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型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
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BZX55C | BZX55C - Zener diode - Formosa MS |
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AS3415E | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; |
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AS3423B | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,3A; |
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SMAJ58A | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58V;击穿电压:64.4V;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4.3A;最大钳位电压:93.6V; |
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MMSZ8V2BW |
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MMSZ9V1BW | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.92V~9.28V;精度:±2%;功率:500mW;反向电流(Ir):450nA@6V;阻抗(Zzt):15Ω; |
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SR1150 | 直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV@1A; |
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SF24 | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); |
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HER205G-26T | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V; |
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DFR1G | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):150ns; |
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BZT52B39 | 39V,0.35W |
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BZT52B22 | 22V,0.35W |
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MMSZ3V6CW | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.6V;稳压值(范围):3.42V~3.78V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):4.5uA@1V;阻抗(Zzt):90Ω; |
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BZT52C27 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):27V;稳压值(范围):25.1V~28.9V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):100nA@18.9V;阻抗(Zzt):80Ω; |
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BZT52C8V2 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):8.2V;稳压值(范围):7.7V~8.7V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):700nA@5V;阻抗(Zzt):15Ω; |
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BZT52B6V8 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):6.8V;稳压值(范围):6.66V~6.94V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):2uA@4V;阻抗(Zzt):15Ω; |
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BZT52B30 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):30V;稳压值(范围):29.4V~30.6V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):100nA@21V;阻抗(Zzt):80Ω; |
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BZT52B11 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):11V;稳压值(范围):10.78V~11.22V;精度:-;功率:350mW; |
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FM120-M | 直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):450mV@1A; |
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P6SMB11A | P6SMB11A |
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S1M-B | S1M-B |
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P6SMB10CA | P6SMB10CA |
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SA5.0CA | SA5.0CA |
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HER508G | HER508G |
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P6KE18CA | P6KE18CA |
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BSS84 | BSS84 |
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BZX84C30 | BZX84C30 |
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BZT52B36 | BZT52B36 |
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SS320-A | SS320-A |
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P6SMB51CA | P6SMB51CA |
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