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半浮栅晶体管

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  半浮栅晶体管(SFGT) [1] 是介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的晶体管。

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半浮栅晶体管简介

  作为一种新型的基础器件,半浮栅晶体管(SFGT)可应用于不同的集成电路。首先,它可以取代一部分的SRAM,即静态随机存储器。SRAM是一种具有高速静态存取功能的存储器,多应用于中央处理器(CPU)内的高速缓存,对处理器性能起到决定性的作用。传统SRAM需用6个MOSFET晶体管才能构成一个存储单元,集成度较低,占用面积大。半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元,存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。

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