EN CMOS工艺平台)优化而来。优化后的工艺成本大大缩减,在未增...
28nm节点可能是eFlash最后一个经济高效的节点 格芯欲用22FDXeMRAM技术取代
格芯的战略是为快速增长市场中的客户提供高度差异化、高附加值的解决方案,而践行这一承诺的实际成果就是我们的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
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